APTCV40H60CT1G
全 - 桥
的CoolMOS &沟道+场站
IGBT
电源模块
沟内&场站
IGBT Q1 ， Q3 ：
V
CES
= 600V ;我
C
= 50A @ T = 80℃
的CoolMOS Q2 ， Q4 ：
V
DSS
= 600V ;我
D
= 36A @ T C = 25°C
应用
3
4
太阳能转换器
特点
Q3
Q1
CR1
5
CR3
6
Q2
7
1
2
Q4
9
Q2 ， Q4的CoolMOS
- 超低R
DSON
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
- 快速内在二极管
Q1 ， Q3海沟&场截止IGBT
- 低电压降
- 开关频率高达20 kHz的
- RBSOA & SCSOA评分
- 低尾电流
-
-
-
-
SiC肖特基二极管（ CR1 ， CR3 ）
零反向恢复
零正向恢复
温度独立的开关行为
在VF正温度系数
8
11
NTC
10
12
顶部开关：沟道+场站IGBT
底部开关：的CoolMOS
极低的杂散电感
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源和信号端子可焊
为便于PCB安装
低调
符合RoHS
3/4引脚必须短接在一起
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
www.Microsemi.com
1 - 10
APTCV50H60CT1G - 牧师0
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
2007年11月
APTCV40H60CT1G
1.2顶的SiC二极管的特性（ CR1 ， CR3 ）
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F（ AV ）
V
F
Q
C
C
R
thJC
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 100℃
民
600
典型值
50
100
10
1.6
2
14
65
50
最大
200
1000
1.8
2.4
单位
V
A
A
V
nC
pF
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
总容性充电
总电容
结到外壳热阻
V
R
=600V
占空比为50％
I
F
= 10A
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
I
F
= 10A ，V
R
= 300V
的di / dt = 500A / μs的
F = 1MHz时， V
R
= 200V
F = 1MHz时， V
R
= 400V
2.5
° C / W
2.底部开关
2.1下的CoolMOS 特性
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
600
36
27
115
±20
83
250
20
1
1800
单位
V
A
V
mΩ
W
A
mJ
T
c
= 25°C
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
3
典型值
www.Microsemi.com
3 - 10
APTCV50H60CT1G - 牧师0
2007年11月
V
GS
= 10V ，我
D
= 24.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 3毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
4
最大
100
5000
83
5
100
单位
A
mΩ
V
nA
APTCV40H60CT1G
动态特性
符号特性
C
国际空间站
输入电容
C
RSS
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
R
thJC
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
结到外壳热阻
测试条件
V
GS
= 0V ; V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 300V
I
D
= 36A
电感式开关（ 125°C ）
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 400V
I
D
= 36A
R
G
= 5Ω
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 10V ; V
公共汽车
= 400V
I
D
= 36A ;
G
= 5Ω
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 10V ; V
公共汽车
= 400V
I
D
= 36A ;
G
= 5Ω
民
典型值
7.2
0.041
250
43
135
21
30
240
52
531
590
762
725
最大
单位
nF
nC
ns
J
J
0.5
° C / W
源 - 漏二极管额定值和特性
符号特性
I
S
连续源电流
（体二极管）
V
SD
二极管的正向电压
的dv / dt峰值二极管恢复
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
TC = 25°C
TC = 80℃
V
GS
= 0V时，我
S
= - 36A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
210
350
2
5.4
民
典型值
36
27
最大
单位
A
1.2
40
V
V / ns的
ns
C
I
S
= - 36A
V
R
= 350V
di
S
/ DT = 100A / μs的
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
I
S
≤
- 36A的di / dt
≤
100A / μs的V
R
≤
V
DSS
T
j
≤
150°C
www.Microsemi.com
4 - 10
APTCV50H60CT1G - 牧师0
2007年11月
APTCV40H60CT1G
3.温度传感器
NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
电阻@ 25°C
R
25
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
民
典型值
50
3952
最大
单位
kΩ
K
四，包装特点
符号
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
民
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
150*
125
100
4.7
80
单位
V
°C
牛米
g
TJ = 175 ℃的海沟&场截止IGBT
5. SP1封装外形（单位mm）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
www.Microsemi.com
5 - 10
APTCV50H60CT1G - 牧师0
2007年11月
APTCV40H60CT1G
