APT8014JLL
800V 42A 0.140
功率MOS 7
R
MOSFET
G
S
D
S
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS ( ON)
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
T-
SO
27
2
"UL Recognized"
ISOTOP
D
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT8014JLL
单位
伏
安培
800
42
168
±30
±40
595
4.76
-55到150
300
42
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃,
°C
安培
mJ
(重复,不重复)
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
800
0.140
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V , 21A )
欧
A
nA
伏
12-2003
050-7105修订版A
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 800V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 640V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT8014JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 52A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 400V
I
D
= 52A @ 25°C
R
G
= 0.6
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 52A ,R
G
= 3
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 52A ,R
G
= 3
民
典型值
最大
单位
7238
1402
248
285
30
170
20
19
69
15
1091
1135
1662
1383
J
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
42
168
1.3
930
29
10
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D
52A
)
反向恢复时间(I
S
= -I
D
52A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -I
D
52A
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.21
40
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试:脉冲宽度< 380微秒,占空比< 2 %
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C,L = 3.63mH ,R
G
= 25Ω ,峰值I
L
= 42A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性,而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
42A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
800V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18,20 。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.25
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.20
0.9
0.15
0.7
注意:
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
12-2003
0.5
0.10
0.3
0.05
0.1
0.05
10
-5
10
-4
10
-3
050-7105修订版A
0
单脉冲
10
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
典型性能曲线
140
I
D
,漏极电流(安培)
遥控模型
连接点
温度。 ( “C )
0.0492
0.0273F
APT8014JLL
120
100
80
60
5.5V
40
20
0
5V
VGS = 15 & 10V
8V
7V
6.5V
6V
动力
(瓦特)
0.142
0.469F
0.0189
外壳温度
44.2F
图2 ,瞬态热阻抗模型
140
120
100
80
60
TJ = + 25°C
40
20
0
TJ = + 125°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
TJ = -55°C
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
1.40
归一
= 10V @ 26A
V
GS
I
D
,漏极电流(安培)
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
0
20
40
60
80
100
120
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
45
40
I
D
,漏极电流(安培)
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
I
V
D
1.15
35
30
25
20
15
10
5
0
25
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
2.5
= 26A
= 10V
GS
2.0
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
1.1
1.0
1.5
0.9
12-2003
050-7105修订版A
1.0
0.8
0.5
0.7
0.6
-50
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
APT8014JLL
168
100
I
D
,漏极电流(安培)
20,000
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
10,000
C,电容(pF )
西塞
50
100S
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100
800
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
I
D
1,000
科斯
1mS
10mS
CRSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
200
100
100
= 52A
12
VDS = 160V
VDS = 400V
I
DR
,反向漏电流(安培)
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
16
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
8
VDS = 640V
4
100 150 200 250 300 350 400
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
160
140
120
t
D(上)
和T
D(关闭)
(纳秒)
V
R
= 3
0
0
50
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,源极 - 漏极二极管的正向电压
140
V
DD
G
1
t
D(关闭)
120
100
DD
G
= 533V
R
= 3
T = 125°C
J
L = 100μH
= 533V
t
f
t
r
和T
f
(纳秒)
100
80
60
40
20
T = 125°C
J
80
60
40
20
t
r
L = 100μH
t
D(上)
0
10
40
50
60
70
80
I
D
(A)
图14 ,延迟时间 - 电流
DD
G
20
30
40
50
60
70
80
I
D
(A)
图15 ,上升和下降时间 - 电流
12000
V
I
DD
0
10
20
30
3000
2500
开关能量( μJ )
V
= 533V
= 533V
R
= 3
D
J
= 52A
T = 125°C
J
10000
开关能量( μJ )
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
关闭
L = 100μH
2000
1500
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
8000
6000
E
on
1000
500
0
10
E
关闭
12-2003
4000
2000
0
E
on
050-7105修订版A
40
50
60
70
80
I
D
(A)
图16 ,开关能量 - 电流
20
30
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图17 ,交换能量 - 栅极电阻
0
5
典型性能曲线
APT8014JLL
10 %
T = 125℃
J
t
D(上)
90%
t
r
5%
开关能量
90%
栅极电压
T = 125℃
J
t
D(关闭)
漏极电压
90%
tf
10%
漏电流
开关能量
5%
10 %
0
图18 ,导通开关波形和定义
图19 ,关断开关波形和定义
APT30DF60
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ,电感式开关测试电路
SOT- 227 ( ISOTOP
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米(英寸)
ISOTOP
SGS是汤姆逊公司的注册商标。
门
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7105修订版A
12-2003
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
APT8014JLL
800V 42A 0.140
W
功率MOS 7
TM
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗,高电压, N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS ( ON)
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
S
G
D
S
S
ISOTOP
T-
O
27
2
"UL Recognized"
更高的功耗
容易驾驶
热门SOT- 227封装
D
G
S
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT8014JLL
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
800
42
168
±30
±40
595
4.76
300
42
50
-55到150
(重复,不重复)
1
4
伏
瓦
W / ℃,
°C
安培
mJ
3200
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
800
42
0.140
100
500
±100
3
5
(V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V , 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-7105冯 - 9-2001
零栅极电压漏极电流(V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ,T
C
= 125°C)
门源漏电流(V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 5毫安)
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德,俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话: ( 541 ) 382-8028
电话: ( 33 ) 5 57 92 15 15
传真: ( 541 ) 388-0364
FAX : ( 33 ) 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT8014JLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
民
典型值
最大
单位
7710
1480
244
284
37
20
19
69
15
161
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
VA FO
值D N
A
I
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
民
典型值
(体二极管)
2
ns
最大
单位
安培
伏
ns
C
42
168
1.3
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间(I
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
反向恢复电荷(我
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
930
29.0
10
V / ns的
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.21
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C,L = 3.63mH , R = 25W ,峰值I = 42A
温度。
j
G
L
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380 μS ,占空比< 2 %
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性,而不是
dt
设备本身。
IS
-
ID
续。
di
/
dt
700A/s
VR
VDSS TJ
150
°
C
[
]
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结
SOT- 227 ( ISOTOP
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
050-7105冯 - 9-2001
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米(英寸)
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个: 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
门
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058