APTGF75DA60D1
升压斩波
NPT IGBT功率模块
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
V
CES
= 600V
I
C
= 75A @ T = 80℃
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
低杂散电感
- M5电源连接器
高集成度
3
4
5
7
6
2
1
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
V
W
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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APTGF75DA60D1 - 牧师0
150A@520V
， 2003年7月
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
最大额定值
600
100
75
187
±20
355
单位
V
A
APTGF75DA60D1
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
符号
C
IES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
关闭
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 500A
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
j
= 125°C
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1.5毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 75A
R
G
= 3
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 75A
R
G
= 3
民
600
典型值
最大
500
2.45
6.5
400
4.5
1
1
1.95
2.2
5.5
单位
V
A
mA
V
V
nA
动态特性
特征
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭能源
民
典型值
3300
300
65
20
155
20
65
25
170
35
2.4
最大
单位
pF
ns
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
F
E
R
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复能量
反向恢复电荷
测试条件
I
F
= 75A
V
GE
= 0V
I
F
= 75A
V
R
= 300V
的di / dt = 800A / μs的
I
F
= 75A
V
R
= 300V
的di / dt = 800A / μs的
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
1.25
1.2
2.3
5
8
最大
1.6
单位
V
mJ
C
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，
我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
对于终端
安装力矩
散热器来
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.35
0.66
150
125
125
3.5
5
180
单位
° C / W
2500
-40
-40
-40
2
3
V
°C
牛米
g
， 2003年7月
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M5
M6
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包装外形
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5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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