APTGF75DH120T
非对称 - 桥
NPT IGBT功率模块
VBUS
VBUS检测
Q1
G1
CR3
V
CES
= 1200V
I
C
= 75A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
E1
OUT1
UT2
Q4
G4
CR2
E4
0 / VBUS SENSE
NTC1
0/VBUS
NT C2
VBUS
SENSE
G4
E4
OUT2
VBUS
0/VBUS
OUT1
E1
G1
0/VBUS
SENSE
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
A
V
W
150A @ 1200V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1-5
APTGF75DH120T - 牧师2005年0月，
参数
集电极 - 发射极击穿电压
最大额定值
1200
100
75
150
±20
500
单位
V
APTGF75DH120T
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
测试条件
民
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
0.1
4
3.2
3.9
4.5
最大
2
3.7
6.5
±500
单位
mA
V
V
nA
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5毫安
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 7.5
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 7.5
民
典型值
5.1
0.7
0.4
120
50
310
20
130
60
360
30
9
4
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F（ A V ）
V
F
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 70℃
民
1200
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
V
R
=1200V
占空比为50％
I
F
= 100A
I
F
= 200A
I
F
= 100A
I
F
= 100A
V
R
= 800V
的di / dt = 200A / μs的
I
F
= 100A
V
R
= 800V
的di / dt = 200A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
100
2.0
2.3
1.8
420
580
1.2
5.3
2.5
V
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
ns
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反向恢复电荷
C
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APTGF75DH120T
温度传感器NTC
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
民
典型值
68
4080
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
1
R
T
：热敏电阻在T值
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
热和包装特点
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.25
0.6
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
2500
-40
-40
-40
散热器来
M5
包装外形
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3-5
APTGF75DH120T - 牧师2005年0月，
APTGF75DH120T
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
150
T
J
= 125°C
V
GE
=15V
V
GE
=20V
V
GE
=12V
150
125
100
I
C
(A)
T
J
=25°C
125
100
I
C
(A)
75
50
T
J
=125°C
75
50
25
0
0
1
2
3
V
CE
(V)
4
5
6
V
GE
=9V
25
0
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
5
6
Transfert特点
150
125
100
E（兆焦耳）
I
C
(A)
75
50
25
0
5
6
7
8
9
10
11
12
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
35
30
25
E（兆焦耳）
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
栅极电阻（欧姆）
60
70
EOFF
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
J
= 125°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
能量损失VS集电极电流
28
24
20
16
12
8
4
0
0
25
50
75
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
175
150
100
125
150
EOFF
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 7.5
T
J
= 125°C
宙
宙
125
I
C
(A)
100
75
50
25
0
0
300
600
900
1200
1500
V
CE
(V)
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=7.5
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.3
热阻抗（ ℃/ W）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.00001
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
IGBT
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APTGF75DH120T - 牧师2005年0月，
APTGF75DH120T
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
I
C
(A)
80
100
ZVS
HARD
开关
ZCS
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=7.5
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
T
J
=25°C
I
C
(A)
T
J
=125°C
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.7
热阻抗（ ℃/ W）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
二极管
0.9
0.7
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息，这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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