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APTGF330A60D3G
相脚
NPT IGBT功率模块
V
CES
= 600V
I
C
= 330A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
高集成度
M6电源连接器
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
Q1
4
5
Q2
6
7
3
1
2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
600
520
330
800
±20
1560
800A @ 520V
单位
V
2008年9月，
1-5
APTGF330A60D3G - 版本1
A
V
W
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
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APTGF330A60D3G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 400A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 7.5毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
1.95
2.2
5.8
最大
500
2.45
6.5
1200
单位
A
V
V
nA
5.0
动态特性
符号特性
C
IES
输入电容
C
水库
反向传输电容
Q
G
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
I
sc
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
短路数据
测试条件
V
GE
= 0V ; V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= 15V ，我
C
=400A
V
CE
=300V
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 400A
R
G
= 8Ω
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 400A
R
G
= 8Ω
V
GE
= ±15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 400A
T
j
= 125°C
R
G
= 8Ω
V
GE
≤15V
; V
公共汽车
= 360V
t
p
≤
为10μs ;牛逼
j
= 125°C
民
典型值
18
1.6
1.3
150
72
530
40
160
75
550
50
18
mJ
17
1800
A
ns
最大
单位
nF
C
ns
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RRM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
rr
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
I
F
= 400A
V
R
= 300V
I
F
= 400A
V
GE
= 0V
测试条件
V
R
= 600V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
600
典型值
最大
750
1000
400
1.25
1.2
150
250
27
44
5.6
9.2
1.6
单位
V
A
A
V
2008年9月，
2-5
APTGF330A60D3G - 版本1
ns
C
mJ
的di / dt = 4400A / μs的
www.Microsemi.com
APTGF330A60D3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
对于终端
散热器来
M6
M6
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
3
民
典型值
最大
0.08
0.15
150
125
125
5
5
350
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
D3封装外形
（单位：mm ）
1°
A
细节
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3-5
APTGF330A60D3G - 版本1
2008年9月，
APTGF330A60D3G
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
800
T
J
= 125°C
V
GE
=15V
V
GE
=12V
800
T
J
=25°C
600
I
C
(A)
I
C
(A)
T
J
=125°C
600
V
GE
=20V
400
400
V
GE
=9V
200
200
0
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
0
0
1
2
3
V
CE
(V)
4
5
800
Transfert特点
40
30
E（兆焦耳）
20
10
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 8
T
J
= 125°C
宙
600
I
C
(A)
EOFF
400
T
J
=125°C
200
ERR
0
5
6
7
8
9
10
11
12
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
50
40
E（兆焦耳）
30
20
10
0
0
10
20
30
栅极电阻（欧姆）
40
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 400A
T
J
= 125°C
宙
0
0
200
400
I
C
(A)
600
800
1000
800
EOFF
反向安全工作区
I
C
(A)
600
400
200
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=8
ERR
0
0
100
200
300
V
CE
(V)
400
500
600
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.09
热阻抗（ ℃/ W）
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0.00001
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
www.Microsemi.com
4-5
APTGF330A60D3G - 版本1
2008年9月，
IGBT
APTGF330A60D3G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
I
C
(A)
400
500
0
0
0.3
0.6
0.9
V
F
(V)
1.2
1.5
HARD
开关
ZVS
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=8
T
J
=125°C
T
C
=75°C
ZCS
二极管的正向特性
800
600
I
F
(A)
400
T
J
=125°C
200
T
J
=25°C
0.1
热阻抗（ ℃/ W）
0.08
0.06
0.04
0.02
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
二极管
单脉冲
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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5-5
APTGF330A60D3G - 版本1
2008年9月，
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AME8501BEETBF18
ADM1810
AP139-33W
AD587JQ
AAT3516IGV-2.80-B-B-T1
ADN2873ACPZ
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