【APTGF25A120T1G相脚NPT IGBT功率模块5Q178Q2CR2910121234NTC】,IC型号APTGF25A120T1G,APTGF25A120T1G PDF资料,APTGF25A120T1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

APTGF25A120T1G

相脚

NPT IGBT功率模块

5

Q1

7

8

Q2

CR2

9

10

1

2

12

3

4

NTC

6

11

V

CES

= 1200V

I

C

= 25A @ T = 80℃

应用

焊接器

开关电源

不间断电源

电机控制

特点

非穿通（ NPT ） IGBT快速

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达50 kHz的

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

极低的杂散电感

- 对称设计

内部热敏电阻的温度监测

高集成度

好处

突出表现在高频率运行

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

低调

符合RoHS

CR1

管脚1/2 ; 3/4 ; 5/6必须短接在一起

绝对最大额定值

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

T

C

= 25°C

T

C

= 80°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

j

= 125°C

最大额定值

1200

40

25

100

±20

208

50A@1150V

单位

V

2009年3月

1–6

APTGF25A120T1G - 版本1

A

V

W

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGF25A120T1G

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 1200V

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

V

GE

=15V

I

C

= 25A

T

j

= 125°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 1毫安

V

GE

= 20V, V

CE

= 0V

民

典型值

最大

250

500

3.7

6

400

单位

A

V

nA

2.5

4

3.2

4.0

动态特性

符号

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门 - 发射极电荷

门 - 集电极费

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GE

= 15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

=25A

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= 15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 25A

R

G

= 22Ω

电感式开关（ 125°C ）

V

GE

= 15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 25A

R

G

= 22Ω

V

GE

= 15V

T

j

= 125°C

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 25A

T

j

= 125°C

R

G

= 22Ω

民

典型值

1650

250

110

160

10

70

60

50

305

30

60

50

346

40

3.5

mJ

1.5

最大

单位

pF

nC

ns

反向二极管额定值和特性

符号特性

V

RRM

I

RM

I

F

V

F

最大峰值重复反向电压

测试条件

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

TC = 80℃

I

F

= 25A

I

F

= 50A

I

F

= 25A

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

民

1200

典型值

最大

100

500

单位

V

A

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

V

R

=1200V

25

2.6

3.2

1.8

320

360

480

1800

3.1

V

t

rr

Q

rr

反向恢复时间

反向恢复电荷

nC

www.Microsemi.com

2–6

APTGF25A120T1G - 版本1

I

F

= 25A

V

R

= 667V

的di / dt = 200A / μs的

ns

2009年3月

APTGF25A120T1G

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

2500

-40

2.5

民

典型值

最大

0.6

1.4

150

125

100

4.7

80

单位

° C / W

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

V

°C

牛米

g

散热器来

M4

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息）。

符号特性

电阻@ 25°C

R

25

B

25/85

T

25

= 298.15 K

R

T

=

R

25

1

EXP

B

25 / 85

T

25

T：热敏电阻温度

1

R

T

：热敏电阻在T值

民

典型值

50

3952

最大

单位

kΩ

K

SP1程序包大纲

（单位：mm ）

请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块

www.Microsemi.com

3–6

APTGF25A120T1G - 版本1

2009年3月

APTGF25A120T1G

典型性能曲线

60

IC ，集电极电流（ A）

50

40

T

J

=25°C

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

IC ，集电极电流（ A）

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

16

输出特性（Ⅴ

GE

=10V)

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

12

T

J

=25°C

30

T

J

=125°C

8

T

J

=125°C

20

10

0

2

3

4

5

6

7

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

传输特性

1

8

4

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

栅极电荷

I

C

= 25A

T

J

= 25°C

V

CE

=240V

V

CE

=600V

IC ，集电极电流（ A）

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

V

GE

，门到发射极电压（ V）

80

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

60

40

T

J

=125°C

V

CE

=960V

20

T

J

=25°C

0

2.5

5

7.5

10

12.5

V

GE

，门到发射极电压（ V）

导通电压VS门到发射伏。

T

J

= 125°C

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

15

30

60

90

120

150

180

栅极电荷（ NC）

导通电压VS结温

Ic=50A

Ic=25A

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

9

6

5

4

3

Ic=50A

Ic=25A

Ic=12.5A

2

1

0

25

50

75

100

T

J

，结温（ ° C）

125

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

V

GE

= 15V

Ic=12.5A

10

11

12

13

14

15

16

V

GE

，门到发射极电压（ V）

击穿电压VS结温。

集电极到发射极击穿电压

（归一化）

1.10

IC ， DC集电极电流（ A）

40

集电极直流电流与外壳温度

1.05

30

1.00

20

0.95

10

0.90

25

50

75

100

125

T

J

，结温（ ° C）

0

25

50

75

100

125

T

C

，外壳温度（ ° C）

150

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4–6

APTGF25A120T1G - 版本1

2009年3月

APTGF25A120T1G

导通延迟时间与集电极电流

V

CE

= 600V

R

G

= 22

关断延迟时间与集电极电流

TD （关），关断延迟时间（纳秒）

TD （上），导通延迟时间（纳秒）

75

70

65

60

55

50

5

15

25

35

45

55

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

电流上升时间与集电极电流

160

V

CE

= 600V

R

G

= 22

400

V

GE

=15V,

T

J

=125°C

350

V

GE

= 15V

300

V

GE

=15V,

T

J

=25°C

250

V

CE

= 600V

R

G

= 22

200

5

15

25

35

45

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

电流下降时间与集电极电流

50

45

T

J

= 125°C

55

TR ，上升时间（纳秒）

TF ，下降时间（纳秒）

120

40

35

30

25

T

J

= 25°C

80

V

GE

=15V

40

V

CE

= 600V, V

GE

= 15V ，R

G

= 22

0

5

15

25

35

45

55

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

开启能量损耗VS集电极电流

V

CE

= 600V

R

G

= 22

20

5

15

25

35

45

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

55

关断能量损耗VS集电极电流

EOFF ，关断能量损失（兆焦耳）

4

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

R

G

= 22

T

J

= 125°C

EON，开启能量损耗（兆焦耳）

10

8

6

4

2

0

5

T

J

=125°C,

V

GE

=15V

3

T

J

=25°C,

V

GE

=15V

2

T

J

= 25°C

1

0

15

25

35

45

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

55

5

15

25

35

45

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

反向偏置安全工作区

55

开关损耗（兆焦耳）

5

4

3

2

1

0

开关损耗VS栅极电阻

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

T

J

= 125°C

60

I

C

，集电极电流（ A）

EON， 25A

50

40

30

20

10

0

EOFF ， 25A

0

10

20

30

40

50

60

0

400

800

1200

栅极电阻（欧姆）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

www.Microsemi.com

5–6

APTGF25A120T1G - 版本1

2009年3月