APTC60DSKM24T3G
双降压斩波
超级结MOSFET
电源模块
13 14
Q1
18
22
19
CR1
23
8
CR2
7
10
Q2
11
V
DSS
= 600V
R
DSON
= 24mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 95A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
- 超低R
DSON
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器,方便
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
29
15
30
31
R1
32
16
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每个腿能够容易地并联以实现单
电流能力的两倍的降压
符合RoHS
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流(重复,不重复)
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
600
95
70
260
±20
24
462
15
3
1900
单位
V
A
V
mΩ
W
A
mJ
2009年8月
1–7
APTC60DSKM24T3G - 牧师0
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTC60DSKM24T3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
晶体管
二极管
4000
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.27
0.55
150
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
散热器来
M4
温度传感器NTC
(见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息) 。
符号
R
25
R
25
/R
25
B
25/85
B/B
特征
电阻@ 25°C
T
25
= 298.15 K
T
C
=100°C
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T:热敏电阻温度
1
R
T
:热敏电阻在T值
民
典型值
50
5
3952
4
最大
单位
kΩ
%
K
%
SP3封装外形
(单位:mm )
1
12
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
www.Microsemi.com
3–7
APTC60DSKM24T3G - 牧师0
2009年8月
17
28
APTC60DSKM24T3G
R
DS
(上) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
击穿电压与温度
BV
DSS
,漏源击穿
电压(归)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( ° C)
阈值电压与温度
1.1
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
电容VS漏极至源极电压
1000000
C,电容(pF )
100000
10000
1000
100
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏源极电压( V)
CRSS
科斯
西塞
1000
I
D
,漏电流( A)
在电阻与温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( ° C)
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
= 95A
100
限于由R
DS
on
100 s
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1毫秒
10毫秒
1
1
10
100
1000
V
DS
,漏源极电压( V)
栅极电荷VS门源电压
V
GS
,门源电压( V)
12
10
8
6
4
2
0
0
40
2009年8月
5–7
APTC60DSKM24T3G - 牧师0
V
DS
=480V
I
D
=95A
T
J
=25°C
V
DS
=120V
V
DS
=300V
80 120 160 200 240 280 320
栅极电荷( NC)
www.Microsemi.com