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APTGT100H170G
全 - 桥
沟道+场截止IGBT
电源模块
VBUS
Q1
G1
Q3
G3
V
CES
= 1700V
I
C
= 100A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
符合RoHS
E1
OUT1 OUT2
E3
Q2
G2
Q4
G4
E2
E4
0/VBUS
OUT1
G1
E1
VBUS
0/VBUS
G2
E2
E3
G3
OUT2
E4
G4
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
反向偏置安全工作区
200A @ 1600V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1-5
APTGT100H170G - 版本1
2006年7月
最大额定值
1700
150
100
200
±20
560
单位
V
A
V
W
APTGT100H170G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
2.0
2.4
5.8
最大
350
2.4
6.5
500
单位
A
V
V
nA
5.0
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 100A
R
G
= 4.7
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 100A
R
G
= 4.7
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 100A
T
j
= 125°C
R
G
= 4.7
民
典型值
9
0.36
0.3
370
40
650
180
400
50
800
300
32
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
31
二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
r
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1700
典型值
最大
350
600
单位
V
A
A
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
V
R
=1700V
I
F
= 100A
100
1.8
1.9
385
490
28
46
12
24
2.2
V
ns
C
mJ
2006年7月
2-5
APTGT100H170G - 版本1
I
F
= 100A
V
R
= 900V
的di / dt = 1600A / μs的
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APTGT100H170G
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
热和包装特点
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.22
0.39
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
3500
-40
-40
-40
3
2
SP6封装外形
（单位：mm ）
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3-5
APTGT100H170G - 版本1
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上
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2006年7月
APTGT100H170G
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
200
T
J
= 125°C
160
I
C
(A)
120
V
GE
=13V
V
GE
=20V
200
175
150
I
C
(A)
T
J
=25°C
125
100
75
50
25
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5
V
CE
(V)
3
3.5
4
T
J
=125°C
80
40
0
0
1
2
V
GE
=15V
V
GE
=9V
3
V
CE
(V)
4
5
Transfert特点
200
175
150
E（兆焦耳）
125
I
C
(A)
100
75
50
25
0
5
6
7
8
9
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
100
87.5
75
E（兆焦耳）
62.5
50
37.5
25
12.5
0
0
5
10 15 20 25 30 35
栅极电阻（欧姆）
40
Er
EOFF
能量损失VS集电极电流
100
V
CE
= 900V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.7
T
J
= 125°C
宙
T
J
=25°C
80
T
J
=125°C
60
40
20
0
EOFF
Er
T
J
=125°C
10
11
12
13
0
25
50
75 100 125 150 175 200
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
250
V
CE
= 900V
V
GE
=15V
I
C
= 100A
T
J
= 125°C
宙
200
I
C
(A)
150
100
50
0
0
400
800
1200
1600
2000
V
CE
(V)
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=4.7
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.25
热阻抗（ ℃/ W）
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.00001
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
IGBT
矩形脉冲持续时间（秒）
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4-5
APTGT100H170G - 版本1
2006年7月
APTGT100H170G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
25
20
ZVS
V
CE
=900V
D=50%
R
G
=4.7
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
200
175
150
125
I
F
(A)
100
75
50
T
J
=125°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
15
10
5
0
0
20
40
60
80
I
C
(A)
ZCS
HARD
开关
25
0
100
120
140
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.4
热阻抗（ ℃/ W）
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.1
0.05
0
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.5
0.3
0.9
0.7
二极管
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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5-5
APTGT100H170G - 版本1
2006年7月
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AT28C04E-15JC
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