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APTGL90H120T3G

全桥

沟道+场截止IGBT 4

电源模块

13 14

CES

= 1200V

= 90A @ T = 80℃

应用

焊接器

开关电源

不间断电源

电机控制

特点

沟道+场站IGBT 4技术

- 低电压降

- 低漏电流

- 低开关损耗

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

- 对称设计

开尔文射，方便车道

极低的杂散电感

高集成度

内部热敏电阻的温度监测

好处

突出表现在高频率

手术

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

低调

由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC

每条腿可以很容易地并联以实现阶段

电流能力的两倍的腿

符合RoHS

最大额定值

1200

110

150

±20

385

150A @ 1150V

单位

2009年5月

1-5

APTGL90H120T3G - 牧师0

CR1

CR3

CR4

CR2

28 27 26 25

23 22

20 19 18

10 11 12

所有的多路输入和输出必须短接在一起

例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...

绝对最大额定值

符号

CES

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

= 25°C

= 80°C

= 25°C

= 150°C

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGL90H120T3G

所有评级@ T

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

CES

CE （ SAT ）

GE （日）

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

= 0V, V

= 1200V

= 25°C

= 15V

= 75A

= 150°C

= V

, I

= 3毫安

= 20V, V

= 0V

民

典型值

1.85

2.25

5.8

最大

250

2.25

6.5

600

单位

5.0

动态特性

符号特性

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

D（上）

D（关闭）

关闭

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

短路数据

测试条件

= 0V

= 25V

F = 1MHz的

= ±15V ; V

=600V

=75A

电感式开关（ 25 ° C）

= ±15V

公共汽车

= 600V

= 75A

= 2.2Ω

电感式开关（ 150 ° C）

= ±15V

公共汽车

= 600V

= 75A

= 2.2Ω

= 25°C

= ±15V

公共汽车

= 600V

= 150°C

= 75A

= 25°C

= 2.2Ω

= 150°C

≤15V

; V

公共汽车

= 900V

≤10s

; T

= 150°C

民

典型值

4.4

0.29

0.24

0.57

130

300

150

350

3.4

8.5

4.2

7.2

300

最大

单位

反向二极管额定值和特性

符号

RRM

特征

最大峰值重复反向电压

测试条件

=1200V

= 75A

= 0V

= 25°C

TC = 80℃

= 25°C

= 150°C

= 25°C

= 75A

= 600V

= 150°C

= 25°C

= 150°C

= 25°C

= 150°C

民

1200

典型值

最大

250

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复能量

1.7

1.65

155

300

7.3

15.2

2.6

5.5

单位

2009年5月

2-5

APTGL90H120T3G - 牧师0

2.2

的di / dt = 1900A / μs的

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APTGL90H120T3G

热和包装特点

符号特性

thJC

ISOL

英镑

力矩

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

2500

-40

2.5

民

典型值

最大

0.39

0.62

175

125

100

4.7

110

单位

° C / W

°C

牛米

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息）。

符号

25/85

B/B

特征

电阻@ 25°C

= 298.15 K

=100°C

EXP

25 / 85

T：热敏电阻温度

：热敏电阻在T值

民

典型值

3952

最大

单位

kΩ

SP3封装外形

（单位：mm ）

请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块

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3-5

APTGL90H120T3G - 牧师0

2009年5月

APTGL90H120T3G

典型性能曲线

150

125

=25°C

输出特性（Ⅴ

=15V)

输出特性

150

125

100

(A)

= 150°C

=19V

=15V

(A)

100

=150°C

(V)

能量损失VS集电极电流

= 600V

= 15V

= 2.2

= 150°C

=9V

150

125

100

(A)

Transfert特点

=25°C

E（兆焦耳）

宙

(V)

开关损耗VS栅极电阻

宙

EOFF

宙

=150°C

(A)

100

125

150

反向偏置安全工作区

160

E（兆焦耳）

EOFF

(A)

= 600V

=15V

= 75A

= 150°C

120

=15V

=150°C

=2.2

栅极电阻（欧姆）

300

600

900

(V)

1200

1500

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.4

热阻抗（ ℃/ W）

0.9

0.7

0.5

0.3

IGBT

0.3

0.2

0.1

0.05

单脉冲

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

矩形脉冲持续时间（秒）

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4-5

APTGL90H120T3G - 牧师0

2009年5月

APTGL90H120T3G

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

100

(A)

100

120

HARD

开关

二极管的正向特性

，正向电流（ A）

=600V

D=50%

=2.2

=150°C

Tc=75°C

150

125

100

0.5

=150°C

=25°C

ZCS

ZVS

1.5

2.5

，阳极到阴极电压（V）

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.7

热阻抗（ ℃/ W）

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.3

0.1

0.05

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

0.9

0.7

0.5

二极管

0.00001

以秒为单位的矩形脉冲持续时间

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

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