APTGT150DA170D1
沟道IGBT
电源模块
升压斩波
V
CES
= 1700V
I
C
= 150A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
低杂散电感
高集成度
开尔文射，方便车道
低杂散电感
- M5电源连接器
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
3
Q2
6
7
1
2
3
4
5
7
6
2
1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
V
W
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1-3
APTGT150DA170D1 - 牧师0
300A@1600V
2004年1月，
连续集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
最大额定值
1700
280
150
300
±20
780
单位
V
A
APTGT150DA170D1
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
零栅极电压集电极电流
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
符号
C
IES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
关闭
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 4毫安
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 6毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 10
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 10
民
1700
典型值
最大
4
2.4
6.4
200
单位
V
mA
V
V
nA
5.2
2.0
2.4
5.8
动态特性
特征
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭能源
民
典型值
13
0.45
280
100
850
120
330
100
1000
200
47
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
F
E
r
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复能量
反向恢复电荷
测试条件
I
F
= 150A
V
GE
= 0V
I
F
= 150A
V
R
= 900V
的di / dt = 900A / μs的
I
F
= 150A
V
R
= 900V
的di / dt = 900A / μs的
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
1.8
1.9
17.5
35
37.5
62.5
最大
2.2
单位
V
mJ
C
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，
我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
对于终端
安装力矩
散热器来
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.16
0.25
150
125
125
3.5
5
180
单位
° C / W
3500
-40
-40
-40
2
3
V
°C
牛米
g
M5
M6
APT网站 - http://www.advancedpower.com
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APTGT150DA170D1 - 牧师0
2004年1月，
APTGT150DA170D1
包装外形
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息，这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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2004年1月，
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沟道IGBT
电源模块
升压斩波
V
CES
= 1700V
I
C
= 150A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
低杂散电感
高集成度
开尔文射，方便车道
低杂散电感
- M5电源连接器
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
3
Q2
6
7
1
2
3
4
5
7
6
2
1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
V
W
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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300A@1600V
2004年1月，
连续集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
最大额定值
1700
280
150
300
±20
780
单位
V
A
APTGT150DA170D1
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
零栅极电压集电极电流
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
符号
C
IES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
关闭
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 4毫安
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 6毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 10
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 10
民
1700
典型值
最大
4
2.4
6.4
200
单位
V
mA
V
V
nA
5.2
2.0
2.4
5.8
动态特性
特征
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭能源
民
典型值
13
0.45
280
100
850
120
330
100
1000
200
47
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
F
E
r
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复能量
反向恢复电荷
测试条件
I
F
= 150A
V
GE
= 0V
I
F
= 150A
V
R
= 900V
的di / dt = 900A / μs的
I
F
= 150A
V
R
= 900V
的di / dt = 900A / μs的
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
1.8
1.9
17.5
35
37.5
62.5
最大
2.2
单位
V
mJ
C
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，
我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
对于终端
安装力矩
散热器来
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.16
0.25
150
125
125
3.5
5
180
单位
° C / W
3500
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-40
-40
2
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°C
牛米
g
M5
M6
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2004年1月，
APTGT150DA170D1
包装外形
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息，这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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