全 - 桥
的CoolMOS &沟道+场站
IGBT
电源模块
沟内&场站
IGBT Q1 ， Q3 ：
V
CES
= 600V ;我
C
= 50A @ T = 80℃
的CoolMOS Q2 ， Q4 ：
V
DSS
= 600V ;我
D
= 36A @ T C = 25°C
应用
3
4
太阳能转换器
特点
Q3
Q1
CR1
5
CR3
6
Q2
7
1
2
Q4
9
Q2 ， Q4的CoolMOS
- 超低R
DSON
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
- 快速内在二极管
Q1 ， Q3海沟&场截止IGBT
- 低电压降
- 开关频率高达20 kHz的
- RBSOA & SCSOA评分
- 低尾电流
-
-
-
-
SiC肖特基二极管（ CR1 ， CR3 ）
零反向恢复
零正向恢复
温度独立的开关行为
在VF正温度系数
8
11
NTC
10
12
顶部开关：沟道+场站IGBT
底部开关：的CoolMOS
极低的杂散电感
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源和信号端子可焊
为便于PCB安装
低调
符合RoHS
3/4引脚必须短接在一起
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
www.Microsemi.com
1 - 10
APTCV50H60CT1G - 牧师0
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
2007年11月
APTCV40H60CT1G
1.2顶的SiC二极管的特性（ CR1 ， CR3 ）
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F（ AV ）
V
F
Q
C
C
R
thJC
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 100℃
民
600
典型值
50
100
10
1.6
2
14
65
50
最大
200
1000
1.8
2.4
单位
V
A
A
V
nC
pF
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
总容性充电
总电容
结到外壳热阻
V
R
=600V
占空比为50％
I
F
= 10A
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
I
F
= 10A ，V
R
= 300V
的di / dt = 500A / μs的
F = 1MHz时， V
R
= 200V
F = 1MHz时， V
R
= 400V
2.5
° C / W
2.底部开关
2.1下的CoolMOS 特性
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
600
36
27
115
±20
83
250
20
1
1800
单位
V
A
V
mΩ
W
A
mJ
T
c
= 25°C
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
3
典型值
www.Microsemi.com
3 - 10
APTCV50H60CT1G - 牧师0
2007年11月
V
GS
= 10V ，我
D
= 24.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 3毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
4
最大
100
5000
83
5
100
单位
A
mΩ
V
nA
APTCV40H60CT1G
动态特性
符号特性
C
国际空间站
输入电容
C
RSS
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
R
thJC
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
结到外壳热阻
测试条件
V
GS
= 0V ; V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 300V
I
D
= 36A
电感式开关（ 125°C ）
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 400V
I
D
= 36A
R
G
= 5Ω
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 10V ; V
公共汽车
= 400V
I
D
= 36A ;
G
= 5Ω
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 10V ; V
公共汽车
= 400V
I
D
= 36A ;
G
= 5Ω
民
典型值
7.2
0.041
250
43
135
21
30
240
52
531
590
762
725
最大
单位
nF
nC
ns
J
J
0.5
° C / W
源 - 漏二极管额定值和特性
符号特性
I
S
连续源电流
（体二极管）
V
SD
二极管的正向电压
的dv / dt峰值二极管恢复
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
TC = 25°C
TC = 80℃
V
GS
= 0V时，我
S
= - 36A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
210
350
2
5.4
民
典型值
36
27
最大
单位
A
1.2
40
V
V / ns的
ns
C
I
S
= - 36A
V
R
= 350V
di
S
/ DT = 100A / μs的
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
I
S
≤
- 36A的di / dt
≤
100A / μs的V
R
≤
V
DSS
T
j
≤
150°C
www.Microsemi.com
4 - 10
APTCV50H60CT1G - 牧师0
2007年11月
APTCV40H60CT1G
3.温度传感器
NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
电阻@ 25°C
R
25
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
民
典型值
50
3952
最大
单位
kΩ
K
四，包装特点
符号
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
民
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
150*
125
100
4.7
80
单位
V
°C
牛米
g
TJ = 175 ℃的海沟&场截止IGBT
5. SP1封装外形（单位mm）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
www.Microsemi.com
5 - 10
APTCV50H60CT1G - 牧师0
2007年11月
QQ：2880707522 复制
