APTGF350DU60G
双共源
NPT IGBT功率模块
V
CES
= 600V
I
C
= 350A @ T = 80℃
应用
AC开关
开关电源
不间断电源
Q2
G2
C1
Q1
G1
C2
E1
E2
E
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100kHz
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
符合RoHS
最大额定值
600
430
350
1225
±20
1562
800A @ 600V
单位
V
A
V
W
G1
E1
C1
E
C2
E2
G2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
反向偏置安全工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1-6
APTGF350DU60G - 修订版2006年7月2日
APTGF350DU60G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
测试条件
民
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.0
2.2
3
典型值
最大
200
1750
2.5
5
±300
典型值
17.2
1.88
1.6
1320
1160
800
26
25
150
30
26
25
170
40
17.2
14
mJ
最大
单位
A
V
V
nA
单位
nF
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 360A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 4毫安
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 360A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 360A
R
G
= 1.25
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 360A
R
G
= 1.25
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 400V
I
C
= 360A
T
j
= 125°C
R
G
= 1.25
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
I
F
= 400A
I
F
= 800A
I
F
= 400A
I
F
= 400A
V
R
= 400V
的di / dt = 800A / μs的
动态特性
民
nC
ns
ns
二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
最大峰值重复反向电压
民
600
典型值
最大
750
1500
单位
V
A
A
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
V
R
=600V
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
180
220
1560
5800
ns
nC
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2-6
APTGF350DU60G - 修订版2006年7月2日
T
j
= 125°C
400
1.6
1.9
1.4
1.8
V
APTGF350DU60G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
民
典型值
最大
0.08
0.16
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
SP6封装外形
（单位：mm ）
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
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3-6
APTGF350DU60G - 修订版2006年7月2日
APTGF350DU60G
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
1200
IC ，集电极电流（ A）
1000
800
600
T
J
=125°C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
1200
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=-55°C
IC ，集电极电流（ A）
1000
800
T
J
=25°C
600
400
200
0
T
J
=125°C
400
200
0
0
1
2
3
4
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
4
V
GE
，门到发射极电压（ V）
1200
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
栅极电荷（ NC）
V
CE
=480V
I
C
= 360A
T
J
= 25°C
V
CE
=120V
V
CE
=300V
IC ，集电极电流（ A）
1000
800
600
400
200
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
0
0
1
2 3 4 5 6 7 8 9
V
GE
，门到发射极电压（ V）
10
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
导通电压VS门到发射伏。
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
8
10
12
14
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
击穿电压VS结温。
Ic=180A
Ic=360A
T
J
= 25°C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
导通电压VS结温
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
集电极直流电流与外壳温度
Ic=180A
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
V
GE
= 15V
Ic=360A
Ic=720A
Ic=720A
集电极到发射极击穿
电压（归）
1.20
500
IC ， DC集电极电流（ A）
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
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4-6
APTGF350DU60G - 修订版2006年7月2日
APTGF350DU60G
导通延迟时间与集电极电流
TD （上） ，导通延迟时间（纳秒）
TD （关） ，关断延迟时间（纳秒）
35
250
关断延迟时间与集电极电流
30
V
GE
= 15V
200
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
25
TJ = 25°C
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
150
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
20
100
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
15
100
200
300
400
500
600
50
100
200
300
400
500
600
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流上升时间与集电极电流
80
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流下降时间与集电极电流
80
TR ，上升时间（纳秒）
TF ，下降时间（纳秒）
60
60
T
J
= 125°C
40
40
T
J
= 25°C
20
20
V
CE
= 400V, V
GE
= 15V ，R
G
= 1.25
0
100
200
300
400
500
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
600
0
100
200
300
400
500
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
600
开启能量损耗VS集电极电流
32
E
on
，开启能量损失（兆焦耳）
E
关闭
，关断能量损失（兆焦耳）
24
20
16
12
8
4
关断能量损耗VS集电极电流
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.25
T
J
= 125°C
24
16
8
0
100
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
= 25°C
200
300
400
500
600
0
100
200
300
400
500
600
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
开关损耗VS栅极电阻
64
开关损耗（兆焦耳）
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
EON， 720A
EOFF ， 720A
EOFF ， 360A
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
开关损耗VS结温。
开关损耗（兆焦耳）
40
32
24
16
8
EOFF ， 180A
EON， 360A
EOFF ， 360A
EON， 180A
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.25
EON， 720A
48
EOFF ， 720A
32
EON， 360A
EOFF ， 180A
16
EON， 180A
0
0
2
4
6
8
10
栅极电阻（欧姆）
12
0
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
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5-6
APTGF350DU60G - 修订版2006年7月2日
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