APTGF150A120T3AG

相脚

NPT IGBT功率模块

电源模块

29

30

31

32

13

V

CES

= 1200V

I

C

= 150A @ T = 100℃

应用

焊接器

开关电源

不间断电源

电机控制

4

3

特点

26

22

27

23

28

25

R1

8

7

16

18

19

20

14

28 27 26 25

29

30

23 22

20 19 18

16

15

非穿通（ NPT ） IGBT快速

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达50 kHz的

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

极低的杂散电感

开尔文射，方便车道

内部热敏电阻的温度监测

高集成度

对于改进的热性能的AlN衬底

31

32

2

3

4

7

8

10 11 12

14

13

好处

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

低调

符合RoHS

销29/30/31/32必须短接在一起

引脚26/27/28/22/23/25必须短接在一起

实现了相腿

销16/18/19/20必须短接在一起

绝对最大额定值

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

J

= 150°C

这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

1–5

APTGF150A120T3AG - 牧师0

最大额定值

1200

210

150

300

±20

1041

300A @ 1150V

单位

V

A

V

W

2008年7月

APTGF150A120T3AG

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

T

j

= 25°C

V

GE

=15V

I

C

= 150A

T

j

= 125°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 6毫安

V

GE

= 20V, V

CE

= 0V

民

典型值

3.2

3.9

5.5

最大

250

3.7

6.5

400

单位

A

V

V

nA

4.5

动态特性

符号特性

C

IES

C

OES

C

水库

Q

G

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

I

sc

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

短路数据

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GE

= ±15V ; V

CE

=600V

I

C

=150A

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 150A

R

G

= 5.6Ω

电感式开关（ 125°C ）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 150A

R

G

= 5.6Ω

V

GE

= ±15V

T

j

= 125°C

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 150A

T

j

= 125°C

R

G

= 5.6Ω

V

GE

≤15V

; V

公共汽车

= 900V

t

p

≤

为10μs ;牛逼

j

= 125°C

民

典型值

9.3

1.4

0.7

1.6

120

50

310

20

130

60

360

30

18

mJ

8

900

A

最大

单位

nF

C

ns

ns

反向二极管额定值和特性

符号特性

V

RRM

I

RM

I

F

V

F

最大峰值重复反向电压

测试条件

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

TC = 100℃

民

1200

典型值

最大

150

600

单位

V

A

A

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

V

R

=1200V

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

t

rr

Q

rr

反向恢复时间

反向恢复电荷

5780

nC

www.Microsemi.com

2–5

APTGF150A120T3AG - 牧师0

I

F

= 120A

V

R

= 800V

的di / dt = 400A / μs的

265

350

1120

ns

2008年7月

I

F

= 120A

I

F

= 240A

I

F

= 120A

120

2.5

3

1.8

3

V

APTGF150A120T3AG

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

2500

-40

-40

-40

2.5

民

典型值

最大

0.12

0.37

150

125

100

4.7

110

单位

° C / W

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

V

°C

牛米

g

散热器来

M4

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。

符号

R

25

R

25

/R

25

B

25/85

B/B

特征

电阻@ 25°C

T

25

= 298.15 K

T

C

=100°C

R

T

=

R

25

1

1

R

T

：热敏电阻在T值

EXP

B

25 / 85

T

T

25

T：热敏电阻温度

民

典型值

50

5

3952

4

最大

单位

kΩ

%

K

%

SP3封装外形

（单位：mm ）

请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块

www.Microsemi.com

3–5

APTGF150A120T3AG - 牧师0

1

12

2008年7月

17

28

APTGF150A120T3AG

典型性能曲线

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

输出特性

300

250

200

I

C

(A)

V

GE

=12V

T

J

= 125°C

V

GE

=20V

V

GE

=15V

300

250

I

C

(A)

T

J

=25°C

200

150

100

50

0

0

1

2

3

V

CE

(V)

4

5

6

T

J

=125°C

150

100

50

0

0

1

2

3

4

V

CE

(V)

5

6

V

GE

=9V

300

250

200

Transfert特点

56

48

40

E（兆焦耳）

T

J

=125°C

能量损失VS集电极电流

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

R

G

= 5.6

T

J

= 125°C

宙

I

C

(A)

150

100

50

0

5

6

7

32

24

16

EOFF

T

J

=25°C

8

0

0

50

100

150

I

C

(A)

反向偏置安全工作区

350

300

200

250

300

8

9

10

11

12

V

GE

(V)

开关损耗VS栅极电阻

70

60

50

E（兆焦耳）

40

30

20

10

0

0

5

10 15 20 25 30 35 40 45 50

栅极电阻（欧姆）

EOFF

V

CE

= 600V

V

GE

=15V

I

C

= 150A

T

J

= 125°C

宙

250

I

C

(A)

200

150

100

50

0

0

300

600

900

1200

1500

V

CE

(V)

V

GE

=15V

T

J

=125°C

R

G

=5.6

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.14

热阻抗（ ℃/ W）

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0.5

0.3

0.1

0.0001

0.001

单脉冲

0.9

0.7

IGBT

0.05

0

0.00001

0.01

0.1

1

10

矩形脉冲持续时间（秒）

www.Microsemi.com

4–5

APTGF150A120T3AG - 牧师0

2008年7月

APTGF150A120T3AG

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

180

150

120

90

60

30

0

0

40

80

120

I

C

(A)

160

200

HARD

开关

ZVS

ZCS

V

CE

=600V

D=50%

R

G

=5.6

T

J

=125°C

T

C

=75°C

二极管的正向特性

300

250

200

I

F

(A)

150

100

50

0

0

0.5

1

1.5

2

V

F

(V)

2.5

3

3.5

T

J

=125°C

T

J

=25°C

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.4

热阻抗（ ℃/ W）

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.1

0.05

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

1

10

0.5

0.3

0.9

0.7

二极管

0

0.00001

矩形脉冲持续时间（秒）

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103

5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。

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5–5

APTGF150A120T3AG - 牧师0

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

2008年7月