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APTDF100H100G
二极管全桥
电源模块
+
AC1
AC2
V
RRM
= 1000V
I
C
= 100A @ T = 70℃
应用
不间断电源（ UPS ）
感应加热
焊接设备
高速整流器
特点
好处
AC2
-
超快速的恢复时间
软恢复特性
高阻断电压
HIGH CURRENT
低漏电流
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
+
-
AC1
突出表现在高频率
手术
低损耗
低噪声开关
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
R
V
RRM
I
F（ A V ）
I
F（ RMS ）
I
FSM
参数
最大直流反向电压
最大峰值重复反向电压
最大正向平均
当前
占空比= 50 ％
T
C
= 25°C
T
C
= 70°C
T
C
= 45°C
T
C
= 45°C
最大额定值
1000
130
100
130
500
单位
V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-4
APTDF100H100G - 版本1
2006年6月，
RMS正向电流
占空比= 50 ％
非重复正向浪涌电流
8.3ms
A
APTDF100H100G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
V
F
I
RM
C
T
二极管的正向电压
最大反向漏电流
结电容
测试条件
I
F
= 100A
I
F
= 150A
I
F
= 100A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
R
= 1000V
T
j
= 125°C
V
R
= 1000V
民
典型值
2.1
2.3
1.7
最大
2.7
单位
V
100
500
120
A
pF
动态特性
符号特性
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
I
F
=1A,V
R
=30V
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 100A
V
R
= 667V
的di / dt = 200A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
F
= 100A
V
R
= 667V
di/dt=1000A/s
T
j
= 125°C
民
典型值
45
290
340
685
3645
6
18
160
7100
70
最大
单位
ns
ns
nC
A
ns
nC
A
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
0.55
175
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M5
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2-4
APTDF100H100G - 版本1
2006年6月，
APTDF100H100G
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.6
热阻抗（ ℃/ W）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0
0.00001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
转发电流与正向电压
t
rr
，反向恢复时间（纳秒）
300
I
F
，正向电流（ A）
250
200
150
100
T
J
=-55°C
T
J
=125°C
T
J
=175°C
TRR与充电的电流变化率
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
200
400
600
800 1000 1200
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
IRRM与充电的电流变化率
150 A
100 A
50 A
T
J
=125°C
V
R
=667V
50
T
J
=25°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
F
，阳极到阴极电压（V）
Q
RR
，反向恢复电荷（ μC ）
QRR与电流充电率
8
7
6
5
4
3
2
T
J
=125°C
V
R
=667V
150 A
100 A
I
RRM
，反向恢复电流（ A）
9
80
70
60
50
40
30
20
10
0
200
400
600
800
1000 1200
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
T
J
=125°C
V
R
=667V
150 A
100 A
50 A
50 A
0
200
400 600 800
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
1000 1200
800
700
C，电容（pF ）
600
电容与反向电压
马克斯。平均正向电流与情况下的温度。
150
125
I
F
（ AV ） （A ）
100
75
50
25
0
占空比= 0.5
T
J
=175°C
400
300
200
100
0
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
1000
0
25
50
75
100
125
150 175
外壳温度（ ° C）
www.Microsemi.com
3-4
APTDF100H100G - 版本1
2006年6月，
500
APTDF100H100G
SP4封装外形
（单位：mm ）
所有尺寸注明" * "如TOLERENCED ：
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
www.Microsemi.com
4-4
APTDF100H100G - 版本1
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
2006年6月，
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AS91L1003S40L100CG
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