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APTGF50A120T1G
相脚
NPT IGBT功率模块
5
Q1
7
8
Q2
CR2
9
10
1
2
12
3
4
NTC
6
11
V
CES
= 1200V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
CR1
管脚1/2 ; 3/4 ; 5/6必须短接在一起
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
最大额定值
1200
75
50
150
±20
312
100A @ 1200V
单位
V
2007年8月，
1–6
APTGF50A120T1G - 牧师0
A
V
W
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGF50A120T1G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0V
民
典型值
最大
250
500
3.7
6.5
100
单位
A
V
V
nA
3.2
4.0
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
V
GE
= ±15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
R
G
= 5
民
典型值
3450
330
220
330
35
200
35
65
320
30
35
65
360
40
6.9
mJ
3.05
最大
单位
pF
nC
ns
ns
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1200
典型值
最大
150
600
单位
V
A
A
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
V
R
=1200V
60
2.6
3.2
1.8
300
380
720
3400
3.1
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
nC
www.Microsemi.com
2–6
APTGF50A120T1G - 牧师0
I
F
= 60A
V
R
= 800V
的di / dt = 400A / μs的
ns
2007年8月，
V
APTGF50A120T1G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.4
0.65
150
125
100
4.7
80
单位
° C / W
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
V
°C
牛米
g
散热器来
M4
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
25
T
T：热敏电阻温度
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
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3–6
APTGF50A120T1G - 牧师0
2007年8月，
APTGF50A120T1G
典型性能曲线
160
IC ，集电极电流（ A）
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
40
IC ，集电极电流（ A）
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°C
120
T
J
=25°C
T
J
=125°C
30
80
20
T
J
=125°C
40
10
0
0
2
4
6
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
V
GE
，门到发射极电压（ V）
8
0
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
350
栅极电荷（ NC）
导通电压VS结温
Ic=100A
Ic=50A
V
CE
=960V
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
V
CE
=240V
V
CE
=600V
4
250
IC ，集电极电流（ A）
200
150
100
50
0
0
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
4
8
12
V
GE
，门到发射极电压（ V）
导通电压VS门到发射伏。
T
J
= 25°C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
16
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
9
6
5
4
3
2
1
0
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
V
GE
= 15V
Ic=25A
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
击穿电压VS结温。
16
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
集电极到发射极击穿电压
（归一化）
1.20
IC ， DC集电极电流（ A）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
70
60
50
40
30
20
10
0
集电极直流电流与外壳温度
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
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4–6
APTGF50A120T1G - 牧师0
2007年8月，
APTGF50A120T1G
导通延迟时间与集电极电流
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
GE
= 15V
关断延迟时间与集电极电流
TD （关） ，关断延迟时间（纳秒）
TD （上） ，导通延迟时间（纳秒）
45
400
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
40
350
35
300
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
CE
= 600V
R
G
= 5
30
250
25
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流上升时间与集电极电流
180
V
CE
= 600V
R
G
= 5
200
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流下降时间与集电极电流
50
125
TR ，上升时间（纳秒）
TF ，下降时间（纳秒）
140
40
T
J
= 125°C
100
V
GE
=15V
30
T
J
= 25°C
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V ，R
G
= 5
60
20
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
20
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
EON，开启能量损耗（兆焦耳）
24
20
16
12
8
4
0
0
V
CE
= 600V
R
G
= 5
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
EOFF ，关断能量损失（兆焦耳）
28
开启能量损耗VS集电极电流
8
关断能量损耗VS集电极电流
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
T
J
= 125°C
6
4
T
J
= 25°C
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
2
0
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
开关损耗（兆焦耳）
开关损耗VS栅极电阻
18
开关损耗（兆焦耳）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
栅极电阻（欧姆）
50
EOFF ， 25A
EON， 25A
EON， 50A
EOFF ， 50A
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
8
开关损耗VS结温。
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
EON， 50A
6
4
EOFF ， 50A
2
EON， 25A
EOFF ， 25A
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
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APTGF50A120T1G - 牧师0
2007年8月，
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AB-33Y6-24V-E12
ACH25
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