APTGF50A120T
相脚
NPT IGBT功率模块
VBUS
NTC2
V
CES
= 1200V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
·
焊接器
·
开关电源
·
不间断电源
·
电机控制
特点
·
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
·
开尔文射，方便车道
·
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
·
内部热敏电阻的温度监测
·
高集成度
好处
·
突出表现在高频率
手术
·
稳定的温度特性
·
很皮实
·
直接安装到散热器（独立包装）
·
超低的结到外壳热阻
·
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
·
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
·
低调
Q1
G1
E1
OUT
Q2
G2
E2
0 / VBU S
NTC1
G2
E2
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
E1
G1
E2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
最大额定值
1200
75
50
150
±20
312
150A @ 1200V
单位
V
A
V
W
APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1-6
APTGF50A120T
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 500 A
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= ±20 V, V
CE
= 0V
民
1200
典型值
最大
500
2500
3.7
6.5
100
单位
V
A
V
V
nA
3.2
4.0
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
u
关断开关能量
v
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
u
关断开关能量
v
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
W
民
典型值
3450
330
220
330
35
200
35
65
320
30
5.4
2.3
35
65
360
40
6.9
3.05
最大
单位
pF
nC
ns
mJ
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
W
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
最大平均正向电流
I
F（ AV ）
V
F
二极管的正向电压
测试条件
占空比为50％
民
TC = 70℃
Q
rr
反向恢复电荷
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1320
6900
nC
u
E
on
包括二极管的反向恢复
v
按照JEDEC标准JESD24-1
APT网站 - http://www.advancedpower.com
2-6
APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
t
rr
反向恢复时间
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 60A
V
R
= 800V
的di / dt = 400A / μs的
I
F
= 60A
V
R
= 800V
的di / dt = 400A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
60
2.0
2.3
1.8
370
500
最大
2.5
单位
A
V
ns
APTGF50A120T
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，
我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
散热器来
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
M5
150
125
100
4.7
160
民
典型值
最大
0.4
0.65
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
温度传感器NTC
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
R
T
=
R
25
T：热敏电阻温度
民
典型值
68
4080
最大
单位
kW
K
é
1 1
ù
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
ê
B
25 / 85
T
-
T
÷ú
÷
è
25
包装外形
APT网站 - http://www.advancedpower.com
3-6
APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
APTGF50A120T
典型性能曲线
200
IC ，集电极电流（ A）
160
120
80
40
0
0
2
4
6
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
V
GE
，门到发射极电压（ V）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
350
栅极电荷（ NC）
导通电压VS结温
6
5
4
3
2
1
0
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
Ic=25A
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
V
GE
= 15V
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
50
IC ，集电极电流（ A）
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°C
40
30
20
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=125°C
10
0
8
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
V
CE
=240V
V
CE
=600V
4
300
IC ，集电极电流（ A）
250
200
150
100
50
0
0
V
CE
=960V
T
J
=125°C
T
J
=25°C
4
8
12
V
GE
，门到发射极电压（ V）
导通电压VS门到发射伏。
T
J
= 25°C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
16
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
9
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
9
Ic=100A
Ic=50A
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
击穿电压VS结温。
16
集电极到发射极击穿电压
（归一化）
1.20
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
IC ， DC集电极电流（ A）
1.15
90
80
70
60
40
30
20
10
0
50
集电极直流电流与外壳温度
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
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4-6
APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
APTGF50A120T
导通延迟时间与集电极电流
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
GE
= 15V
TD （关） ，关断延迟时间（纳秒）
TD （上） ，导通延迟时间（纳秒）
45
关断延迟时间与集电极电流
400
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
40
350
35
300
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
30
250
25
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流上升时间与集电极电流
180
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
CE
= 600V
R
G
= 5
200
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流下降时间与集电极电流
50
TR ，上升时间（纳秒）
TF ，下降时间（纳秒）
140
40
T
J
= 125°C
100
V
GE
=15V
30
T
J
= 25°C
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V ，R
G
= 5
20
60
20
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
EON，开启能量损耗（兆焦耳）
24
20
16
12
8
4
0
0
V
CE
= 600V
R
G
= 5
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
EOFF ，关断能量损失（兆焦耳）
28
开启能量损耗VS集电极电流
8
关断能量损耗VS集电极电流
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
T
J
= 125°C
6
4
T
J
= 25°C
2
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
0
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
开关损耗（兆焦耳）
开关损耗VS栅极电阻
18
开关损耗（兆焦耳）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
栅极电阻（欧姆）
50
EOFF ， 25A
EON， 25A
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
8
开关损耗VS结温。
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
EON， 50A
6
EON， 50A
EOFF ， 50A
4
EOFF ， 50A
2
EON， 25A
EOFF ， 25A
0
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
APT网站 - http://www.advancedpower.com
5-6
APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
APTGF50A120T
相脚
NPT IGBT功率模块
VBUS
NTC2
V
CES
