APTGF200DA120D3G

升压斩波

NPT IGBT功率模块

V

CES

= 1200V

I

C

= 200A @ T = 80℃

3

应用

AC和DC电机控制

开关电源

功率因数校正

特点

非穿通（ NPT ） IGBT快速

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达50 kHz的

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

开尔文射，方便车道

高集成度

M6电源连接器

好处

稳定的温度特性

很皮实

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

由于易于并联阳性T

C

V的

CESAT

符合RoHS

Q2

6

7

1

2

绝对最大额定值

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

T

C

= 25°C

T

C

= 80°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

j

= 125°C

最大额定值

1200

300

200

400

±20

1400

400A@1150V

单位

V

A

V

W

2008年9月，

1-5

APTGF200DA120D3G - 牧师0

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGF200DA120D3G

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ON）的

V

GE （日）

I

GES

零栅极电压集电极电流

集电极发射极电压上

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

T

j

= 25°C

V

GE

= 15V

I

C

= 200A

T

j

= 125°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 8毫安

V

GE

= 20V, V

CE

= 0V

民

典型值

3.2

3.9

5.8

最大

5

3.7

6.4

400

单位

mA

V

V

nA

5.2

动态特性

符号特性

C

IES

输入电容

C

水库

反向传输电容

Q

G

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

I

sc

栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

短路数据

测试条件

V

GE

= 0V, V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GE

= ± 15V ，我

C

=200A

V

CE

=600V

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 200A

R

G

= 4.7Ω

电感式开关（ 125°C ）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 200A

R

G

= 4.7Ω

V

GE

= ±15V

T

j

= 125°C

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 200A

T

j

= 125°C

R

G

= 4.7Ω

V

GE

≤15V

; V

公共汽车

= 900V

t

p

≤

为10μs ;牛逼

j

= 125°C

民

典型值

13

1

2.1

100

60

530

30

110

70

550

40

19

mJ

15

1300

A

最大

单位

nF

C

ns

ns

反向二极管额定值和特性

符号特性

V

RRM

I

RRM

I

F

V

F

t

rr

Q

rr

E

rr

最大峰值重复反向电压

测试条件

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

TC = 80℃

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

民

1200

典型值

最大

750

1000

单位

V

A

A

2008年9月，

2-5

APTGF200DA120D3G - 牧师0

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复能量

V

R

=1200V

I

F

= 200A

200

2.1

1.9

100

200

14

40

5.2

11.2

V

ns

C

mJ

I

F

= 200A

V

R

= 600V

的di / dt = 3000A / μs的

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APTGF200DA120D3G

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

对于终端

散热器来

M6

M6

IGBT

二极管

2500

-40

-40

-40

3

3

民

典型值

最大

0.09

0.16

150

125

125

5

5

350

单位

° C / W

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

V

°C

牛米

g

D3封装外形

（单位：mm ）

1°

A

细节

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3-5

APTGF200DA120D3G - 牧师0

2008年9月，

APTGF200DA120D3G

典型性能曲线

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

输出特性

400

T

J

= 125°C

V

GE

=20V

V

GE

=12V

V

GE

=15V

400

T

J

=25°C

300

I

C

(A)

300

I

C

(A)

200

200

V

GE

=9V

100

T

J

=125°C

100

0

0

1

2

3

V

CE

(V)

4

5

6

0

0

1

2

3

4

V

CE

(V)

5

6

400

Transfert特点

60

50

40

能量损失VS集电极电流

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

R

G

= 4.7

T

J

= 125°C

300

I

C

(A)

E（兆焦耳）

宙

200

T

J

=125°C

30

20

EOFF

100

T

J

=25°C

10

0

ERR

0

5

6

7

8

9

10

11

12

V

GE

(V)

开关损耗VS栅极电阻

100

80

E（兆焦耳）

60

40

20

0

0

5

10

15

20

25

30

栅极电阻（欧姆）

35

V

CE

= 600V

V

GE

=15V

I

C

= 200A

T

J

= 125°C

宙

0

100

200

I

C

(A)

300

400

反向偏置安全工作区

500

400

I

C

(A)

300

200

100

EOFF

ERR

V

GE

=15V

T

J

=125°C

R

G

=4.7

0

0

300

600

900

1200

1500

V

CE

(V)

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.1

热阻抗（ ℃/ W）

0.08

0.06

0.5

0.04

0.02

0.3

0.1

0.05

0

0.00001

0.0001

0.001

0.9

0.7

IGBT

单脉冲

0.01

0.1

1

10

矩形脉冲持续时间（秒）

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2008年9月，

APTGF200DA120D3G

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

70

60

50

40

30

20

10

0

0

50

100

150

I

C

(A)

200

250

HARD

开关

ZCS

ZVS

V

CE

=600V

D=50%

R

G

=4.7

T

J

=125°C

T

C

=75°C

二极管的正向特性

400

300

T

J

=125°C

I

F

(A)

200

T

J

=25°C

100

0

0

0.5

1

1.5

V

F

(V)

2

2.5

3

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.18

热阻抗（ ℃/ W）

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

1

10

0.9

二极管

0

0.00001

矩形脉冲持续时间（秒）

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。

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