APTGT150A120D1G
相脚
沟道+场截止IGBT
电源模块
Q1
4
5
Q2
6
7
3
V
CES
= 1200V
I
C
= 150A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
沟道+场站IGBT技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
高集成度
M5电源连接器
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
符合RoHS
1
2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
1200
220
150
300
±20
690
300A @ 1100V
单位
V
A
2009年12月，
1-4
APTGT150A120D1G - 版本1
V
W
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTGT150A120D1G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
对于终端
散热器来
M5
M6
IGBT
二极管
4000
-40
-40
-40
2
3
民
典型值
最大
0.18
0.34
150
125
125
3.5
5
180
单位
° C / W
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
V
°C
牛米
g
D1封装外形
（单位：mm ）
典型性能曲线
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
50
40
ZCS
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=4.7
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
300
250
200
I
F
(A)
150
100
T
J
=125°C
30
20
10
0
10
50
ZVS
HARD
开关
50
0
90
130
I
C
(A)
170
210
0
T
J
=125°C
T
J
=25°C
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.35
热阻抗（ ℃/ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
二极管
0
0.00001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
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3-4
APTGT150A120D1G - 版本1
2009年12月，
APTGT150A120D1G
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
300
250
T
J
=125°C
300
250
I
C
(A)
T
J
=25°C
T
J
= 125°C
V
GE
=17V
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
200
I
C
(A)
200
150
100
50
0
150
100
50
0
0
1
2
V
CE
(V)
3
4
0
1
2
V
CE
(V)
3
4
300
250
200
I
C
(A)
150
100
50
0
5
6
Transfert特点
60
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.7
T
J
= 125°C
50
40
T
J
=125°C
EOFF
宙
E（兆焦耳）
30
20
ERR
T
J
=125°C
10
0
7
8
9
10
11
12
0
50
100
V
GE
(V)
宙
150
I
C
(A)
200
250
300
开关损耗VS栅极电阻
50
40
E（兆焦耳）
30
20
10
0
4
8
12
16
20
24
28
栅极电阻（欧姆）
32
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 150A
T
J
= 125°C
反向偏置安全工作区
350
宙
EOFF
300
250
I
C
(A)
200
150
100
ERR
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=4.7
宙
50
0
0
400
800
V
CE
(V)
1200
1600
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.2
热阻抗（ ℃/ W）
0.16
0.12
0.08
0.04
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
IGBT
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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APTGT150A120D1G - 版本1
2009年12月，
QQ：2880707522 复制
