【APTGF30H60T1G全 - 桥NPT IGBT功率模块3Q156Q271Q4CR2 CR494】,IC型号APTGF30H60T1G,APTGF30H60T1G PDF资料,APTGF30H60T1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

APTGF30H60T1G

全 - 桥

NPT IGBT功率模块

3

Q1

5

6

Q2

7

1

Q4

CR2 CR4

9

4

Q3

CR1 CR3

2

V

CES

= 600V

I

C

= 30A @ T = 80℃

应用

焊接器

开关电源

不间断电源

电机控制

特点

非穿通（ NPT ） IGBT快速

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达100kHz

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

极低的杂散电感

- 对称设计

内部热敏电阻的温度监测

高集成度

好处

突出表现在高频率运行

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

低调

每条腿可以很容易地并联以实现阶段

电流能力的两倍的腿

符合RoHS

8

11

NTC

10

12

3/4引脚必须短接在一起

绝对最大额定值

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

T

C

= 25°C

T

C

= 80°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

j

= 125°C

最大额定值

600

42

30

100

±20

140

60A@500V

APTGF30H60T1G - 牧师0

单位

V

2007年8月，

1–6

A

V

W

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGF30H60T1G

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ON）的

V

GE （日）

I

GES

符号

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

零栅极电压集电极电流

集电极发射极电压上

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门 - 发射极电荷

门 - 集电极费

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 600V

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

V

GE

=15V

I

C

= 30A

T

j

= 125°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 1毫安

V

GE

= 20V, V

CE

= 0V

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GE

= 15V

V

公共汽车

= 300V

I

C

=30A

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= 15V

V

公共汽车

= 400V

I

C

= 30A

R

G

= 6.8

电感式开关（ 125°C ）

V

GE

= 15V

V

公共汽车

= 400V

I

C

= 30A

R

G

= 6.8

V

GE

= 15V

T

j

= 125°C

V

公共汽车

= 400V

I

C

= 30A

T

j

= 125°C

R

G

= 6.8

民

典型值

最大

250

500

2.45

6

400

典型值

1350

193

120

99

10

60

30

12

80

15

32

12

90

21

0.3

mJ

0.8

最大

单位

A

V

nA

单位

pF

1.7

4

2.0

2.2

动态特性

民

nC

ns

反向二极管额定值和特性

符号特性

V

RRM

I

RM

I

F

V

F

最大峰值重复反向电压

测试条件

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

TC = 80℃

I

F

= 25A

I

F

= 50A

I

F

= 25A

I

F

= 25A

V

R

= 400V

的di / dt = 200A / μs的

民

600

典型值

最大

25

500

单位

V

A

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

V

R

=600V

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

t

rr

Q

rr

反向恢复时间

反向恢复电荷

30

175

55

485

ns

nC

www.Microsemi.com

2–6

APTGF30H60T1G - 牧师0

2007年8月，

25

1.8

2.2

1.6

2.2

V

APTGF30H60T1G

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

2500

-40

2.5

民

典型值

最大

0.9

1.4

150

125

100

4.7

80

单位

° C / W

V

°C

牛米

g

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

M4

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息）。

符号特性

R

25

电阻@ 25°C

B

25/85

T

25

= 298.15 K

R

T

=

R

25

1

R

T

：热敏电阻在T值

EXP

B

25 / 85

T

25

T

T：热敏电阻温度

民

典型值

50

3952

最大

单位

k

K

SP1程序包大纲

（单位：mm ）

请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块

www.Microsemi.com

3–6

APTGF30H60T1G - 牧师0

2007年8月，

APTGF30H60T1G

典型性能曲线

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

输出特性（Ⅴ

GE

=10V)

50

IC ，集电极电流（ A）

T

J

=25°C

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

80

IC ，集电极电流（ A）

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

60

T

J

=125°C

37.5

T

J

=25°C

40

25

T

J

=125°C

20

12.5

0

1

2

3

4

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

传输特性

80

V

GE

，门到发射极电压（ V）

0

1

2

3

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

栅极电荷

I

C

= 30A

T

J

= 25°C

V

CE

=120V

V

CE

=300V

V

CE

=480V

4

18

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

IC ，集电极电流（ A）

16

14

12

10

8

6

4

2

0

60

40

T

J

=125°C

T

J

=25°C

20

0

1

3

4

5

6

7

8

9

V

GE

，门到发射极电压（ V）

2

10

20

40

60

80

100

120

栅极电荷（ NC）

导通电压VS结温

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

4

Ic=60A

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

导通电压VS门到发射伏。

8

7

6

5

4

3

2

1

0

6

8

10

12

Ic=15A

Ic=30A

T

J

= 25°C

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

Ic=60A

3

Ic=30A

2

Ic=15A

1

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

V

GE

= 15V

0

25

50

75

100

T

J

，结温（ ° C）

125

14

16

V

GE

，门到发射极电压（ V）

击穿电压VS结温。

集电极到发射极击穿

电压（归）

1.20

IC ， DC集电极电流（ A）

集电极直流电流与外壳温度

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

1.10

1.00

0.90

25

50

75

100

125

T

J

，结温（ ° C）

www.Microsemi.com

4–6

APTGF30H60T1G - 牧师0

0.80

2007年8月，

APTGF30H60T1G

导通延迟时间与集电极电流

TD （上），导通延迟时间（纳秒）

TD （关），关断延迟时间（纳秒）

50

125

关断延迟时间与集电极电流

40

V

GE

= 15V

100

V

GE

=15V,

T

J

=25°C

V

GE

=15V,

T

J

=125°C

30

TJ = 125°C

V

CE

= 400V

R

G

= 6.8

75

20

50

V

CE

= 400V

R

G

= 6.8

10

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

电流上升时间与集电极电流

50

40

30

20

10

0

10

20

30

40

50

60

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

70

V

GE

=15V,

T

J

=125°C

V

CE

= 400V

R

G

= 6.8

25

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

电流下降时间与集电极电流

50

40

TF ，下降时间（纳秒）

TR ，上升时间（纳秒）

30

20

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

V

CE

= 400V, V

GE

= 15V ，R

G

= 6.8

0

10

20

30

40

50

60

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

70

E

关闭

，关断能量损失（兆焦耳）

开启能量损耗VS集电极电流

1

E

on

，开启能量损失（兆焦耳）

V

CE

= 400V

R

G

= 6.8

T

J

=125°C,

V

GE

=15V

2

关断能量损耗VS集电极电流

V

CE

= 400V

V

GE

= 15V

R

G

= 6.8

T

J

= 125°C

0.75

0.5

0.25

0

1.5

1

0.5

0

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

反向偏置安全工作区

70

10

20

30

40

50

60

70

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

开关损耗VS栅极电阻

1

开关损耗（兆焦耳）

I

C

，集电极电流（ A）

EOFF ， 30A

60

50

40

30

20

10

0

100

200

300

400

500

600

0.75

EON， 30A

0.5

0.25

0

5

10

15

20

栅极电阻（欧姆）

25

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

www.Microsemi.com

5–6

APTGF30H60T1G - 牧师0

V

CE

= 400V

V

GE

= 15V

T

J

= 125°C

2007年8月，