APTGF50TDU120PG
三重双共源
V
CES
= 1200V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
AC开关
开关电源
不间断电源
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
非常低的（12毫米）简介
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
每条腿可以很容易地并联，以实现双
三倍的共同源配置
电流能力
符合RoHS
最大额定值
1200
75
50
150
±20
312
100A @ 1200V
单位
V
A
V
W
APTGF50TDU120PG - 修订版2006年7月1日
NPT IGBT功率模块
C1
C3
C5
G1
G3
G5
E1
E1/E2
E3
E3/E4
E5
E5/E6
E2
E4
E6
G2
C2
G4
C4
G6
C6
C1
C3
C5
G1
E1/E2
E1
E2
G2
E3/E4
G3
E3
E4
G4
E5/E6
G5
E5
E6
G6
C2
C4
C6
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1-7
APTGF50TDU120PG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V
T
j
= 25°C
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0V
民
典型值
最大
250
500
3.7
6.5
100
单位
A
V
V
nA
3.2
4.0
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
V
GE
= ±15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
R
G
= 5
民
典型值
3450
330
220
330
35
200
35
65
320
30
35
65
360
40
6.9
最大
单位
pF
nC
ns
ns
mJ
3.05
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
测试条件
V
R
=1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 70℃
民
1200
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 60A
V
R
= 800V
的di / dt = 200A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
400
470
1200
4000
ns
nC
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2-7
APTGF50TDU120PG - 修订版2006年7月1日
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
T
j
= 125°C
60
2.0
2.3
1.8
2.5
V
APTGF50TDU120PG
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
民
典型值
最大
0.4
0.9
150
125
100
5
250
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M6
SP6 -P封装外形
（单位：mm ）
5解放军CES （ 3 ： 1 ）
请参见应用笔记1902 - 安装说明书SP6 -P （ 12毫米）电源模块上www.microsemi.com
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3-7
APTGF50TDU120PG - 修订版2006年7月1日
APTGF50TDU120PG
典型性能曲线
200
IC ，集电极电流（ A）
160
120
80
40
0
0
2
4
6
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
V
GE
，门到发射极电压（ V）
8
T
J
=125°C
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°C
50
IC ，集电极电流（ A）
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°C
40
30
20
T
J
=125°C
10
0
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
4
300
IC ，集电极电流（ A）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
V
CE
=600V
250
200
150
100
50
0
0
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
V
CE
=240V
T
J
=25°C
V
CE
=960V
T
J
=125°C
T
J
=25°C
4
8
12
V
GE
，门到发射极电压（ V）
导通电压VS门到发射伏。
T
J
= 25°C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
16
250
300
350
栅极电荷（ NC）
导通电压VS结温
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
9
6
5
4
3
2
1
0
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
Ic=25A
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
V
GE
= 15V
Ic=100A
Ic=50A
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
击穿电压VS结温。
16
集电极到发射极击穿电压
（归一化）
1.20
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
-50
-25
0
25
50
75 100
T
J
，结温（ ° C）
125
IC ， DC集电极电流（ A）
90
80
70
50
40
30
20
10
0
60
集电极直流电流与外壳温度
1.15
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
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4-7
APTGF50TDU120PG - 修订版2006年7月1日
APTGF50TDU120PG
导通延迟时间与集电极电流
TD （上） ，导通延迟时间（纳秒）
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
GE
= 15V
关断延迟时间与集电极电流
TD （关） ，关断延迟时间（纳秒）
45
400
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
40
350
35
300
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
CE
= 600V
R
G
= 5
30
250
25
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流上升时间与集电极电流
200
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流下降时间与集电极电流
180
V
CE
= 600V
R
G
= 5
50
TR ，上升时间（纳秒）
TF ，下降时间（纳秒）
140
40
T
J
= 125°C
100
V
GE
=15V
30
T
J
= 25°C
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V ，R
G
= 5
60
20
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
20
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
EON，开启能量损耗（兆焦耳）
24
20
16
12
8
4
0
0
V
CE
= 600V
R
G
= 5
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
EOFF ，关断能量损失（兆焦耳）
28
开启能量损耗VS集电极电流
关断能量损耗VS集电极电流
8
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
T
J
= 125°C
6
4
T
J
= 25°C
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
2
0
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
开关损耗（兆焦耳）
开关损耗（兆焦耳）
开关损耗VS栅极电阻
18
8
开关损耗VS结温。
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
EON， 50A
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
EON， 50A
6
EOFF ， 50A
EON， 25A
4
EOFF ， 50A
EON， 25A
EOFF ， 25A
2
EOFF ， 25A
0
10
20
30
40
栅极电阻（欧姆）
50
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
www.Microsemi.com
5-7
APTGF50TDU120PG - 修订版2006年7月1日
QQ：2881677436 复制
