APTC80DSK15T3
双降压斩波
超级结MOSFET
V
DSS
= 800V
R
DSON
= 150mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 28A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
11
22
19
CR1
23
8
CR2
7
10
电源模块
13 14
Q1
Q2
18
特点
- 超低R
DSON
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
29
15
30
31
R1
32
16
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每个腿能够容易地并联以实现单
电流能力的两倍的降压
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
V
m
W
A
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–6
APTC80DSK15T3 - 牧师2004年0月，
最大额定值
800
28
21
110
±30
150
277
24
0.5
670
单位
V
A
APTC80DSK15T3
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
漏极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 375A
民
800
V
GS
= 0V,V
DS
= 800V
V
GS
= 0V,V
DS
= 800V
典型值
最大
50
375
150
3.9
±150
单位
V
A
m
V
nA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.1
3
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 400V
I
D
= 28A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 533V
I
D
= 28A
R
G
= 2.5
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 533V
I
D
= 28A ，R
G
= 2.5
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 533V
I
D
= 28A ，R
G
= 2.5
民
典型值
4507
2092
108
180
22
90
10
13
83
35
486
278
850
342
最大
单位
pF
nC
ns
J
J
二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F（ A V ）
V
F
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
测试条件
V
R
=1000V
占空比为50％
民
1000
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
c
= 100°C
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 60A
V
R
= 667V
di/dt=200A/s
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
280
350
760
3600
ns
nC
E
on
包括二极管的反向恢复。
按照JEDEC标准JESD24-1 。
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APTC80DSK15T3 - 牧师2004年0月，
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
T
j
= 125°C
60
1.9
2.2
1.7
2.5
V
APTC80DSK15T3
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
民
典型值
最大
0.45
0.9
150
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M4
温度传感器NTC
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
民
典型值
68
4080
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
R
T
：热敏电阻在T值
包装外形
1
12
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17
28
APTC80DSK15T3
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.5
0.45
0.9
0.4
0.35
0.7
0.3
0.25
0.5
0.2
0.3
0.15
0.1
0.1
0.05
0.05
0
0.00001
热阻抗（ ℃/ W）
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
80
70
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS （ ON）
VS漏电流
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
10
20
30
40
I
D
，漏电流（ A）
50
60
V
GS
=20V
Transfert特点
100
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） XRDS （上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
V
GS
=15&10V
6V
5.5V
5V
4.5V
4V
I
D
，漏电流（ A）
6.5V
80
60
40
20
0
0
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，门源电压（ V）
R
DS
（上）漏源导通电阻
直流漏电流与外壳温度
30
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 14A
V
GS
=10V
25
20
15
10
5
0
T
C
，外壳温度（ ° C）
APTC80DSK15T3 - 牧师2004年0月，
25
50
75
100
125
150
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APTC80DSK15T3
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50
0
50
100
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100000
C，电容（pF ）
1000
在电阻与温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
= 14A
100
受
R
DSON
100s
10
1ms
10ms
单脉冲
T
J
=150°C
1
100ms
1
0
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
，门源电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
40
80
120
160
200
APTC80DSK15T3 - 牧师2004年0月，
V
DS
=640V
I
D
=28A
T
J
=25°C
V
DS
=160V
V
DS
=400V
10000
西塞
科斯
CRSS
1000
100
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷（ NC）
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QQ：2880707522 复制
