APTGT200TL60G
三电平逆变器
沟道+场截止IGBT
电源模块
VBUS
V
CES
= 600V
I
C
= 200A @ T = 80℃
G1
Q1
E1
CR1
应用
太阳能转换器
不间断电源
特点
沟道+场站IGBT技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
符合RoHS
CR5
G2
Q2
中性
E2
CR2
OUT
CR6
G3
Q3
E3
CR3
G4
Q4
E4
CR4
0/VBUS
VBUS
G1
E1
0/VBUS
G4
中性
E4
E2
G2
OUT
E3
G3
Q1到Q4绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 150°C
最大额定值
600
300
200
400
±20
652
400A @ 550V
单位
V
A
V
W
2009年3月
1-7
APTGT200TL60G - REV0
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTGT200TL60G
CR1到CR4二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
rr
R
thJC
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
结到外壳热阻
I
F
= 150A
V
R
= 300V
I
F
= 150A
V
GE
= 0V
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
民
600
典型值
最大
150
400
150
1.6
1.5
100
150
7.2
15.2
1.7
3.6
0.52
2
单位
V
A
A
V
ns
C
mJ
° C / W
的di / dt = 2800A / μs的
CR5 & CR6二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
rr
R
thJC
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
结到外壳热阻
I
F
= 200A
V
R
= 300V
I
F
= 200A
V
GE
= 0V
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
民
600
典型值
最大
150
400
200
1.6
1.5
125
220
9.4
19.8
2.2
4.8
0.39
2
单位
V
A
A
V
ns
C
mJ
° C / W
的di / dt = 2800A / μs的
热和包装特点
符号
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
g
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3-7
APTGT200TL60G - REV0
2009年3月
民
2500
-40
-40
-40
3
2
典型值
最大
175
125
100
5
3.5
280
单位
V
°C
牛米
APTGT200TL60G
SP6封装外形
（单位：mm ）
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
Q1到Q4的典型性能曲线
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
80
V
CE
=300V
D=50%
.8
R
G
=1
T
J
=1
50°C
T
c
=85°C
60
40
20
HARD
开关
0
50
100
150
I
C
(A)
200
250
300
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4-7
APTGT200TL60G - REV0
0
2009年3月
APTGT200TL60G
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
400
350
300
T
J
=150°C
T
J
= 150°C
V
GE
=19V
400
350
300
I
C
(A)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1
T
J
=25°C
250
I
C
(A)
200
150
100
50
0
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
1.5
V
CE
(V)
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
400
350
300
250
I
C
(A)
200
150
100
50
0
5
Transfert特点
14
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
12
10
E（兆焦耳）
8
6
4
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.8
T
J
= 150°C
EOFF
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
J
=25°C
2
0
11
12
0
50
宙
6
7
8
9
10
100 150 200 250 300 350 400
I
C
(A)
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
14
12
10
E（兆焦耳）
I
C
(A)
8
6
4
2
0
0
2.5
5
7.5
10
12.5
栅极电阻（欧姆）
15
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 200A
T
J
= 150°C
宙
EOFF
反向偏置安全工作区
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300 400
V
CE
(V)
500
600
700
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=1.8
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.25
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.2
0.7
0.15
0.1
0.05
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
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APTGT200TL60G - REV0
0
0.00001
2009年3月
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