APTGF150H120
全 - 桥
NPT IGBT功率模块
V
CES
= 1200V
I
C
= 150A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
OUT1
G1
E1
VBUS
0/VBUS
G2
E2
E4
G4
OUT2
E3
G3
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
300A @ 1200V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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APTGF150H120 - 修订版2004年3月1日
最大额定值
1200
200
150
400
±20
1040
单位
V
A
V
W
APTGF150H120
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 2毫安
V
GE
= 0V
T
j
= 25°C
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 150A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 5毫安
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
民
1200
典型值
0.2
12
3.3
4
最大
3
3.9
6.5
±500
单位
V
mA
V
V
nA
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 150A
R
G
= 5
民
典型值
10.5
1.5
0.8
70
50
500
30
8.5
9
最大
单位
nF
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
I
F（ AV ）
V
F
Q
rr
最大平均正向电流
二极管的正向电压
反向恢复电荷
测试条件
占空比为50％
民
TC = 85°C
典型值
125
2.2
2.4
2.2
6.5
20
最大
2.5
单位
A
V
C
I
F
= 150A
I
F
= 200A
I
F
= 200A
I
F
= 150A
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
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APTGF150H120
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，
我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
散热器来
安装力矩
对于终端
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
150
125
100
5
3.5
280
民
典型值
最大
0.12
0.26
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
M6
M5
包装外形
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APTGF150H120 - 修订版2004年3月1日
APTGF150H120
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
225
IC ，集电极电流（ A）
IC ，集电极电流（ A）
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
175
150
125
100
75
50
25
0
4
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
I
C
= 150A
T
J
= 25°C
V
CE
=600V
4
T
J
=125°
C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°
C
T
J
=25°
C
T
J
=125°
C
250
200
150
100
50
0
4
V
GE
，门到发射极电压（ V）
300
IC ，集电极电流（ A）
20
16
12
8
4
0
0
250
V
CE
=800V
6
8
10
V
GE
，门到发射极电压（ V）
12
500
750
1000
栅极电荷（ NC）
1250
1000
开关时间VS集电极电流
tdoff
V
CE
= 600V
V
GE
=±15V
R
G
=5
T
J
= 125°C
100
C，电容（ NF）
电容VS集电极到发射极电压
时间（纳秒）
10
资本投资者入境计划
100
Tdon
tf
卓越中心
1
CRES
0.1
tr
10
0
50
100
150
IC ，集电极电流（ A）
200
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
集电极直流电流与外壳温度
200
IC ， DC集电极电流（ A）
175
150
125
开关损耗VS栅极电阻
60
开关损耗（兆焦耳）
50
40
30
20
10
0
0
V
CE
= 600V
V
GE
=±15V
I
C
=150A
T
J
= 125°C
宙
EOFF
75
50
25
0
0
25
50
75
100 125
T
C
，外壳温度（ °
C)
150
4
8 12 16 20 24
栅极电阻（欧姆）
28
32
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APTGF150H120 - 修订版2004年3月1日
100
APTGF150H120
350
区域
I
C
，集电极电流（ A）
最小开关安全工作
10000
开关时间VS栅极电阻
V
CE
= 600V, V
GE
=±15V
I
C
= 150A ，T
J
= 125°C
时间（纳秒）
1000
Tdon
100
tr
tf
10
300
250
200
150
100
50
0
0
300
600
900
1200 1500
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
0
tdoff
10
20
30
栅极电阻（欧姆）
40
0.14
热阻抗（ θ
C / W ）
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.9
0.7
0.5
0.3
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
0
0.00001
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
I
C
，集电极电流（ A）
200
V
CE
= 800V
D = 50%
R
G
= 5
T
J
= 125°C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息，这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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APTGF150H120
全 - 桥
NPT IGBT功率模块
V
CES
= 1200V
I
C
= 150A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
OUT1
G1
E1
VBUS
0/VBUS
G2
E2
E4
G4
OUT2
E3
G3
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
300A @ 1200V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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APTGF150H120 - 修订版2004年3月1日
最大额定值
1200
200
150
400
±20
1040
单位
V
A
V
W
APTGF150H120
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 2毫安
V
GE
= 0V
T
j
= 25°C
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 150A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 5毫安
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
民
1200
典型值
0.2
12
3.3
4
最大
3
3.9
6.5
±500
单位
V
mA
V
V
nA
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 150A
R
G
= 5
民
典型值
10.5
1.5
0.8
70
50
500
30
8.5
9
最大
单位
nF
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
I
F（ AV ）
V
F
Q
rr
最大平均正向电流
二极管的正向电压
反向恢复电荷
测试条件
占空比为50％
民
TC = 85°C
典型值
125
2.2
2.4
2.2
6.5
20
最大
2.5
单位
A
V
C
I
F
= 150A
I
F
= 200A
I
F
= 200A
I
F
= 150A
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
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APTGF150H120
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，
我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
散热器来
安装力矩
对于终端
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
150
125
100
5
3.5
280
民
典型值
最大
0.12
0.26
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
M6
M5
包装外形
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APTGF150H120
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
225
IC ，集电极电流（ A）
IC ，集电极电流（ A）
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
175
150
125
100
75
50
25
0
4
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
I
C
= 150A
T
J
= 25°C
V
CE
=600V
4
T
J
=125°
C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°
C
T
J
=25°
C
T
J
=125°
C
250
200
150
100
50
0
4
V
GE
，门到发射极电压（ V）
300
IC ，集电极电流（ A）
20
16
12
8
4
0
0
250
V
CE
=800V
6
8
10
V
GE
，门到发射极电压（ V）
12
500
750
1000
栅极电荷（ NC）
1250
1000
开关时间VS集电极电流
tdoff
V
CE
= 600V
V
GE
=±15V
R
G
=5
T
J
= 125°C
100
C，电容（ NF）
电容VS集电极到发射极电压
时间（纳秒）
10
资本投资者入境计划
100
Tdon
tf
卓越中心
1
CRES
0.1
tr
10
0
50
100
150
IC ，集电极电流（ A）
200
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
集电极直流电流与外壳温度
200
IC ， DC集电极电流（ A）
175
150
125
开关损耗VS栅极电阻
60
开关损耗（兆焦耳）
50
40
30
20
10
0
0
V
CE
= 600V
V
GE
=±15V
I
C
=150A
T
J
= 125°C
宙
EOFF
75
50
25
0
0
25
50
75
100 125
T
C
，外壳温度（ °
C)
150
4
8 12 16 20 24
栅极电阻（欧姆）
28
32
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100
APTGF150H120
350
区域
I
C
，集电极电流（ A）
最小开关安全工作
10000
开关时间VS栅极电阻
V
CE
= 600V, V
GE
=±15V
I
C
= 150A ，T
J
= 125°C
时间（纳秒）
1000
Tdon
100
tr
tf
10
300
250
200
150
100
50
0
0
300
600
900
1200 1500
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
0
tdoff
10
20
30
栅极电阻（欧姆）
40
0.14
热阻抗（ θ
C / W ）
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.9
0.7
0.5
0.3
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
0
0.00001
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
I
C
，集电极电流（ A）
200
V
CE
= 800V
D = 50%
R
G
= 5
T
J
= 125°C
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息，这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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