APTGT200SK60T
降压斩波
沟道+场截止IGBT
电源模块
VBUS
Q1
G1
NT C2
V
CES
= 600V
I
C
= 200A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射,方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
好处
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
E1
OUT
0 / VBU一举两得
0 / VBU S
NT C1
0/VBUS
SENSE
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
E1
G1
0/VBUS
SENSE
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 150°C
反向偏置安全工作区
400A @ 550V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1-5
APTGT200SK60T - 牧师0
2005年5月
最大额定值
600
290
200
400
±20
625
单位
V
A
V
W
APTGT200SK60T
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 200A
T
j
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
1.5
1.7
5.8
最大
250
1.9
6.5
400
单位
A
V
V
nA
5.0
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关( 25 ° C)
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 200A
R
G
= 5
电感式开关( 150 ° C)
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 200A
R
G
= 5
民
典型值
12.3
0.8
0.4
115
45
225
55
130
50
300
70
3.5
7
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F( A V )
V
F
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
民
600
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
占空比为50%
I
F
= 200A
V
GE
= 0V
I
F
= 200A
V
R
= 300V
的di / dt = 2200A / μs的
200
1.6
1.5
130
225
9
19
2
V
ns
C
2005年5月
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APTGT200SK60T - 牧师0
APTGT200SK60T
温度传感器NTC
(见www.advancedpower.com应用指南APT0406了解更多信息) 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1 1
R
T
:热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T:热敏电阻温度
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.24
0.4
175
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
散热器来
M5
2500
-40
-40
-40
1.5
包装外形
(单位:mm )
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APTGT200SK60T - 牧师0
2005年5月
APTGT200SK60T
典型性能曲线
400
350
300
I
C
(A)
输出特性(Ⅴ
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
输出特性
400
350
300
I
C
(A)
T
J
= 150°C
V
GE
=19V
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1
T
J
=25°C
T
J
=150°C
250
200
150
100
50
0
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
1.5
V
CE
(V)
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
400
350
300
Transfert特点
14
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
12
10
E(兆焦耳)
8
6
4
Er
宙
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
T
J
= 150°C
EOFF
宙
250
I
C
(A)
200
150
100
50
0
5
6
7
8
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
J
=25°C
2
0
11
12
0
50
9
10
100 150 200 250 300 350 400
I
C
(A)
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
24
20
E(兆焦耳)
16
12
8
4
0
0
5
10
15
20
25
30
栅极电阻(欧姆)
35
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 200A
T
J
= 150°C
反向偏置安全工作区
500
宙
400
EOFF
EOFF
宙
Er
I
C
(A)
300
200
100
0
0
100
200
300 400
V
CE
(V)
500
600
700
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=5
最大有效瞬态热阻抗,结到脉冲宽度
0.25
热阻抗( ℃/ W)
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
0.7
IGBT
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
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APTGT200SK60T - 牧师0
2005年5月
0.5
APTGT200SK60T
工作频率与集电极电流
最大频率,工作频率(kHz )
120
100
80
ZVS
ZCS
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=5
T
J
=150°C
二极管的正向特性
400
350
300
250
I
C
(A)
200
150
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
c
=85°C
60
40
20
0
0
50
100
150
I
C
(A)
200
250
HARD
开关
100
50
0
0
T
J
=25°C
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗,结到脉冲宽度
0.45
热阻抗( ℃/ W)
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.7
0.5
0.9
二极管
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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APT保留更改的权利,恕不另行通知,规格和信息,这里包含
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