APTDC20H601G
碳化硅二极管全桥
电源模块
3
CR1
5
6
CR2
CR4
-
-
-
-
好处
所有的多路输入和输出必须短接在一起
3/4 ; 5/6 ; 7/8 ; 1/2 ; 9/10
突出表现在高频率
手术
低损耗
低噪声开关
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
符合RoHS
SiC肖特基二极管
零反向恢复
零正向恢复
温度独立的开关行为
在VF正温度系数
极低的杂散电感
高集成度
V
RRM
= 600V
I
F
= 20A @ T = 80℃
4
CR3
1
2
应用
不间断电源（ UPS ）
感应加热
焊接设备
高速整流器
特点
7
8
9 10
绝对最大额定值
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
参数
最大直流反向电压
最大峰值重复反向电压
最大平均正向电流
占空比= 50 ％
非重复正向浪涌电流
10 s
最大额定值
600
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
20
250
单位
V
A
APTDC20H601G - 牧师0 2009年2月
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTDC20H601G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
V
F
I
RM
Q
C
C
二极管的正向电压
最大反向漏电流
总容性充电
总电容
测试条件
I
F
= 20A
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
T
j
= 25°C
V
R
= 600V
T
j
= 175°C
I
F
= 20A ，V
R
= 300V
的di / dt = 800A / μs的
F = 1MHz时， V
R
= 200V
F = 1MHz时， V
R
= 400V
民
典型值
1.6
2
100
200
28
130
100
最大
1.8
2.4
400
2000
单位
V
A
nC
pF
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
1.5
175
125
100
4.7
80
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
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APTDC20H601G - 牧师0 2009年2月
APTDC20H601G
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.6
热阻抗（ ℃/ W）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.9
0.7
0
0.00001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
正向特性
反向特性
400
T
J
=25°C
40
I
F
正向电流（ A）
I
R
反向电流（ μA ）
350
300
250
200
150
100
50
0
200
300
400
T
J
=175°C
30
T
J
=75°C
T
J
=175°C
T
J
=125°C
T
J
=75°C
20
T
J
=125°C
10
T
J
=25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
F
正向电压（ V）
电容vs.Reverse电压
500
600
700
800
V
R
反向电压（ V）
800
C，电容（pF ）
600
400
200
0
1
10
100
V
R
反向电压
1000
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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