APTGT100DA170T
升压斩波
沟道+场截止IGBT
电源模块
VB美国SENS ê
VBUS
NT C2
V
CES
= 1700V
I
C
= 100A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
好处
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
CR1
OUT
Q2
G2
E2
0 / VBU S
NT C1
G2
E2
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
VBUS
SENSE
E2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
1700
150
100
200
±20
560
200A @ 1600V
单位
V
2005年5月
1-5
APTGT100DA170T - 牧师0
A
V
W
反向偏置安全工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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APTGT100DA170T
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
5.0
民
典型值
2.0
2.4
5.8
最大
350
2.4
6.5
500
单位
A
V
V
nA
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 100A
R
G
= 4.7
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 100A
R
G
= 4.7
民
典型值
9
0.36
0.3
370
40
650
180
400
50
800
300
32
31
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F（ A V ）
V
F
t
rr
Q
rr
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1700
典型值
最大
350
600
单位
V
A
A
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
R
=1700V
占空比为50％
I
F
= 100A
I
F
= 100A
V
R
= 900V
的di / dt = 1600A / μs的
100
1.8
1.9
385
490
28
46
2.2
V
ns
C
2005年5月
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2-5
APTGT100DA170T - 牧师0
APTGT100DA170T
温度传感器NTC
（见www.advancedpower.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1 1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.22
0.39
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M5
3400
-40
-40
-40
1.5
包装外形
（单位：mm ）
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APTGT100DA170T - 牧师0
2005年5月
APTGT100DA170T
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
200
T
J
= 125°C
160
I
C
(A)
120
V
GE
=13V
V
GE
=20V
200
175
150
I
C
(A)
T
J
=25°C
125
100
75
50
25
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V
CE
(V)
3
3.5
4
T
J
=125°C
80
40
0
0
1
2
V
GE
=15V
V
GE
=9V
3
V
CE
(V)
4
5
200
175
150
Transfert特点
100
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
V
CE
= 900V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.7
T
J
= 125°C
宙
80
E（兆焦耳）
T
J
=125°C
125
I
C
(A)
100
75
50
25
0
5
6
7
8
9
V
GE
(V)
10
T
J
=125°C
60
40
EOFF
Er
Er
20
0
11
12
13
0
25
50
75 100 125 150 175 200
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
250
开关损耗VS栅极电阻
100
87.5
75
E（兆焦耳）
62.5
50
37.5
25
12.5
0
0
5
10 15 20 25 30 35
栅极电阻（欧姆）
40
Er
EOFF
V
CE
= 900V
V
GE
=15V
I
C
= 100A
T
J
= 125°C
宙
200
I
C
(A)
150
100
50
0
0
400
800
1200
1600
2000
V
CE
(V)
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=4.7
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.25
热阻抗（ ℃/ W）
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.00001
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
IGBT
矩形脉冲持续时间（秒）
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APTGT100DA170T - 牧师0
2005年5月
APTGT100DA170T
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
I
C
(A)
100
120
140
HARD
开关
ZVS
ZCS
V
CE
=900V
D=50%
R
G
=4.7
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
200
175
150
125
I
C
(A)
100
75
50
25
0
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
T
J
=125°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.4
热阻抗（ ℃/ W）
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
0.5
0.3
0.9
0.7
二极管
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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5-5
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2005年5月
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