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APTGF50TL60T3G
三电平逆变器
NPT IGBT功率模块
V
CES
= 600V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
太阳能转换器
不间断电源
特点
非穿通( NPT ) IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100kHz
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射,方便车道
极低的杂散电感
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
符合RoHS
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如: 10/11/12 ; 7/8 ...
Q1到Q4绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
600
65
50
230
±20
250
100A @ 500V
单位
V
2009年3月
1-8
APTGF50TL60T3G - 牧师0
A
V
W
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGF50TL60T3G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
Q1到Q4电气特性
符号特性
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
典型值
最大
250
500
2.45
6
400
单位
A
V
V
nA
1.7
4
2.0
2.2
Q1到Q4的动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
on
E
关闭
I
sc
R
thJC
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
短路数据
结到外壳热阻
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 50A
电感式开关( 25 ° C)
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 50A
R
G
= 2.7Ω
电感式开关( 125°C )
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 50A
R
G
= 2.7Ω
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
R
G
= 2.7Ω
V
GE
≤15V
; V
公共汽车
= 360V
t
p
为10μs ;牛逼
j
= 125°C
典型值
2200
323
200
166
20
100
40
9
120
12
42
10
130
21
0.5
mJ
1
225
0.5
A
° C / W
最大
单位
pF
nC
ns
ns
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2-8
APTGF50TL60T3G - 牧师0
2009年3月
APTGF50TL60T3G
CR1到CR6二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
rr
R
thJC
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
结到外壳热阻
I
F
= 30A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 30A
V
R
= 400V
I
F
= 30A
V
R
= 400V
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
600
典型值
最大
25
500
30
1.8
2.2
1.5
25
160
35
480
0.6
1.2
2.2
V
ns
nC
mJ
° C / W
单位
V
A
A
的di / dt = 200A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
的di / dt = 1000A / μs的
温度传感器NTC
(见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息) 。
符号
R
25
R
25
/R
25
B
25/85
B/B
特征
电阻@ 25°C
T
25
= 298.15 K
T
C
=100°C
R
T
=
R
25
1
1
R
T
:热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T:热敏电阻温度
典型值
50
5
3952
4
最大
单位
%
K
%
热和包装特点
符号
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
150
125
100
4.7
110
单位
V
°C
牛米
g
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3-8
APTGF50TL60T3G - 牧师0
2009年3月
APTGF50TL60T3G
SP3封装外形
(单位:mm )
1
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
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4-8
APTGF50TL60T3G - 牧师0
2009年3月
17
12
28
APTGF50TL60T3G
Q1到Q4的典型性能曲线
输出特性(Ⅴ
GE
=15V)
输出特性(Ⅴ
GE
=10V)
100
IC ,集电极电流( A)
250μs的脉冲测试
< 0.5 %占空比
100
IC ,集电极电流( A)
250μs的脉冲测试
< 0.5 %占空比
75
T
J
=25°C
75
T
J
=25°C
50
T
J
=125°C
50
T
J
=125°C
25
25
0
0
1
2
3
4
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
传输特性
100
V
GE
,门到发射极电压( V)
0
0
1
2
3
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
栅极电荷
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
V
CE
=120V
V
CE
=300V
V
CE
=480V
4
18
250μs的脉冲测试
< 0.5 %占空比
IC ,集电极电流( A)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
75
50
T
J
=125°C
25
T
J
=25°C
0
0
1
2
3
4 5
6 7
8
9
V
GE
,门到发射极电压( V)
10
25
50
75
100 125 150 175 200
栅极电荷( NC)
集电极直流电流与外壳温度
击穿电压VS结温。
集电极到发射极击穿
电压(归)
1.20
IC , DC集电极电流( A)
25
50
75
100
125
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
1.10
1.00
0.90
0.80
T
J
,结温( ° C)
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5-8
APTGF50TL60T3G - 牧师0
2009年3月
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    -
    -
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