APTGT400A60D3G
相脚
沟道+场截止IGBT
电源模块
3
V
CES
= 600V
I
C
= 400A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
沟道+场站IGBT技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
高集成度
M6电源连接器
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
Q1
4
5
Q2
6
7
1
2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
600
500
400
800
±20
1250
800A @ 520V
单位
V
2008年9月，
1-5
APTGT400A60D3G - 牧师0
A
V
W
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGT400A60D3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
对于终端
散热器来
M6
M6
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
3
民
典型值
最大
0.12
0.20
175
125
125
5
5
350
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
D3封装外形
（单位：mm ）
1°
A
细节
www.Microsemi.com
3-5
APTGT400A60D3G - 牧师0
2008年9月，
APTGT400A60D3G
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
600
500
I
C
(A)
400
I
C
(A)
T
J
=150°C
输出特性
600
T
J
= 150°C
500
400
300
200
100
T
J
=25°C
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
300
200
100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
CE
(V)
Transfert特点
T
J
=25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
能量损失VS集电极电流
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
宙
ERR
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.5
T
J
= 150°C
800
600
I
C
(A)
EOFF
400
200
T
J
=150°C
0
5
6
7
8
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
0
0
2.5
5
7.5
栅极电阻（欧姆）
10
ERR
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 400A
T
J
= 150°C
0
9
10
11
0
200
400
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
1000
宙
600
800
800
EOFF
I
C
(A)
600
400
200
0
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
(V)
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=1.5
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.14
热阻抗（ ℃/ W）
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
IGBT
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
www.Microsemi.com
4-5
APTGT400A60D3G - 牧师0
2008年9月，
0.9
APTGT400A60D3G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
80
V
CE
=300V
D=50%
ZCS
R
G
=1.5
T
J
=150°C
二极管的正向特性
600
500
400
I
F
(A)
300
200
100
T
J
=25°C
T
J
=150°C
60
ZVS
T
c
=85°C
40
HARD
开关
20
0
0
100
200
300
I
C
(A)
400
500
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.25
热阻抗（ ℃/ W）
二极管
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
www.Microsemi.com
5-5
APTGT400A60D3G - 牧师0
2008年9月，
APTGT400A60D3G
相脚
沟道+场站IGBT3
电源模块
3
V
CES
= 600V
I
C
= 400A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
沟道+场站IGBT3技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
高集成度
M6电源连接器
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
Q1
4
5
Q2
6
7
1
2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
600
500
400
800
±20
1250
800A @ 520V
单位
V
A
V
W
2011年3月
1-5
APTGT400A60D3G - 版本1
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGT400A60D3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
对于终端
散热器来
M6
M6
IGBT
二极管
4000
-40
-40
-40
3
3
民
典型值
最大
0.12
0.20
175
125
125
5
5
350
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
D3封装外形
（单位：mm ）
1°
A
细节
www.Microsemi.com
3-5
APTGT400A60D3G - 版本1
2011年3月
APTGT400A60D3G
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
600
500
I
C
(A)
400
I
C
(A)
T
J
=150°C
输出特性
600
T
J
= 150°C
500
400
300
200
100
T
J
=25°C
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
300
200
100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
CE
(V)
Transfert特点
T
J
=25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
能量损失VS集电极电流
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
宙
ERR
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.5
T
J
= 150°C
800
600
I
C
(A)
EOFF
400
200
T
J
=150°C
0
5
6
7
8
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
0
0
2.5
5
7.5
栅极电阻（欧姆）
10
ERR
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 400A
T
J
= 150°C
0
9
10
11
0
200
400
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
1000
宙
600
800
800
EOFF
I
C
(A)
600
400
200
0
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
(V)
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=1.5
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.14
热阻抗（ ℃/ W）
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
IGBT
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
www.Microsemi.com
4-5
APTGT400A60D3G - 版本1
2011年3月
APTGT400A60D3G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
80
V
CE
=300V
D=50%
ZCS
R
G
=1.5
T
J
=150°C
二极管的正向特性
600
500
400
I
F
(A)
300
200
100
T
J
=25°C
T
J
=150°C
60
ZVS
T
c
=85°C
40
HARD
开关
20
0
0
100
200
300
I
C
(A)
400
500
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.25
热阻抗（ ℃/ W）
二极管
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
www.Microsemi.com
5-5
APTGT400A60D3G - 版本1
2011年3月
QQ：2881677436 复制
