APT77N60BC6
APT77N60SC6
600V
77A 0.041Ω
OLMOS
O
功率半导体
超级结MOSFET
TO
-2
4
7
超低低R
DS （ ON）
低米勒电容
超低栅极电荷，Q
g
额定雪崩能量
至尊的dv / dt评分
热门TO- 247或表面贴装
3
封装。
D
3
PAK
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有单位裸片评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT77N60B_SC6
600
77
49
272
±20
481
- 55 150
300
13.4
2
单位
伏
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
2
伏
瓦
°C
安培
mJ
重复性雪崩能量
（ID = 13.4A ， VDD = 50V ）
（ID = 13.4A ， VDD = 50V ）
2.96
1954
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
BV
（ DSS ）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA)
漏源导通电阻
3
民
600
典型值
最大
单位
伏
(V
GS
= 10V ，我
D
= 44.4A)
.037
.041
25
250
±100
欧
μA
050-7210修订版A 8-2010
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 25°C)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 150°C)
门源漏电流（V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.96毫安）
2.5
3
nA
伏
3.6
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS 包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
4
APT77N60B_SC6
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 77A @ 25°C
电感式开关
V
GS
= 10V
V
DD
= 380V
I
D
= 77A @ 25°C
R
G
= 5.0Ω
5
民
典型值
13600
4400
290
260
38
144
18
27
110
8
1670
2880
2300
3100
最大
单位
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
5
nC
165
12
ns
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 77A ，R
G
= 5Ω
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 400V, V
GS
= 15V
I
D
= 77A ，R
G
= 5Ω
民
μJ
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
3
典型值
最大
77
231
单位
安培
伏
V / ns的
ns
μC
安培
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -77A)
6
1
1.2
15
/
dt
峰值二极管恢复
dv
/
dt
反向恢复时间
(I
S
= -77A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
t
rr
Q
rr
I
RRM
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
950
32
60
反向恢复电荷
(I
S
= -77A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -77A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
特征
结到外壳
结到环境
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
民
典型值
最大
0.26
40
单位
° C / W
4见MIL -STD -750方法3471
2重复雪崩使得可以计算为5宙包括二极管的反向恢复额外的功率损耗。
PAV = EAR * F。脉冲宽度TP受Tj最高。
6最大125°C二极管换流速度=的di / dt 600A / μs的
3脉冲测试：脉冲宽度< 380
μs,
占空比< 2 ％
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.30
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
D = 0.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
10
-3
10
-2
注意：
050-7210修订版A 8-2010
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
0.1
1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
APT77N60B_SC6
10%
栅极电压
90%
T
J
= 125°C
t
r
90%
集电极电流
5%
10%
5%
集电极电压
开关能量
栅极电压
t
D（关闭）
t
f
集电极电流
10%
集电极电压
t
D（上）
T
J
= 125°C
0
开关能量
图17 ，导通开关波形和De科幻nitions
图18 ，关断开关波形和De科幻nitions
APT30DQ60
APT30DF60
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图19中的
20 ，电感式开关测试电路
科幻gure
电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
E1国资委：锡，银，铜
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
E3 100 ％锡
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
门
漏
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7210修订版A 8-2010
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
散热器（漏）
并导致
镀
QQ：2880707522 复制
