800V 15A
APT8052BFLL
APT8052SFLL
BFLL
0.520
功率MOS 7
R
FREDFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
D
3
PAK
TO-247
SFLL
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
快速恢复体二极管
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT8052BFLL_SFLL
单位
伏
安培
800
15
60
±30
±40
298
2.38
-55到150
300
15
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.520
250
1000
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 7.5A)
欧
A
nA
伏
7-2004
050-7059修订版B
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 640V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
APT8052BFLL_SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 15A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 400V
I
D
= 15A @ 25°C
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V V
GS
= 15V
I
D
= 15A ，R
G
= 5
I
D
= 15A ，R
G
= 5
R
G
= 1.6
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
民
典型值
最大
单位
pF
2035
405
60
75
11
50
9
6
23
7
215
90
420
110
民
典型值
最大
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
1
2
6
nC
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
单位
安培
伏
V / ns的
ns
C
安培
15
60
1.3
18
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -15A)
dv
/
5
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -15A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -15A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -15A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
200
350
0.69
2.66
8
14
典型值
最大
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
单位
° C / W
0.42
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
0.45
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 10.76mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 15A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
15A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
800
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.9
0.7
0.5
注意：
PDM
7-2004
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-4
t1
t2
050-7059修订版B
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
典型性能曲线
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5.5V
5V
7V
6.5V
VGS = 15 V &10
APT8052BFLL_SFLL
8V
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.164
动力
（瓦特）
0.257
外壳温度。 （ ° C）
0.125F
0.00592F
I
D
，漏极电流（安培）
6V
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
图2 ，瞬态热阻抗模型
40
35
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
GS
归一
= 10V @ I = 7.5A
D
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
VGS=10V
30
25
20
15
10
5
0
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
VGS=20V
0
16
14
I
D
，漏极电流（安培）
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
5
10
15
20
25
30
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
12
10
8
6
4
2
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
V
D
0.90
-50
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 7.5A
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
GS
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7059修订版B
7-2004
典型性能曲线
60
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
7,000
APT8052BFLL_SFLL
西塞
5
C，电容（pF ）
10
100S
1,000
科斯
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
10
100
800
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
1mS
10mS
100
CRSS
.1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
= 15A
100
12
VDS=100V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
8
VDS=250V
VDS=400V
4
20
40
60
80
100
120
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
60
50
t
D（关闭）
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
35
30
25
t
f
V
DD
G
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
40
30
20
10
V
DD
G
= 533V
= 533V
R
= 5
t
r
和T
f
（纳秒）
T = 125°C
J
20
15
10
5
0
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
L = 100μH
t
r
t
D（上）
0
5
15
20
25
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
10
700
600
开关能量（ μJ ）
= 533V
15
20
25
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
1000
V
I
DD
5
10
= 533V
R
= 5
D
J
= 15A
T = 125°C
J
500
400
300
200
100
0
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
开关能量（ μJ ）
L = 100μH
800
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
600
E
on
400
E
on
7-2004
E
关闭
200
050-7059修订版B
15
20
25
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
5
10
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
APT8052BFLL_SFLL
t
D（关闭）
栅极电压
T
J
125°C
t
D（上）
漏电流
漏极电压
90%
t
r
90%
5%
10%
开关能量
5%
漏极电压
t
f
10%
0
漏电流
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT15DF100
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7059修订版B
门
漏
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
散热器（漏）
并导致
镀
7-2004
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
APT8052BFLL
APT8052SFLL
800V 15A 0.520
W
BFLL
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
TM
FREDFET
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
SFLL
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
快速恢复体二极管
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT8052
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
800
15
60
±30
±40
295
2.36
300
15
30
（重复，不重复）
1
4
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
-55到150
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
800
15
0.520
250
1000
3
5
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
8-2001
050-7059
转 -
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT8052 BFLL - SFLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
V
GS
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
2040
390
65
75
10
43
13
12
52
15
nC
栅极 - 源电荷
导通延迟时间
上升时间
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
特性/测试条件
脉冲源电流
1
连续源电流（体二极管）
（体二极管）
5
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -I
D
[续]
di
/
dt
= 100A / μs）内
L
A
IC
N
H
C
TE TION
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 1.6W
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
民
典型值
2
ns
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
15
60
1.3
18
200
350
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
[续] ）
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0.7
1.8
11
17
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
C
安培
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.42
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 10.75mH ， R = 25W ，峰值I = 15A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性，而不是
dt
设备本身。
IS
-
ID
续。
di
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
[
]
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
8-2001
0.40 (.016)
0.79 (.031)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
转 -
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-7059
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2880707522 复制
