APTC60AM24T1G
相脚
超级结MOSFET
电源模块
5
Q1
7
8
Q2
9
10
3
4
NTC
6
11
V
DSS
= 600V
R
DSON
= 24mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 95A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
- 超低R
DSON
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
1
2
12
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
管脚1/2 ; 3/4 ; 5/6必须短接在一起
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
600
95
70
260
±20
24
462
15
3
1900
单位
V
A
V
m
W
A
mJ
2007年8月，
1–6
APTC60AM24T1G - 牧师0
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTC60AM24T1G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.1
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 47.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 5毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
3
最大
350
600
24
3.9
200
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号特性
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V ; V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 300V
I
D
= 95A
电感式开关（ 125°C ）
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 400V
I
D
= 95A
R
G
= 2.5
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 10V ; V
公共汽车
= 400V
I
D
= 95A ;
G
= 2.5
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 10V ; V
公共汽车
= 400V
I
D
= 95A ;
G
= 2.5
民
典型值
14.4
17
300
68
102
21
30
100
45
1350
1040
2200
1270
J
ns
nC
最大
单位
nF
J
源 - 漏二极管额定值和特性
符号特性
I
S
连续源电流
（体二极管）
V
SD
二极管的正向电压
的dv / dt峰值二极管恢复
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
TC = 25°C
TC = 80℃
V
GS
= 0V时，我
S
= - 95A
I
S
= - 95A
V
R
= 350V
di
S
/ DT = 200A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
600
34
民
典型值
95
70
最大
单位
A
1.2
4
V
V / ns的
ns
C
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2–6
APTC60AM24T1G - 牧师0
2007年8月，
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
I
S
≤
- 95A
的di / dt
≤
200A/s
V
R
≤
V
DSS
T
j
≤
150°C
APTC60AM24T1G
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
0.27
150
125
100
4.7
80
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
25
T
T：热敏电阻温度
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
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3–6
APTC60AM24T1G - 牧师0
2007年8月，
APTC60AM24T1G
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.1
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
1000000
C，电容（pF ）
100000
10000
1000
100
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
CRSS
科斯
西塞
1000
I
D
，漏电流（ A）
在电阻与温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
= 95A
100
限于由R
DS
on
100 s
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1毫秒
10毫秒
1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
V
GS
，门源电压（ V）
12
10
8
6
4
2
0
0
40
80 120 160 200 240 280 320
栅极电荷（ NC）
2007年8月，
V
DS
=480V
I
D
=95A
T
J
=25°C
V
DS
=120V
V
DS
=300V
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5–6
APTC60AM24T1G - 牧师0
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