【APTCV60TLM99T3G三电平逆变器的CoolMOS &沟道+场截止IGBT电源模块沟】,IC型号APTCV60TLM99T3G,APTCV60TLM99T3G PDF资料,APTCV60TLM99T3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

APTCV60TLM99T3G

三电平逆变器

的CoolMOS &沟道+场截止IGBT

电源模块

沟内&场截止IGBT Q2 ， Q3 ：

CES

= 600V ;我

= 30A @ T = 80℃

的CoolMOS Q1 ， Q4 ：

DSS

= 600V ;我

= 17A @ T = 80℃

应用

太阳能转换器

不间断电源

特点

Q2 ， Q3沟道+场站IGBT技术

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达20 kHz的

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- RBSOA和SCSOA评分

Q1 ， Q4的CoolMOS

超低低R

DSON

低米勒电容

超低栅极电荷

额定雪崩能量

很皮实

开尔文射，方便车道

极低的杂散电感

高集成度

内部热敏电阻的温度监测

28 27 26 25

23 22

20 19 18

10 11 12

所有的多路输入和输出必须短接在一起

例如： 10/11/12 ; 7/8 ...

好处

稳定的温度特性

很皮实

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC

低调

符合RoHS

2009年3月

所有评级@ T

= 25 ° C除非另有说明

这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。

请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

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APTCV60TLM99T3G - 牧师0

APTCV60TLM99T3G

Q1 & Q4绝对最大额定值

符号

DSS

DSON

参数

漏极 - 源极击穿电压

连续漏电流

漏电流脉冲

栅 - 源电压

漏 - 源极导通电阻

最大功率耗散

雪崩电流（重复，不重复）

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

= 25°C

= 80°C

最大额定值

600

±20

110

1.2

800

单位

mΩ

= 25°C

Q1 & Q4电气特性

符号特性

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

GSS

零栅极电压漏极电流

漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

门 - 源极漏电流

测试条件

= 25°C

= 0V

= 600V

= 125°C

= 10V ，我

= 18A

= V

, I

= 1.2毫安

= ±20 V, V

= 0V

民

典型值

100

2.5

3.5

100

最大

单位

mΩ

Q1 & Q4动态特性

动态特性

符号特性

国际空间站

输入电容

OSS

输出电容

D（上）

D（关闭）

thJC

总栅极电荷

栅 - 源电荷

栅 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

结到外壳热阻

测试条件

= 0V ; V

= 100V

F = 1MHz的

= 10V

公共汽车

= 400V

= 18A

= 10V

公共汽车

= 400V

= 18A

= 3.3

民

典型值

2800

130

1.15

° C / W

最大

单位

Q2 & Q3绝对最大额定值

= 25°C

= 80°C

= 25°C

= 150°C

2009年3月

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APTCV60TLM99T3G - 牧师0

符号

CES

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

最大额定值

600

±20

60A @ 550V

单位

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APTCV60TLM99T3G

Q2 & Q3电气特性

符号特性

CES

CE （ SAT ）

GE （日）

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

= 0V, V

= 600V

= 25°C

=15V

= 30A

= 150°C

= V

, I

= 400A

= 20V, V

= 0V

民

典型值

1.5

1.7

5.8

最大

250

1.9

6.5

300

单位

5.0

Q2 & Q3动态特性

符号特性

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

短路数据

结到外壳热阻

测试条件

= 0V

= 25V

F = 1MHz的

= ± 15V ，我

=30A

=300V

电感式开关（ 25 ° C）

= ±15V

公共汽车

= 300V

= 30A

= 10Ω

电感式开关（ 150 ° C）

= ±15V

公共汽车

= 300V

= 30A

= 10Ω

= 25°C

= ±15V

= 150°C

公共汽车

= 300V

= 30A

= 25°C

= 10Ω

= 150°C

≤15V

; V

公共汽车

= 360V

≤

6微秒;牛逼

= 150°C

民

典型值

1600

110

0.3

110

200

120

250

0.16

0.3

0.7

1.05

150

1.6

最大

单位

° C / W

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3-9

APTCV60TLM99T3G - 牧师0

2009年3月

APTCV60TLM99T3G

CR5 & CR6二极管额定值和特性

符号特性

RRM

最大峰值重复反向电压

thJC

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复能量

结到外壳热阻

= 30A

= 60A

= 30A

= 400V

= 30A

= 400V

测试条件

=600V

= 25°C

= 125°C

TC = 80℃

民

600

典型值

最大

500

1.8

2.2

1.5

160

480

0.6

1.2

2.2

° C / W

单位

的di / dt = 200A / μs的

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

的di / dt = 1000A / μs的

CR2 ， CR3 ， CR7 & CR8二极管额定值和特性

符号特性

RRM

最大峰值重复反向电压

thJC

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复能量

结到外壳热阻

= 30A

= 60A

= 30A

= 800V

= 30A

= 800V

测试条件

=1200V

= 25°C

= 125°C

TC = 80℃

民

1200

典型值

最大

100

500

2.6

3.2

1.8

300

380

360

1700

1.6

1.2

3.1

° C / W

单位

的di / dt = 200A / μs的

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

的di / dt = 1000A / μs的

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息）。

符号

25/85

B/B

2009年3月

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APTCV60TLM99T3G - 牧师0

特征

电阻@ 25°C

= 298.15 K

=100°C

：热敏电阻在T值

EXP

25 / 85

T：热敏电阻温度

民

典型值

3952

最大

单位

kΩ

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APTCV60TLM99T3G

热和包装特点

符号

ISOL

英镑

力矩

特征

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

散热器来

民

2500

-40

2.5

典型值

最大

175*

125

100

4.7

110

单位

°C

牛米

* TJMAX = 150 ℃， Q1 & Q4

SP3封装外形

（单位：mm ）

请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块

Q2 & Q3典型性能曲线

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

=300V

D=50%

50°C

=85°C

HARD

开关

(A)

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2009年3月