APTGT50DA120D1
升压斩波
V
CES
= 1200V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射,方便车道
低杂散电感
- M5电源连接器
高集成度
沟道IGBT
电源模块
3
Q2
6
7
1
2
3
4
5
7
6
2
1
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
J
= 125°C
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置保存工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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2004年1月
最大额定值
1200
75
50
100
±20
270
100A @ 1100V
单位
V
A
V
W
APTGT50DA120D1
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
零栅极电压集电极电流
V
CE (ON)的
V
GE (日)
I
GES
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 2毫安
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
1200
1.4
5.0
典型值
最大
5
2.1
6.5
400
单位
V
mA
V
V
nA
1.7
2.0
5.8
动态特性
符号
C
IES
C
RSS
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
关闭
特征
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭能源
测试条件
V
GE
= 0V,V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关( 25 ° C)
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 18
电感式开关( 125°C )
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 18
民
典型值
3600
160
150
90
550
130
180
100
650
180
6.5
最大
单位
pF
ns
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
V
F
E
REC
Q
rr
正向电压
反向恢复能量
反向恢复电荷
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
I
F
= 50A
V
R
= 600V
的di / dt = 990A / μs的
I
F
= 50A
V
R
= 600V
di/dt=990A/s
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.6
1.6
4
5.2
9.4
2.2
V
mJ
C
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,
我isol<1mA , 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
对于终端
安装力矩
散热器来
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.45
0.75
150
125
125
3.5
5
180
单位
° C / W
2500
-40
-40
-40
2
3
V
°C
牛米
g
M5
M6
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APTGT50DA120D1
包装外形
APT保留更改的权利,恕不另行通知,规格和信息,这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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