APTGF75H120TG
全 - 桥
NPT IGBT功率模块
VBUS
Q1
Q3
V
CES
= 1200V
I
C
= 75A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
G1
G3
E1
Q2
OUT1
OUT2
Q4
E3
G2
G4
E2
NTC1
NTC2
E4
0/VBUS
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
低调
符合RoHS
最大额定值
1200
100
75
150
±20
500
150A @ 1200V
单位
V
APTGF75H120TG - 修订版2006年7月2日
G3
E3
G4
E4
OUT2
VBUS
0/VBUS
OUT1
E1
G1
E2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
A
V
W
反向偏置安全工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-5
APTGF75H120TG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
测试条件
民
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
3.2
3.9
4.5
典型值
最大
250
500
3.7
6.5
±500
单位
A
V
V
nA
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5毫安
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 7.5
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 7.5
V
GE
= ±15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
R
G
= 7.5
民
典型值
5.1
0.7
0.4
120
50
310
20
130
60
360
30
9
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
4
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
r
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
I
F
= 50A
V
R
= 600V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1200
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
V
ns
C
mJ
APTGF75H120TG - 修订版2006年7月2日
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
V
R
=1200V
I
F
= 50A
50
2.1
1.9
95
190
4.2
9
1.5
3
的di / dt = 1500A / μs的
www.Microsemi.com
2-5
APTGF75H120TG
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1 1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
热和包装特点
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.25
0.6
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M5
2500
-40
-40
-40
2.5
SP4封装外形
（单位：mm ）
ALL DIMENSIO NS注明" * "有T OLERENCED AS ：
请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
3-5
APTGF75H120TG - 修订版2006年7月2日
APTGF75H120TG
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
150
125
100
I
C
(A)
V
GE
=12V
T
J
= 125°C
V
GE
=20V
V
GE
=15V
150
125
I
C
(A)
T
J
=25°C
100
75
50
25
0
0
1
2
3
V
CE
(V)
4
5
6
T
J
=125°C
75
50
25
0
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
5
6
V
GE
=9V
Transfert特点
150
125
100
E（兆焦耳）
I
C
(A)
75
50
25
0
5
6
7
8
9
10
11
12
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
栅极电阻（欧姆）
60
70
EOFF
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
J
= 125°C
宙
T
J
=25°C
T
J
=125°C
能量损失VS集电极电流
28
24
20
16
12
8
4
0
0
25
50
75
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
175
150
125
I
C
(A)
100
75
50
25
0
0
300
600
900
1200
1500
V
CE
(V)
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=7.5
EOFF
Er
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 7.5
T
J
= 125°C
宙
100
125
150
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.3
热阻抗（ ℃/ W）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
IGBT
矩形脉冲持续时间（秒）
www.Microsemi.com
4-5
APTGF75H120TG - 修订版2006年7月2日
APTGF75H120TG
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
ZVS
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=7.5
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
125
100
75
50
25
0
T
J
=25°C
HARD
开关
I
C
(A)
ZCS
T
J
=125°C
20
40
60
I
C
(A)
80
100
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.7
热阻抗（ ℃/ W）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
二极管
0.9
0.7
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
www.Microsemi.com
5-5
APTGF75H120TG - 修订版2006年7月2日
APTGF75H120TG
全 - 桥
NPT IGBT功率模块
VBUS
Q1
Q3
V
CES
= 1200V
I
C
= 75A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
G1
G3
E1
Q2
OUT1
OUT2
Q4
E3
G2
G4
E2
NTC1
NTC2
E4
0/VBUS
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
低调
符合RoHS
最大额定值
1200
100
75
150
±20
500
150A @ 1200V
单位
V
A
V
W
G3
E3
G4
E4
OUT2
VBUS
0/VBUS
OUT1
E1
G1
E2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1-5
APTGF75H120TG - 修订版2006年1月1日
参数
集电极 - 发射极击穿电压
APTGF75H120TG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
测试条件
民
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
250
500
3.2
3.9
4.5
最大
单位
A
3.7
6.5
±500
V
V
nA
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5毫安
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 7.5
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 7.5
V
GE
= ±15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
R
G
= 7.5
民
典型值
5.1
0.7
0.4
120
50
310
20
130
60
360
30
9
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
4
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
E
r
t
rr
Q
rr
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
I
F
= 50A
V
R
= 600V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1200
典型值
最大
350
600
单位
V
A
A
V
mJ
ns
C
APTGF75H120TG - 修订版2006年1月1日
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复能量
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
R
=1200V
I
F
= 50A
50
2.1
1.9
3
95
190
4.2
9
的di / dt = 1500A / μs的
APT网站 - http://www.advancedpower.com
2-5
APTGF75H120TG
温度传感器NTC
（见www.advancedpower.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1 1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
热和包装特点
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.25
0.6
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M5
2500
-40
-40
-40
1.5
SP4封装外形
（单位：mm ）
所有尺寸注明" * "如TOLERENCED ：
APT网站 - http://www.advancedpower.com
3-5
APTGF75H120TG - 修订版2006年1月1日
APTGF75H120TG
