APTGL120TDU120TPG

三重双共源

沟道+场截止IGBT 4

电源模块

V

CES

= 1200V

I

C

= 120A @ T = 80℃

应用

AC开关

开关电源

不间断电源

特点

沟道+场站IGBT 4技术

- 低电压降

- 低漏电流

- 低开关损耗

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

- 对称设计

开尔文射，方便车道

极低的杂散电感

- 对称设计

- 用于电源连接引线架

高集成度

内部热敏电阻的温度监测

C1

C3

C5

G1

NTC1

NTC2

E1/E2

E1

E2

G2

E3/E4

G3

E3

E4

G4

E5/E6

G5

E5

E6

G6

C2

C4

C6

好处

突出表现在高频率

手术

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

低调

符合RoHS

绝对最大额定值

T

c

= 25°C

T

c

= 80°C

T

c

= 25°C

T

c

= 25°C

T

j

= 150°C

2010年3月

1-5

APTGL120TDU120TPG - 版本1

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

最大额定值

1200

140

120

200

±20

517

200A @ 1150V

单位

V

A

V

W

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGL120TDU120TPG

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

T

j

= 25°C

V

GE

= 15V

I

C

= 100A

T

j

= 150°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 3.4毫安

V

GE

= 20V, V

CE

= 0V

民

典型值

1.8

2.15

5.8

最大

250

2.15

6.5

600

单位

A

V

V

nA

5.2

动态特性

符号特性

C

IES

C

OES

C

水库

Q

G

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

I

sc

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

短路数据

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GE

= ±15V ; V

CE

=600V

I

C

=100A

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 100A

R

G

= 7.5Ω

电感式开关（ 150 ° C）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 100A

R

G

= 7.5Ω

T

J

= 25°C

V

GE

= ±15V

T

J

= 150°C

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 100A

T

J

= 25°C

R

G

= 7.5Ω

T

J

= 150°C

V

GE

≤15V

; V

公共汽车

= 900V

t

p

≤10s

; T

j

= 150°C

民

典型值

6.2

0.4

0.35

0.85

130

20

300

45

150

35

350

80

5

10.5

5.5

9.5

400

ns

最大

单位

nF

C

ns

mJ

mJ

A

菜刀二极管额定值和特性

符号

V

RRM

I

RM

I

F

V

F

t

rr

Q

rr

E

rr

特征

最大峰值重复反向电压

测试条件

V

R

=1200V

I

F

= 100A

V

GE

= 0V

T

j

= 25°C

TC = 80℃

T

j

= 25°C

T

j

= 150°C

T

j

= 25°C

T

j

= 150°C

T

j

= 25°C

T

j

= 150°C

T

j

= 25°C

T

j

= 150°C

民

1200

典型值

最大

250

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复能量

的di / dt = 2400A / μs的

20

3.4

8

mJ

www.Microsemi.com

2-5

APTGL120TDU120TPG - 版本1

I

F

= 100A

V

R

= 600V

300

9.3

ns

C

2010年3月

120

1.9

1.85

155

单位

V

A

A

V

2.4

APTGL120TDU120TPG

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

2500

-40

-40

-40

3

民

典型值

最大

0.29

0.5

175

125

100

5

250

单位

° C / W

V

°C

牛米

g

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

M6

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。

符号

R

25

R

25

/R

25

B

25/85

B/B

特征

电阻@ 25°C

T

25

= 298.15 K

T

C

=100°C

R

T

=

R

25

1

EXP

B

25 / 85

T

T

25

T：热敏电阻温度

1

R

T

：热敏电阻在T值

民

典型值

50

5

3952

4

最大

单位

kΩ

%

K

%

SP6 -P封装外形

（单位：mm ）

9地方（3： 1）

所有尺寸注明" * "如TOLERENCED ：

请参见应用笔记1902 - 安装说明书SP6 -P （ 12毫米）电源模块上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

3-5

APTGL120TDU120TPG - 版本1

2010年3月

APTGL120TDU120TPG

典型性能曲线

200

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

输出特性

200

T

J

= 150°C

150

I

C

(A)

T

J

=25°C

T

J

=150°C

V

GE

=19V

V

GE

=15V

150

I

C

(A)

100

100

V

GE

=9V

50

50

0

0

1

2

V

CE

(V)

Transfert特点

T

J

=25°C

0

3

4

0

1

2

V

CE

(V)

能量损失VS集电极电流

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

R

G

= 7.5

T

J

= 150°C

宙

3

4

200

40

150

I

C

(A)

E（兆焦耳）

30

100

T

J

=150°C

20

ERR

EOFF

50

10

0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

V

GE

(V)

开关损耗VS栅极电阻

20

V

CE

= 600V

V

GE

=15V

I

C

= 100A

T

J

= 150°C

宙

0

0

50

100

I

C

(A)

反向偏置安全工作区

240

200

160

I

C

(A)

EOFF

150

200

15

E（兆焦耳）

10

ERR

120

80

40

V

GE

=15V

T

J

=150°C

R

G

=7.5

5

0

0

10

20

30

栅极电阻（欧姆）

40

0

0

300

600

900

V

CE

(V)

1200

1500

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.3

热阻抗（ ℃/ W）

0.25

0.7

0.2

0.15

0.1

0.05

0.5

0.3

0.1

0.05

单脉冲

0

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

矩形脉冲持续时间（秒）

www.Microsemi.com

4-5

APTGL120TDU120TPG - 版本1

2010年3月

0.9

IGBT

APTGL120TDU120TPG

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

180

150

120

90

60

30

0

0

25

50

75

I

C

(A)

100

125

150

HARD

开关

ZCS

ZVS

V

CE

=600V

D=50%

R

G

=7.5

T

J

=150°C

Tc=75°C

二极管的正向特性

200

150

I

F

(A)

100

50

T

J

=150°C

T

J

=25°C

0

0

0.4

0.8

1.2

V

F

(V)

1.6

2

2.4

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.6

热阻抗（ ℃/ W）

二极管

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.9

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

1

10

0

0.00001

以秒为单位的矩形脉冲持续时间

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。

www.Microsemi.com

5-5

APTGL120TDU120TPG - 版本1

2010年3月