APTC60AM18SC
相脚
系列&碳化硅二极管并联
超级结
MOSFET功率模块
V
DSS
= 600V
R
DSON
= 18mW功率最大@ TJ = 25°C
I
D
= 143A @ T C = 25°C
应用
·
电机控制
·
开关电源
·
不间断电源
特点
·
-
-
-
-
·
超低低R
DSON
低米勒电容
超低栅极电荷
额定雪崩能量
平行SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度独立的开关行为
- 对VF正温度系数
开尔文源驱动器,方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
低调
·
·
G1
S1
VBUS
0/VBUS
OUT
·
好处
S2
G2
·
·
·
·
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流(重复,不重复)
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
600
143
107
572
±30
18
833
20
1
1800
单位
V
A
V
mW
W
A
mJ
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–7
APTC60AM18SC - 修订版2004年5月1日
APTC60AM18SC
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
DSS
漏极 - 源极击穿电压
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 1000A
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
T
j
= 25°C
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
T
j
= 125°C
V
GS
= 10V ,我
D
= 71.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 4毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
民
600
典型值
最大
100
1000
18
3.9
±200
单位
V
A
mW
V
nA
2.1
3
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
宙
EOFF
宙
EOFF
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
u
导通开关能量
关断开关能量
u
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 300V
I
D
= 143A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
D
= 143A
R
G
= 1.2W
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 400V
I
D
= 143A ,R
G
= 1.2
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 400V
I
D
= 143A ,R
G
= 1.2
民
典型值
28
10.2
0.85
1036
116
444
21
30
283
84
1608
3920
2630
4824
J
ns
nC
最大
单位
nF
J
u
按照JEDEC标准JESD24-1 。
串联二极管额定值和特性
符号特性
最大平均正向电流
I
F( AV )
V
F
二极管的正向电压
测试条件
占空比为50%
I
F
= 120A
I
F
= 240A
I
F
= 120A
I
F
= 120A
V
R
= 133V
的di / dt = 400A / μs的
I
F
= 120A
V
R
= 133V
的di / dt = 400A / μs的
民
T
c
= 85°C
典型值
120
1.1
1.4
0.9
31
60
120
500
最大
1.15
V
APTC60AM18SC - 修订版2004年5月1日
单位
A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
ns
nC
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2–7
APTC60AM18SC
并联二极管额定值和特性
符号特性
最大平均正向电流
I
F( AV )
V
F
Q
C
Q
二极管的正向电压
总容性充电
总电容
测试条件
占空比为50%
民
TC = 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
I
F
= 80A
典型值
80
1.6
2.0
112
520
400
最大
1.8
2.4
单位
A
V
nC
pF
I
F
= 80A ,V
R
= 300V
的di / dt = 2000A / μs的
F = 1MHz时, V
R
= 200V
F = 1MHz时, V
R
= 400V
民
晶体管
串联二极管
并联二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
典型值
最大
0.15
0.46
0.35
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
包装外形
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3–7
APTC60AM18SC - 修订版2004年5月1日
APTC60AM18SC
典型的CoolMOS性能曲线
0.16
热阻抗( ℃/ W)
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
0.5
0.3
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
0.9
0.7
0
0.00001
矩形脉冲持续时间(秒)
低电压输出特性
800
700
I
D
,漏电流( A)
600
500
400
300
200
100
0
0
5V
4.5V
4V
5
10
15
20
V
DS
,漏源极电压( V)
R
DS
( ON)与漏电流
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0
40
80
120
160
200
240
I
D
,漏电流( A)
I
D
,直流漏电流( A)
归一
V
GS
= 10V @ 71.5A
Transfert特点
540
V
DS
& GT ;我
D
(上) xR的
DS
(上)最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
6.5V
6V
5.5V
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=15&10V
450
360
270
180
90
0
T
J
=125°C
T
J
=25°C
0
1
T
J
=-55°C
7
25
2
3
4
5
6
V
GS
,门源电压( V)
R
DS
(上)漏源导通电阻
直流漏电流与外壳温度
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
T
C
,外壳温度( ° C)
150
APTC60AM18SC - 修订版2004年5月1日
V
GS
=10V
V
GS
=20V
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APTC60AM18SC
R
DS
(上) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
击穿电压与温度
BV
DSS
,漏源击穿
电压(归)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
阈值电压与温度
1.2
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
电容VS漏极至源极电压
100000
西塞
C,电容(pF )
10000
科斯
1000
I
D
,漏电流( A)
限于由R
DS
on
在电阻与温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
= 143A
100 s
100
1毫秒
10
单脉冲直流线路
T
J
=150°C
1
1
10
100
1000
V
DS
,漏源极电压( V)
栅极电荷VS门源电压
10毫秒
V
GS
,门源电压( V)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
200
400 600 800
栅极电荷( NC)
1000 1200
I
D
=143A
T
J
=25°C
V
DS
=120V
V
DS
=300V
V
DS
=480V
1000
CRSS
100
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏源极电压( V)
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