APTGF300DA120G
升压斩波
NPT IGBT功率模块
VBUS
V
CES
= 1200V
I
C
= 300A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
符合RoHS
最大额定值
1200
400
300
600
±20
1780
600A @ 1200V
单位
V
A
V
W
2006年7月
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APTGF300DA120G - 第2版
CR1
OUT
Q2
G2
E2
0/VBUS
VBUS
0/VBUS
OUT
E2
G2
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
反向偏置安全工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTGF300DA120G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
民
典型值
最大
0.07
0.16
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
SP6封装外形
（单位：mm ）
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
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3-5
APTGF300DA120G - 第2版
2006年7月
APTGF300DA120G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
100
80
ZVS
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=3
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
1000
800
600
400
200
0
T
J
=25°C
40
20
0
0
HARD
开关
ZCS
I
F
(A)
60
T
J
=125°C
50
100 150 200
I
C
(A)
250
300 350
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.18
热阻抗（ ℃/ W）
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.9
二极管
0
0.00001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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APTGF300DA120G - 第2版
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2006年7月
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