APTC90H12T1G
全 - 桥
超级结MOSFET
电源模块
3
Q1
5
6
Q2
7
1
Q4
9
4
Q3
2
V
DSS
= 900V
R
DSON
= 120MΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 30A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
- 超低R
DSON
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
8
11
NTC
10
12
3/4引脚必须短接在一起
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每条腿可以很容易地并联以实现阶段
电流能力的两倍的腿
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
900
30
23
75
±20
120
250
8.8
2.9
1940
单位
V
A
V
mΩ
W
A
mJ
2009年8月
1–5
APTC90H12T1G - 牧师0
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTC90H12T1G
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
4000
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
0.50
150
125
100
4.7
80
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号
R
25
R
25
/R
25
B
25/85
B/B
特征
电阻@ 25°C
T
25
= 298.15 K
T
C
=100°C
R
T
=
R
25
1
1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
25
T
T：热敏电阻温度
民
典型值
50
5
3952
4
最大
单位
kΩ
%
K
%
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
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3–5
APTC90H12T1G - 牧师0
2009年8月
APTC90H12T1G
典型性能曲线
0.6
热阻抗（ ℃/ W）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
单脉冲
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
V
GS
=20, 8V
80
6V
BV
DSS
，漏源击穿
电压
120
I
D
，漏电流（ A）
击穿电压与温度
1000
975
950
925
900
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
直流漏电流与外壳温度
35
I
D
，直流漏电流（ A）
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
5V
40
0
0
5
10
15
V
DS
，漏源极电压（ V）
最大安全工作区
1000
I
D
，漏电流（ A）
20
100
限于由R
DS
on
100 s
10
10毫秒
1
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1
10
100
1000
0.1
V
DS
，漏源极电压（ V）
电容VS漏极至源极电压
V
GS
，门源电压（ V）
100000
C，电容（pF ）
10000
1000
100
10
1
0
25 50 75 100 125 150 175 200
V
DS
，漏源极电压（ V）
CRSS
西塞
10
8
6
4
2
0
栅极电荷VS门源电压
V
DS
=400V
I
D
=26A
T
J
=25°C
科斯
0
50
100 150 200
栅极电荷（ NC）
250
300
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APTC90H12T1G - 牧师0
2009年8月
APTC90H12T1G
250
200
ZVS
V
DS
=600V
D=50%
R
G
=7.5
T
J
=125°C
T
C
=75°C
R
DS （ ON）
，漏极至源极导通电阻
（归一化）
工作频率与漏电流
在电阻与温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
开关能量VS栅极电阻
频率（kHz ）
150
100
50
0
10
ZCS
HARD
开关
12.5
15
17.5
20
22.5
25
I
D
，漏电流（ A）
开关能量VS电流
4
EON和的Eoff （兆焦耳）
3
2
EOFF
V
DS
=600V
R
G
=7.5
T
J
=125°C
L=100H
4
开关能量（mJ ）
宙
3
EOFF
V
DS
=600V
I
D
=26A
T
J
=125°C
L=100H
宙
2
1
0
5
10
15
20
25
30
I
D
，漏电流（ A）
35
40
1
0
5
10
15
20
25
30
35
栅极电阻（欧姆）
“ COOLMOS 包括由英飞凌科技股份公司开发了晶体管的一个新的家庭。 “ COOLMOS ”是英飞凌的商标。
科技股份公司“ 。
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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5–5
APTC90H12T1G - 牧师0
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2009年8月
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