APTGF90DH60T3G

非对称 - 桥

NPT IGBT功率模块

13

14

V

CES

= 600V

I

C

= 90A @ T = 80℃

应用

焊接器

开关电源

开关磁阻电机驱动器

特点

非穿通（ NPT ） IGBT快速

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达100kHz

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

- 对称设计

开尔文射，方便车道

极低的杂散电感

高集成度

内部热敏电阻的温度监测

好处

突出表现在高频率

手术

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源和信号端子可焊

为便于PCB安装

低调

由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC

符合RoHS

Q1

CR1

18

CR3

22

19

23

7

8

Q4

CR2

CR4

4

3

29

15

30

31

32

16

R1

28 27 26 25

29

30

23 22

20 19 18

16

15

31

32

2

3

4

7

8

10 11 12

14

13

所有的多路输入和输出必须短接在一起

例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...

绝对最大额定值

T

c

= 25°C

T

c

= 80°C

T

c

= 25°C

T

c

= 25°C

T

j

= 150°C

2009年4月

1-5

APTGF90DH60T3G - 牧师0

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

最大额定值

600

110

90

200

±20

416

200A @ 600V

单位

V

A

V

W

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGF90DH60T3G

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V

T

j

= 25°C

V

GE

=15V

I

C

= 100A

T

j

= 125°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 1.5毫安

V

GE

= 20V, V

CE

= 0V

民

典型值

2

2.2

5.5

最大

250

2.5

6.5

400

单位

A

V

V

nA

4.5

动态特性

符号特性

C

IES

C

水库

Q

G

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

I

sc

输入电容

反向传输电容

栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

短路数据

测试条件

V

GE

= 0V ; V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GE

= 15V ; V

CE

=300V

I

C

=100A

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 300V

I

C

= 100A

R

G

= 2.2Ω

电感式开关（ 125°C ）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 300V

I

C

= 100A

R

G

= 2.2Ω

V

GE

= ±15V

T

j

= 125°C

V

公共汽车

= 300V

I

C

= 100A

T

j

= 125°C

R

G

= 2.2Ω

V

GE

≤15V

; V

公共汽车

= 360V

t

p

≤

为10μs ;牛逼

j

= 125°C

民

典型值

4.3

0.4

240

25

10

130

20

25

11

150

30

1

mJ

3

450

A

最大

单位

nF

nC

ns

ns

二极管额定值和特性（ CR2 & CR3 ）

符号特性

V

RRM

I

RM

I

F

V

F

t

rr

Q

rr

最大峰值重复反向电压

测试条件

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

TC = 80℃

I

F

= 100A

I

F

= 200A

I

F

= 100A

I

F

= 100A

V

R

= 400V

的di / dt = 200A / μs的

民

600

典型值

最大

100

500

单位

V

A

A

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

R

=600V

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

160

220

290

1530

ns

nC

CR1 & CR4只IGBT保护二极管

www.Microsemi.com

2-5

APTGF90DH60T3G - 牧师0

2009年4月

T

j

= 125°C

100

1.6

2

1.3

2

V

APTGF90DH60T3G

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。

符号

R

25

R

25

/R

25

B

25/85

B/B

特征

电阻@ 25°C

T

25

= 298.15 K

T

C

=100°C

R

T

=

R

25

1

1

R

T

：热敏电阻在T值

EXP

B

25 / 85

T

T

25

T：热敏电阻温度

民

典型值

50

5

3952

4

最大

单位

kΩ

%

K

%

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

2500

-40

-40

-40

2.5

民

典型值

最大

0.3

0.55

150

125

100

4.7

110

单位

° C / W

V

°C

牛米

g

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

M4

SP3封装外形

（单位：mm ）

1

12

请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块

www.Microsemi.com

3-5

APTGF90DH60T3G - 牧师0

2009年4月

17

28

APTGF90DH60T3G

典型性能曲线

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

输出特性

200

175

150

I

C

(A)

T

J

=125°C

T

J

= 125°C

V

GE

=15V

V

GE

=12V

200

160

I

C

(A)

T

J

=25°C

V

GE

=20V

120

80

40

0

0

0.5

1

1.5

2

V

CE

(V)

2.5

125

100

75

50

25

0

V

GE

=9V

3

3.5

0

1

2

3

V

CE

(V)

4

5

200

175

150

Transfert特点

5

4

E（兆焦耳）

3

2

1

0

5

6

7

8

9

10

11

12

0

能量损失VS集电极电流

V

CE

= 300V

V

GE

= 15V

R

G

= 2.2

T

J

= 125°C

EOFF

125

I

C

(A)

100

75

50

25

0

V

GE

(V)

开关损耗VS栅极电阻

3.5

3

2.5

E（兆焦耳）

EOFF

T

J

=125°C

T

J

=25°C

宙

25

50

75

100 125 150 175 200

I

C

(A)

250

200

I

C

(A)

150

100

宙

反向安全工作区

2

1.5

1

0.5

0

0

2

4

6

8

栅极电阻（欧姆）

10

V

CE

= 300V ; V

GE

=15V

I

C

= 100A ;牛逼

J

= 125°C

50

0

0

V

GE

=15V

T

J

=125°C

R

G

=2.2

100

200

300

V

CE

(V)

400

500

600

最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度

0.35

热阻抗（ ℃/ W）

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.9

0.5

0.3

0.1

0.05

0.0001

单脉冲

0.001

0.01

0.1

矩形脉冲持续时间（秒）

1

10

0

0.00001

www.Microsemi.com

4-5

APTGF90DH60T3G - 牧师0

2009年4月

0.7

IGBT

APTGF90DH60T3G

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

250

200

150

ZCS

V

CE

=300V

D=50%

R

G

=2.2

T

J

=125°C

T

C

=75°C

二极管的正向特性

200

150

T

J

=125°C

I

F

(A)

100

T

J

=25°C

100

50

0

0

25

50

75

I

C

(A)

100

125

150

HARD

开关

ZVS

50

0

0

0.3

0.6

0.9 1.2

V

F

(V)

1.5

1.8

2.1

0.6

热阻抗（ ℃/ W）

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.9

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度

二极管

单脉冲

0.0001

0.001

0.01

0.1

矩形脉冲持续时间（秒）

1

10

0

0.00001

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。

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5-5

APTGF90DH60T3G - 牧师0

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

2009年4月