APTGT200DU60TG
双共源
沟道+场截止IGBT
电源模块
C1
Q1
G1
C2
V
CES
= 600V
I
C
= 200A @ T = 80℃
应用
AC开关
开关电源
不间断电源
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
好处
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
符合RoHS
最大额定值
600
290
200
400
±20
625
400A @ 550V
单位
V
A
2006年6月，
1-6
APTGT200DU60TG - 版本1
Q2
G2
E1
E2
NTC1
E
NTC2
G2
E2
C2
C1
E
C2
E1
G1
E2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 150°C
V
W
反向偏置安全工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGT200DU60TG
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1 1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.24
0.4
175
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M5
2500
-40
-40
-40
2.5
SP4封装外形
（单位：mm ）
所有尺寸注明" * "如TOLERENCED ：
请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上www.microsemi.com
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3-6
APTGT200DU60TG - 版本1
2006年6月，
APTGT200DU60TG
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
400
350
300
I
C
(A)
T
J
=150°C
T
J
= 150°C
V
GE
=19V
400
350
300
I
C
(A)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1
T
J
=25°C
250
200
150
100
50
0
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
1.5
V
CE
(V)
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
400
350
300
Transfert特点
14
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
12
10
E（兆焦耳）
8
6
4
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 2
T
J
= 150°C
EOFF
250
I
C
(A)
200
150
100
50
0
5
6
7
8
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
J
=25°C
Er
2
0
11
12
0
50
宙
9
10
100 150 200 250 300 350 400
I
C
(A)
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
16
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 200A
T
J
= 150°C
反向偏置安全工作区
500
400
12
E（兆焦耳）
EOFF
宙
8
I
F
(A)
300
200
4
宙
Er
100
0
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=2
0
0
2
4
6
8
10
12
栅极电阻（欧姆）
14
0
100
200
300 400
V
CE
(V)
500
600
700
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.25
热阻抗（ ℃/ W）
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
IGBT
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
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4-6
APTGT200DU60TG - 版本1
2006年6月，
APTGT200DU60TG
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
I
C
(A)
200
250
HARD
开关
ZCS
ZVS
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=2
T
J
=150°C
二极管的正向特性
400
350
300
250
I
C
(A)
200
150
100
50
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
c
=85°C
T
J
=25°C
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.45
热阻抗（ ℃/ W）
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.7
0.5
0.9
二极管
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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5-6
APTGT200DU60TG - 版本1
2006年6月，
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