APT9F100B
APT9F100S
1000V ，9A ， 1.6Ω最大， TRR
≤200ns
N沟道FREDFET
功率MOS 8是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率
MOSFET。这个' FREDFET “版本的漏极 - 源极（体）二极管，它一直opti-
在ZVS阶段而得到优化的高可靠性移动桥梁和其他电路，通过减少
t
rr
，软恢复，回收率高dv / dt能力。低栅电荷，高增益，和一
的C大大降低比例
RSS
/C
国际空间站
因此在良好的抗干扰性和低开关
损失。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制di / dt的切换，从而导致低的EMI和可靠并联，即使在
当在非常高的频率切换。
TO
-2
47
D
3
PAK
APT9F100B
APT9F100S
D
单芯片FREDFET
G
S
特点
快速，低EMI转换
低反向恢复时间trr高可靠性
超低的Crss ，以提高抗噪声能力
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
ZVS移相和其他全桥
半桥
PFC等升压转换器
降压转换器
单和两个开关正激
反激式
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
9
5
37
±30
574
5
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
包装重量
0.22
6.2
10
1.1
-55
0.15
150
300
民
典型值
最大
337
0.37
单位
W
° C / W
°C
oz
g
·在磅
N·m的
力矩
安装扭矩（ TO- 247封装） ， 6-32或M3螺丝
050-8169修订版B 05-2009
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250μA
参考至25℃ ，我
D
= 250μA
V
GS
= 10V
,
I
D
= 5A
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
V
DS
= 1000V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
APT9F100B_S
典型值
1.15
1.28
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
Ω
V
毫伏/°C的
μA
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
1000
2.5
1.6
5
250
1000
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 5A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
10.0
2606
35
219
85
最大
单位
S
pF
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至670V
5
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 5A,
V
DS
= 500V
电阻开关
V
DD
= 670V
,
I
D
= 5A
R
G
= 10Ω
6
,
V
GG
= 15V
46
80
14
36
25
27
84
24
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
9
单位
G
S
A
37
1.3
200
345
V
ns
μC
A
25
V / ns的
I
SD
= 5A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
SD
= 5A
3
di
SD
/
DT = 100A / μs的
V
DD
= 100V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
SD
≤
如图5A所示， di / dt的
≤1000A/μs,
V
DD
= 500V,
T
J
= 125°C
172
286
.67
1.5
8
11
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 53mH ，R
G
= 25Ω, I
AS
= 4A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
050-8169修订版B 05-2009
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个
用相同的存储的电荷为C固定的电容
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个
用相同的存储的能量为C固定的电容
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -3.43E -8 / V
DS
^ 2 + 1.44E - 8 / V
DS
+ 5.38E-11.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
APT9F100B_S
60
I
DM
60
I
DM
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
10
RDS （ ON）
13μs
100μs
1ms
10ms
100ms
DC线
13μs
100μs
1
RDS （ ON）
1ms
10ms
100ms
DC线
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T = 25℃）
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
°
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
1
0.40
0.35
0.30
0.7
0.25
0.20
0.15
0.3
0.10
0.05
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.5
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
D = 0.9
PDM
t1
t2
t
1
=脉冲持续时间
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图11.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
1.0
TO- 247 （B ）封装外形
E1 100 ％锡镀
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
D
3
PAK封装外形
漏
（散热器）
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
050-8169修订版B 05-2009
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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