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
150
125
T
J
=25°C
T
J
= 125°C
V
GE
=20V
V
GE
=12V
V
GE
=15V
150
125
I
C
(A)
100
I
C
(A)
100
75
50
T
J
=125°C
V
GE
=9V
75
50
25
0
0
1
2
3
V
CE
(V)
4
5
6
25
0
0
1
2
3
V
CE
(V)
能量损失VS集电极电流
28
24
20
E（兆焦耳）
16
12
8
EOFF
Er
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 7.5
T
J
= 125°C
4
5
6
150
125
100
I
C
(A)
75
50
25
0
5
6
Transfert特点
宙
T
J
=125°C
T
J
=25°C
4
0
0
25
50
75
I
C
(A)
100
7
8
9
10
11
12
125
150
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
栅极电阻（欧姆）
60
70
EOFF
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
J
= 125°C
宙
反向偏置安全工作区
175
150
125
I
C
(A)
100
75
50
25
0
0
300
600
900
1200
1500
V
CE
(V)
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=7.5
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.3
热阻抗（ ℃/ W）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
IGBT
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
4-5
APTGF75H120TG - 修订版2006年1月1日
0.7
APTGF75H120TG
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
125
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=7.5
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
100
75
50
25
0
T
J
=25°C
I
C
(A)
ZCS
ZVS
T
J
=125°C
HARD
开关
20
40
60
I
C
(A)
80
100
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.7
热阻抗（ ℃/ W）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
二极管
0.9
0.7
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息，这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
5-5
APTGF75H120TG - 修订版2006年1月1日
APTGF75H120TG
全 - 桥
NPT IGBT功率模块
VBUS
Q1
Q3
V
CES
= 1200V
I
C
= 75A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
G1
G3
E1
Q2
OUT1
OUT2
Q4
E3
G2
G4
E2
NTC1
NTC2
E4
0 / VBU S
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
低调
符合RoHS
G3
E3
G4
E4
OUT2
VBUS
0/VBUS
OUT1
E1
G1
E2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
最大额定值
1200
100
75
150
±20
500
150A @ 1200V
单位
V
A
V
W
APTGF75H120TG - 修订版2010年2月3日
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-5
APTGF75H120TG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5毫安
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
民
典型值
最大
250
500
3.7
6.5
±500
单位
A
V
V
nA
3.2
3.9
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
I
sc
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
短路数据
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= ± 15V ，我
C
=75A
V
CE
=600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 7.5Ω
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 7.5Ω
V
GE
= ±15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
R
G
= 7.5Ω
V
GE
≤15V
; V
公共汽车
= 900V
t
p
≤
为10μs ;牛逼
j
= 125°C
民
典型值
5.1
0.7
0.4
0.8
120
50
310
20
130
60
360
30
9
mJ
4
450
A
最大
单位
nF
C
ns
ns
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
r
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
I
F
= 50A
V
R
= 600V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1200
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
APTGF75H120TG - 修订版2010年2月3日
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
V
R
=1200V
50
2.1
1.9
95
190
4.2
9
1.5
3
I
F
= 50A
V
ns
C
mJ
的di / dt = 1500A / μs的
www.Microsemi.com
2-5
APTGF75H120TG
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号
R
25
R
25
/R
25
B
25/85
B/B
特征
电阻@ 25°C
T
25
= 298.15 K
T
C
=100°C
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
1
R
T
：热敏电阻在T值
民
典型值
50
5
3952
4
最大
单位
kΩ
%
K
%
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
4000
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.25
0.6
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M5
SP4封装外形
（单位：mm ）
所有尺寸注明" * "如TOLERENCED ：
请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
3-5
APTGF75H120TG - 修订版2010年2月3日
APTGF75H120TG
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
150
125
100
I
C
(A)
V
GE
=12V
T
J
= 125°C
V
GE
=20V
V
GE
=15V
150
125
I
C
(A)
T
J
=25°C
100
75
50
25
0
0
1
2
3
V
CE
(V)
4
5
6
T
J
=125°C
75
50
25
0
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
5
6
V
GE
=9V
150
125
100
Transfert特点
28
24
20
E（兆焦耳）
T
J
=125°C
能量损失VS集电极电流
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 7.5
T
J
= 125°C
宙
I
C
(A)
75
50
25
0
5
6
7
16
12
8
EOFF
Er
T
J
=25°C
4
0
0
25
50
75
I
C
(A)
100
8
9
10
11
12
125
150
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
栅极电阻（欧姆）
60
70
EOFF
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
J
= 125°C
宙
反向偏置安全工作区
175
150
125
I
C
(A)
100
75
50
25
0
0
300
600
900
1200
1500
V
CE
(V)
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=7.5
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.3
热阻抗（ ℃/ W）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
IGBT
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
www.Microsemi.com
4-5
APTGF75H120TG - 修订版2010年2月3日
APTGF75H120TG
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
I
C
(A)
60
80
100
HARD
开关
ZCS
ZVS
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=7.5
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
125
100
75
50
25
0
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
T
J
=25°C
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.7
热阻抗（ ℃/ W）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0.9
0.7
二极管
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
I
C
(A)
T
J
=125°C
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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QQ：2880707522 复制
