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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第457页 > APTGF90TDU60PG
APTGF90TDU60PG
三重双共源
V
CES
= 600V
I
C
= 90A @ T = 80℃
应用
AC开关
开关电源
不间断电源
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100kHz
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
非常低的（12毫米）简介
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
每条腿可以很容易地并联，以实现双
三倍的共同源配置
电流能力
符合RoHS
最大额定值
600
110
90
315
±20
416
200A @ 600V
单位
V
A
V
W
2006年7月
1-6
APTGF90TDU60PG - 版本1
NPT IGBT功率模块
C1
C3
C5
G1
G3
G5
E1
E1/E2
E3
E3/E4
E5
E5/E6
E2
E4
E6
G2
C2
G4
C4
G6
C6
C1
C3
C5
G1
E1/E2
E1
E2
G2
E3/E4
G3
E3
E4
G4
E5/E6
G5
E5
E6
G6
C2
C4
C6
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
反向偏置安全工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTGF90TDU60PG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V
T
j
= 25°C
V
CE
= 600V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 90A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0V
民
典型值
最大
250
500
2.5
5
±150
单位
A
V
V
nA
2.0
2.2
3
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 90A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 90A
R
G
= 5
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 90A
R
G
= 5
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 90A
T
j
= 125°C
R
G
= 5
民
典型值
4300
470
400
330
290
200
26
25
150
30
26
25
170
40
4.3
最大
单位
pF
nC
ns
ns
mJ
3.5
二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 70℃
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
600
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
V
R
=600V
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
920
nC
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2-6
APTGF90TDU60PG - 版本1
I
F
= 60A
V
R
= 400V
的di / dt = 200A / μs的
130
170
220
ns
2006年7月
60
1.6
1.9
1.4
1.8
V
APTGF90TDU60PG
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
民
典型值
最大
0.3
0.9
150
125
100
5
250
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M6
SP6 -P封装外形
（单位：mm ）
5位（ 3 ： 1 ）
请参见应用笔记1902 - 安装说明书SP6 -P （ 12毫米）电源模块上
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3-6
APTGF90TDU60PG - 版本1
2006年7月
APTGF90TDU60PG
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
300
350
IC ，集电极电流（ A）
IC ，集电极电流（ A）
300
250
200
150
100
50
0
0
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=-55°C
250
200
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=25°C
150
100
T
J
=125°C
T
J
=125°C
50
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
4
0
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1
2
3
4
300
V
GE
，门到发射极电压（ V）
栅极电荷
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100 150 200 250
栅极电荷（ NC）
300
350
V
CE
=480V
I
C
= 90A
T
J
= 25°C
V
CE
=120V
V
CE
=300V
IC ，集电极电流（ A）
250
200
150
100
50
0
0
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
1
2 3
4
5 6
7
8
9
V
GE
，门到发射极电压（ V）
10
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
导通电压VS门到发射伏。
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
8
10
12
14
V
GE
，门到发射极电压（ V）
16
Ic=90A
Ic=45A
T
J
= 25°C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
Ic=180A
导通电压VS结温
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
集电极直流电流与外壳温度
140
120
100
80
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
Ic=45A
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
V
GE
= 15V
Ic=180A
Ic=90A
击穿电压VS结温。
集电极到发射极击穿
电压（归）
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
IC ， DC集电极电流（ A）
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4-6
APTGF90TDU60PG - 版本1
2006年7月
APTGF90TDU60PG
导通延迟时间与集电极电流
TD （上） ，导通延迟时间（纳秒）
TD （关） ，关断延迟时间（纳秒）
35
V
GE
= 15V
关断延迟时间与集电极电流
250
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
30
25
20
15
25
50
75
100
125
150
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流上升时间与集电极电流
80
V
CE
= 400V
R
G
= 5
TJ = 25°C
V
CE
= 400V
R
G
= 5
200
150
100
V
CE
= 400V
R
G
= 5
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
50
25
50
75
100
125
150
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流下降时间与集电极电流
V
CE
= 400V, V
GE
= 15V ，R
G
= 5
80
TR ，上升时间（纳秒）
TF ，下降时间（纳秒）
60
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
60
T
J
= 125°C
40
40
20
20
T
J
= 25°C
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
150
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
150
开启能量损耗VS集电极电流
E
关闭
，关断能量损失（兆焦耳）
8
E
on
，开启能量损失（兆焦耳）
6
5
4
3
2
1
0
关断能量损耗VS集电极电流
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
T
J
= 125°C
6
4
2
0
0
V
CE
= 400V
R
G
= 5
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
= 25°C
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
开关损耗VS栅极电阻
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
开关损耗VS结温。
开关损耗（兆焦耳）
16
开关损耗（兆焦耳）
10
V
CE
= 400V
EON， 180A
EOFF ， 180A
12
8
8
6
4
2
0
0
V
GE
= 15V
R
G
= 5
EON， 180A
EOFF ， 90A
EON， 90A
EOFF ， 45A
EOFF ， 180A
EON， 90A
EOFF ， 90A
EOFF ， 45A
EON， 45A
4
EON， 45A
0
0
10
20
30
40
50
栅极电阻（欧姆）
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
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5-6
APTGF90TDU60PG - 版本1
2006年7月
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