50
50
APT7F100B_S
I
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
DM
10
I
DM
RDS （ ON）
13s
100s
13s
100s
1
RDS （ ON）
1ms
10ms
100ms
DC线
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
1ms
10ms
100ms
DC线
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 9, Forward Safe Operating Area
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Figure 10, Maximum Forward Safe Operating Area
1
0.50
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.40
D = 0.9
0.7
0.5
0.3
注意：
0.30
PDM
0.20
t1
t2
0.10
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
0
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
Figure 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance Junction-to-Case vs Pulse Duration
1.0
TO-247 (B) Package Outline
E1 100 ％锡镀
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
D
3
PAK封装外形
漏
（散热器）
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
050-8166修订版B 05-2009
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
Microsemi’s products are covered by one or more of U.S. patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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