APTDF400AA60G
双共阳极二极管
电源模块
K1
A
V
RRM
= 600V
I
C
= 400A @ T = 80℃
应用
不间断电源（ UPS ）
感应加热
焊接设备
高速整流器
特点
好处
K1
A
K2
K2
超快速的恢复时间
软恢复特性
高阻断电压
HIGH CURRENT
低漏电流
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
突出表现在高频率
手术
低损耗
低噪声开关
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
R
V
RRM
I
F（ A V ）
I
F（ RMS ）
I
FSM
参数
最大直流反向电压
最大峰值重复反向电压
最大正向平均
占空比= 50 ％
当前
RMS正向电流
占空比= 50 ％
非重复正向浪涌电流
8.3ms
最大额定值
600
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 45°C
T
C
= 45°C
500
400
500
3000
单位
V
A
2006年6月，
1-4
APTDF400AA60G - 版本1
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTDF400AA60G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
V
F
I
RM
C
T
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
测试条件
I
F
= 400A
I
F
= 800A
I
F
= 400A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
R
= 600V
T
j
= 125°C
V
R
= 600V
民
典型值
1.6
2.0
1.3
最大
2.0
单位
V
750
1000
760
A
pF
动态特性
符号特性
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
I
F
=1A,V
R
=30V
的di / dt = 400A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 400A
V
R
= 400V
的di / dt = 800A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
F
= 400A
V
R
= 400V
的di / dt = 4000A / μs的
民
典型值
34
160
220
1.16
6.12
20
52
100
11.6
176
最大
单位
ns
ns
C
A
ns
C
A
T
j
= 125°C
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
3
2
典型值
最大
0.14
175
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
2006年6月，
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
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APTDF400AA60G - 版本1
APTDF400AA60G
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.16
热阻抗（ ℃/ W）
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.00001
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
转发电流与正向电压
1200
I
F
，正向电流（ A）
1000
T
J
=175°C
300
t
rr
，反向恢复时间（纳秒）
TRR与充电的电流变化率
T
J
=125°C
V
R
=400V
250
400 A
800 A
800
600
400
200
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
F
，阳极到阴极电压（V）
T
J
=125°C
T
J
=25°C
200
150
100
50
0
800
1600 2400 3200 4000 4800
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
200 A
T
J
=-55°C
Q
RR
，反向恢复电荷（ μC ）
12
8
4
0
0
T
J
=125°C
V
R
=400V
800 A
I
RRM
，反向恢复电流（ A）
16
Q
RR
与电流充电率
240
200
160
120
80
40
0
0
I
RRM
与充电的电流变化率
T
J
=125°C
V
R
=400V
800 A
400 A
200 A
400 A
200 A
800
1600 2400 3200 4000 4800
-diF / DT （ A / μs）内
800 1600 2400 3200 4000 4800
-diF / DT （ A / μs）内
电容与反向电压
5600
C，电容（pF ）
马克斯。平均正向电流与情况下的温度。
600
500
I
F
（ AV ） （A ）
占空比= 0.5
T
J
=175°C
4800
4000
3200
2400
1600
800
0
1
10
100
1000
V
R
，反向电压（V）的
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度（ ° C）
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APTDF400AA60G - 版本1
2006年6月，
400
APTDF400AA60G
SP6封装外形
（单位：mm ）
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Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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2006年6月，
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