= 1200V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
·
焊接器
·
开关电源
·
不间断电源
·
电机控制
特点
·
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
·
开尔文射，方便车道
·
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
·
内部热敏电阻的温度监测
·
高集成度
好处
·
突出表现在高频率
手术
·
稳定的温度特性
·
很皮实
·
直接安装到散热器（独立包装）
·
超低的结到外壳热阻
·
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
·
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
·
低调
Q1
G1
E1
OUT
Q2
G2
E2
0 / VBU S
NTC1
G2
E2
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
E1
G1
E2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
最大额定值
1200
75
50
150
±20
312
150A @ 1200V
单位
V
A
V
W
APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1-6
APTGF50A120T
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 500 A
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= ±20 V, V
CE
= 0V
民
1200
典型值
最大
500
2500
3.7
6.5
100
单位
V
A
V
V
nA
3.2
4.0
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
u
关断开关能量
v
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
u
关断开关能量
v
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
W
民
典型值
3450
330
220
330
35
200
35
65
320
30
5.4
2.3
35
65
360
40
6.9
3.05
最大
单位
pF
nC
ns
mJ
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
W
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
最大平均正向电流
I
F（ AV ）
V
F
二极管的正向电压
测试条件
占空比为50％
民
TC = 70℃
Q
rr
反向恢复电荷
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1320
6900
nC
u
E
on
包括二极管的反向恢复
v
按照JEDEC标准JESD24-1
APT网站 - http://www.advancedpower.com
2-6
APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
t
rr
反向恢复时间
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 60A
V
R
= 800V
的di / dt = 400A / μs的
I
F
= 60A
V
R
= 800V
的di / dt = 400A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
60
2.0
2.3
1.8
370
500
最大
2.5
单位
A
V
ns
APTGF50A120T
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，
我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
散热器来
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
M5
150
125
100
4.7
160
民
典型值
最大
0.4
0.65
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
温度传感器NTC
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
R
T
=
R
25
T：热敏电阻温度
民
典型值
68
4080
最大
单位
kW
K
é
1 1
ù
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
ê
B
25 / 85
T
-
T
÷ú
÷
è
25
包装外形
APT网站 - http://www.advancedpower.com
3-6
APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
APTGF50A120T
典型性能曲线
200
IC ，集电极电流（ A）
160
120
80
40
0
0
2
4
6
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
V
GE
，门到发射极电压（ V）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
350
栅极电荷（ NC）
导通电压VS结温
6
5
4
3
2
1
0
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
Ic=25A
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
V
GE
= 15V
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
50
IC ，集电极电流（ A）
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°C
40
30
20
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=125°C
10
0
8
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
V
CE
=240V
V
CE
=600V
4
300
IC ，集电极电流（ A）
250
200
150
100
50
0
0
V
CE
=960V
T
J
=125°C
T
J
=25°C
4
8
12
V
GE
，门到发射极电压（ V）
导通电压VS门到发射伏。
T
J
= 25°C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
16
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
9
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
9
Ic=100A
Ic=50A
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
击穿电压VS结温。
16
集电极到发射极击穿电压
（归一化）
1.20
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
IC ， DC集电极电流（ A）
1.15
90
80
70
60
40
30
20
10
0
50
集电极直流电流与外壳温度
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
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4-6
APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
APTGF50A120T
导通延迟时间与集电极电流
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
GE
= 15V
TD （关） ，关断延迟时间（纳秒）
TD （上） ，导通延迟时间（纳秒）
45
关断延迟时间与集电极电流
400
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
40
350
35
300
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
30
250
25
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流上升时间与集电极电流
180
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
CE
= 600V
R
G
= 5
200
0
25
50
75
100
125
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流下降时间与集电极电流
50
TR ，上升时间（纳秒）
TF ，下降时间（纳秒）
140
40
T
J
= 125°C
100
V
GE
=15V
30
T
J
= 25°C
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V ，R
G
= 5
20
60
20
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
EON，开启能量损耗（兆焦耳）
24
20
16
12
8
4
0
0
V
CE
= 600V
R
G
= 5
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
EOFF ，关断能量损失（兆焦耳）
28
开启能量损耗VS集电极电流
8
关断能量损耗VS集电极电流
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
T
J
= 125°C
6
4
T
J
= 25°C
2
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
0
0
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
25
50
75
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
125
开关损耗（兆焦耳）
开关损耗VS栅极电阻
18
开关损耗（兆焦耳）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
栅极电阻（欧姆）
50
EOFF ， 25A
EON， 25A
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
8
开关损耗VS结温。
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
EON， 50A
6
EON， 50A
EOFF ， 50A
4
EOFF ， 50A
2
EON， 25A
EOFF ， 25A
0
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
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APTGF50A120T - 修订版2004年3月1日
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