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APTC60DSKM24T3G
双降压斩波
超级结MOSFET
电源模块
13 14
Q1
18
22
19
CR1
23
8
CR2
7
10
Q2
11
V
DSS
= 600V
R
DSON
= 24mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 95A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
- 超低R
DSON
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器,方便
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
29
15
30
31
R1
32
16
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每个腿能够容易地并联以实现单
电流能力的两倍的降压
符合RoHS
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流(重复,不重复)
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
600
95
70
260
±20
24
462
15
3
1900
单位
V
A
V
W
A
mJ
2009年8月
1–7
APTC60DSKM24T3G - 牧师0
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTC60DSKM24T3G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.1
典型值
V
GS
= 10V ,我
D
= 47.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 5毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
3
最大
350
600
24
3.9
200
单位
A
V
nA
动态特性
符号特性
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V ; V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 300V
I
D
= 95A
电感式开关( 125°C )
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 400V
I
D
= 95A
R
G
= 2.5Ω
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 10V ; V
公共汽车
= 400V
I
D
= 95A ;
G
= 2.5Ω
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 10V ; V
公共汽车
= 400V
I
D
= 95A ;
G
= 2.5Ω
典型值
14.4
17
300
68
102
21
30
100
45
1350
1040
2200
1270
J
ns
nC
最大
单位
nF
J
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
I
F
= 100A
I
F
= 200A
I
F
= 100A
I
F
= 100A
V
R
= 400V
di/dt=200A/s
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
c
= 80°C
600
典型值
最大
100
500
100
1.6
2
1.3
160
220
290
1530
2
V
单位
V
A
A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
ns
nC
www.Microsemi.com
2–7
APTC60DSKM24T3G - 牧师0
2009年8月
APTC60DSKM24T3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
晶体管
二极管
4000
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
0.27
0.55
150
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
散热器来
M4
温度传感器NTC
(见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息) 。
符号
R
25
R
25
/R
25
B
25/85
B/B
特征
电阻@ 25°C
T
25
= 298.15 K
T
C
=100°C
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T:热敏电阻温度
1
R
T
:热敏电阻在T值
典型值
50
5
3952
4
最大
单位
%
K
%
SP3封装外形
(单位:mm )
1
12
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
www.Microsemi.com
3–7
APTC60DSKM24T3G - 牧师0
2009年8月
17
28
APTC60DSKM24T3G
典型的CoolMOS性能曲线
0.3
热阻抗( ℃/ W)
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
矩形脉冲持续时间(秒)
低电压输出特性
720
640
I
D
,漏电流( A)
560
480
400
320
240
160
80
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏源极电压( V)
R
DS
( ON)与漏电流
1.3
I
D
,直流漏电流( A)
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0
40
80
120 160 200 240 280
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=20V
归一
V
GS
= 10V @ 95A
V
GS
=10V
5V
4.5V
4V
V
GS
=15&10V
Transfert特点
280
I
D
,漏电流( A)
240
200
160
120
80
40
0
0
2
3
4
5
6
V
GS
,门源电压( V)
1
7
T
J
=125°C
T
J
=25°C
V
DS
& GT ;我
D
(上) xR的
DS
(上)最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
6.5V
6V
5.5V
R
DS
(上)漏源导通电阻
直流漏电流与外壳温度
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
T
C
,外壳温度( ° C)
150
2009年8月
4–7
APTC60DSKM24T3G - 牧师0
www.Microsemi.com
APTC60DSKM24T3G
R
DS
(上) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
击穿电压与温度
BV
DSS
,漏源击穿
电压(归)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( ° C)
阈值电压与温度
1.1
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
电容VS漏极至源极电压
1000000
C,电容(pF )
100000
10000
1000
100
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏源极电压( V)
CRSS
科斯
西塞
1000
I
D
,漏电流( A)
在电阻与温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( ° C)
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
= 95A
100
限于由R
DS
on
100 s
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1毫秒
10毫秒
1
1
10
100
1000
V
DS
,漏源极电压( V)
栅极电荷VS门源电压
V
GS
,门源电压( V)
12
10
8
6
4
2
0
0
40
2009年8月
5–7
APTC60DSKM24T3G - 牧师0
V
DS
=480V
I
D
=95A
T
J
=25°C
V
DS
=120V
V
DS
=300V
80 120 160 200 240 280 320
栅极电荷( NC)
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
APTC60DSKM24T3G
Microsemi Corporation
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
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