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APTDF200H170G
二极管全桥
电源模块
+
AC1
AC2
V
RRM
= 1700V
I
C
= 200A @ T C = 55°C
应用
不间断电源（ UPS ）
感应加热
焊接设备
高速整流器
特点
好处
AC2
+
-
-
超快速的恢复时间
软恢复特性
高阻断电压
HIGH CURRENT
低漏电流
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
AC1
突出表现在高频率
手术
低损耗
低噪声开关
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
R
V
RRM
I
F（ A V ）
I
F（ RMS ）
I
FSM
参数
最大直流反向电压
最大峰值重复反向电压
最大正向平均
当前
占空比= 50 ％
T
c
= 25°C
T
c
= 55°C
T
j
= 25°C
最大额定值
1700
240
单位
V
RMS正向电流
非重复正向浪涌电流
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-3
APTDF200H170G - 版本1
2006年6月，
200
250
600
A
APTDF200H170G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
V
F
I
RM
二极管的正向电压
最大反向漏电流
测试条件
I
F
= 200A
V
R
= 1700V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
T
j
= 25°C
I
F
= 200A
V
R
= 900V
的di / dt = 2000A / μs的
民
典型值
2.2
2.1
最大
2.5
350
600
单位
V
A
动态特性
符号特性
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
572
704
40
70
140
200
最大
单位
ns
C
A
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
3500
-40
-40
-40
3
2
典型值
最大
0.18
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
SP6封装外形
（单位：mm ）
www.Microsemi.com
2-3
APTDF200H170G - 版本1
2006年6月，
APTDF200H170G
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.2
热阻抗（ ℃/ W）
0.16
0.12
0.08
0.04
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
0
0.00001
转发电流与正向电压
500
t
rr
，反向恢复时间（纳秒）
I
F
，正向电流（ A）
400
300
200
100
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
F
，阳极到阴极电压（V）
Q
RR
，反向恢复电荷（ μC ）
QRR与电流充电率
T
J
=125°C
V
R
=900V
400 A
200 A
T
J
=125°C
T
J
=25°C
TRR与充电的电流变化率
800
700
600
500
400
300
200
0
3000
6000
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
IRRM与充电的电流变化率
I
RRM
，反向恢复电流（ A）
200 A
100 A
400 A
T
J
=125°C
V
R
=900V
T
J
=25°C
9000
12000
160
140
120
100
80
60
40
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
3000
6000
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
T
J
=125°C
V
R
=900V
200 A
400 A
100 A
100 A
3000
6000
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
9000
12000
9000
12000
马克斯。平均正向电流与情况下的温度。
300
250
I
F
（ AV ） （A ）
占空比= 0.5
T
J
=150°C
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
外壳温度（ ° C）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
www.Microsemi.com
3-3
APTDF200H170G - 版本1
2006年6月，
查看更多APTDF200H170GPDF信息
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AFL2807SW/ES
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AM29LV641DU120RZI
APL431LBAI-TRL
ATS-54400D-C2-R0
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