APTC60AM24SCTG
相脚
系列&碳化硅二极管并联
超级结
MOSFET功率模块
NTC2
VBUS
Q1
V
DSS
= 600V
R
DSON
= 24mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 95A @ T C = 25°C
应用
电机控制
开关电源
不间断电源
特点
-
-
-
-
超低低R
DSON
低米勒电容
超低栅极电荷
额定雪崩能量
G1
OUT
S1
Q2
G2
平行SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度独立的开关行为
- 对VF正温度系数
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
0 / VBU S
S2
NTC1
OUT
VBUS
OUT
0/VBUS
S1
G1
S2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
最大额定值
600
95
70
260
±20
24
462
15
3
1900
单位
V
A
V
mΩ
W
A
mJ
2009年8月
1–7
APTC60AM24SCTG - 牧师0
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTC60AM24SCTG
碳化硅并联二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
Q
C
C
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
总容性充电
总电容
I
F
= 40A
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
TC = 100℃
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
民
600
典型值
200
400
40
1.6
2.0
56
260
200
最大
800
4000
1.8
2.4
单位
V
A
A
V
nC
pF
I
F
= 40A ，V
R
= 300V
的di / dt = 1200A / μs的
F = 1MHz时， V
R
= 200V
F = 1MHz时， V
R
= 400V
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
晶体管
串联二极管
4000
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.27
0.45
0.8
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
碳化硅二极管并联
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M5
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号
R
25
R
25
/R
25
B
25/85
B/B
特征
电阻@ 25°C
T
25
= 298.15 K
T
C
=100°C
R
T
=
R
25
1
1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
25
T
T：热敏电阻温度
民
典型值
50
5
3952
4
最大
单位
kΩ
%
K
%
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3–7
APTC60AM24SCTG - 牧师0
2009年8月
APTC60AM24SCTG
SP4封装外形
（单位：mm ）
所有尺寸注明" * "如TOLERENCED ：
请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上www.microsemi.com
典型的CoolMOS性能曲线
0.3
热阻抗（ ℃/ W）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
720
640
I
D
，漏电流（ A）
560
480
400
320
240
160
80
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 95A
V
GS
=10V
5V
4.5V
4V
Transfert特点
280
I
D
，漏电流（ A）
240
200
160
120
80
40
0
25
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
7
T
J
=125°C
T
J
=25°C
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
V
GS
=15&10V
6.5V
6V
5.5V
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.3
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0
80
60
40
20
0
V
GS
=20V
40
80
120 160 200 240 280
25
I
D
，漏电流（ A）
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
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4–7
APTC60AM24SCTG - 牧师0
2009年8月
直流漏电流与外壳温度
100
APTC60AM24SCTG
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.1
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
1000000
C，电容（pF ）
100000
10000
1000
100
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
CRSS
科斯
西塞
1000
I
D
，漏电流（ A）
在电阻与温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
= 95A
100
限于由R
DS
on
100 s
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1毫秒
10毫秒
1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
V
GS
，门源电压（ V）
12
10
8
6
4
2
0
0
40
80 120 160 200 240 280 320
栅极电荷（ NC）
V
DS
=480V
I
D
=95A
T
J
=25°C
V
DS
=120V
V
DS
=300V
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5–7
APTC60AM24SCTG - 牧师0
2009年8月
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