APTGT100SK120D1G

降压斩波

沟道+场截止IGBT

电源模块

Q1

4

5

3

V

CES

= 1200V

I

C

= 100A @ T = 80℃

应用

AC和DC电机控制

开关电源

特点

沟道+场站IGBT技术

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达20 kHz的

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

开尔文射，方便车道

高集成度

M5电源连接器

好处

突出表现在高频率

手术

稳定的温度特性

很皮实

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC

符合RoHS

1

2

绝对最大额定值

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

T

C

= 25°C

T

C

= 80°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

j

= 125°C

最大额定值

1200

150

100

200

±20

520

200A@1100V

单位

V

A

V

W

2009年12月，

1-4

APTGT100SK120D1G - 版本1

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGT100SK120D1G

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ON）的

V

GE （日）

I

GES

零栅极电压集电极电流

集电极发射极电压上

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

T

j

= 25°C

V

GE

= 15V

I

C

= 100A

T

j

= 125°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 4毫安

V

GE

= 20V, V

CE

= 0V

民

1.4

5.0

典型值

1.7

2.0

5.8

最大

3

2.1

6.5

300

单位

mA

V

V

nA

动态特性

符号

C

IES

C

OES

C

水库

Q

G

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

I

sc

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

短路数据

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GE

= ± 15V ，我

C

=100A

V

CE

=600V

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 100A

R

G

= 7.5Ω

电感式开关（ 125°C ）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 100A

R

G

= 7.5Ω

V

GE

= ±15V

T

j

= 125°C

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 100A

T

j

= 125°C

R

G

= 7.5Ω

V

GE

≤15V

; V

公共汽车

= 900V

t

p

≤

为10μs ;牛逼

j

= 125°C

民

典型值

7

0.4

0.33

950

250

90

550

130

300

100

650

180

7.5

mJ

17.5

400

A

ns

最大

单位

nF

nC

ns

菜刀二极管额定值和特性

符号特性

V

RRM

最大峰值重复反向电压

I

RRM

I

F

V

F

t

rr

Q

rr

E

rr

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复能量

I

F

= 100A

V

R

= 600V

I

F

= 100A

V

GE

= 0V

测试条件

V

R

=1200V

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

TC = 80℃

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

的di / dt = 2000A / μs的

民

1200

典型值

最大

250

500

单位

V

A

A

2009年12月，

2-4

APTGT100SK120D1G - 版本1

100

1.6

1.6

170

280

9

18

5

9

2.1

V

ns

C

mJ

www.Microsemi.com

APTGT100SK120D1G

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

对于终端

散热器来

M5

M6

IGBT

二极管

4000

-40

-40

-40

2

3

民

典型值

最大

0.24

0.48

150

125

125

3.5

5

180

单位

° C / W

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

V

°C

牛米

g

D1封装外形

（单位：mm ）

典型性能曲线

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

50

40

ZCS

V

CE

=600V

D=50%

R

G

=7.5

T

J

=125°C

T

C

=75°C

二极管的正向特性

200

150

I

C

(A)

30

ZVS

100

20

10

0

0

20

40

60

80

I

C

(A)

100

120

140

HARD

开关

50

T

J

=125°C

T

J

=25°C

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

V

F

(V)

2

2.4

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.5

热阻抗（ ℃/ W）

0.9

0.4

0.3

0.2

0.1

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

0.0001

0.001

单脉冲

二极管

0

0.00001

0.01

0.1

1

10

矩形脉冲持续时间（秒）

www.Microsemi.com

3-4

APTGT100SK120D1G - 版本1

2009年12月，

APTGT100SK120D1G

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

输出特性

200

T

J

= 125°C

V

GE

=17V

V

GE

=13V

V

GE

=15V

200

T

J

=25°C

T

J

=125°C

150

I

C

(A)

150

I

C

(A)

100

100

V

GE

=9V

50

50

0

0

1

2

V

CE

(V)

3

4

0

0

1

2

V

CE

(V)

能量损失VS集电极电流

35

T

J

=25°C

3

4

200

Transfert特点

30

T

J

=125°C

150

E（兆焦耳）

I

C

(A)

25

20

15

10

5

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

R

G

= 7.5

T

J

= 125°C

EOFF

宙

100

ERR

50

0

5

6

7

8

9

10

11

12

V

GE

(V)

开关损耗VS栅极电阻

35

30

25

E（兆焦耳）

20

15

10

5

0

0

8

16

24

32

40

栅极电阻（欧姆）

48

ERR

V

CE

= 600V

V

GE

=15V

I

C

= 100A

T

J

= 125°C

宙

EOFF

0

0

25

50

75

100 125 150 175 200

I

C

(A)

反向偏置安全工作区

240

200

160

I

C

(A)

120

80

40

0

0

400

800

V

CE

(V)

1200

1600

V

GE

=15V

T

J

=125°C

R

G

=7.5

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.25

热阻抗（ ℃/ W）

0.9

0.2

0.15

0.1

0.05

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

0

0.00001

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

1

10

IGBT

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。

www.Microsemi.com

4-4

APTGT100SK120D1G - 版本1

矩形脉冲持续时间（秒）

2009年12月，