APT75GP120B2
1200V
功率MOS 7 IGBT
T-最大
TM
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
G
C
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
100 kHz的工作频率@ 800V ， 20A
50 kHz的工作频率@ 800V ， 38A
RBSOA评级
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
RBSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
7
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT75GP120B2
单位
1200
±20
±30
100
91
300
300A @ 960V
1042
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
@ T
C
= 25°C
反向偏置安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 1000A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 2.5毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
3
4.5
3.3
3.0
1000
2
6
3.9
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 75A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 75A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
I
CES
I
GES
A
nA
5-2003
050-7424
版本B
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
5000
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
RBSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT75GP120B2
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 600V
I
C
= 75A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 960V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
4
民
典型值
最大
单位
7035
460
80
7.5
320
50
140
300
20
40
163
56
1620
4100
2500
20
40
244
115
1620
5850
4820
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
反向偏置安全工作区
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量（二极管）
5
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 5
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
6
J
热和机械特性
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
.12
不适用
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7424
版本B
5-2003
APT75GP120B2
40
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
350
V
GE
=15V,T
J
=125°C
300
250
200
150
100
50
0
V
CE
= 600V
R
G
= 5
L = 100 μH
V
GE
=
10V,T
J
=25°C
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
V
GE
=
10V,T
J
=125°C
30
V
GE
= 10V
20
V
GE
= 15V
10
V
CE
= 600V
T
J
= 25 ° C或125°C
R
G
= 5
L = 100 μH
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
120
100
t
r,
上升时间（纳秒）
R
G
=
5, L
=
100
H，V
CE
=
600V
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
10V
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
160
R
G
=
5, L
=
100
H，V
CE
=
600V
140
T
J
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
120
80
t
f,
下降时间（纳秒）
100
80
60
40
60
40
20
T
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
J
0
10
40
70
100
130
160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
20
0
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
10
40
70
100
130
160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
12000
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
V
CE
= 600V
L = 100 μH
R
G
= 5
14000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
12000
10000
8000
6000
4000
2000
V
CE
= 600V
L = 100 μH
R
G
= 5
T
J
= 125°C ，V
GE
=15V
10000
T
J
=125°C,V
GE
=10V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
8000
6000
T
J
= 25 ° C，V
GE
=15V
4000
2000
0
T
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
J
0
10
40
70
100
130
160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
20000
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
T
J
= 25 ° C，V
GE
=10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
15000
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
E
on2
150A
E
关闭
150A
E
on2
150A
12500
10000
7500
5000
2500
0
15000
10000
E
on2
75A
5000
E
on2
37.5A
E
关闭
37.5A
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
0
E
关闭
75A
E
关闭
150A
E
on2
75A
5-2003
E
关闭
75A
E
关闭
37.5A
0
E
on2
37.5A
版本B
050-7424
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
20,000
10,000
资本投资者入境计划
I
C
，集电极电流（ A）
APT75GP120B2
350
300
250
200
150
100
50
C，电容（ F）
P
1,000
500
卓越中心
100
50
CRES
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.14
0.12
0.9
0.10
0.7
0.08
0.5
0.06
0.04
0.02
0
0.3
注意：
PDM
t1
t2
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.1
0.05
单脉冲
10
-5
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
遥控模型
连接点
TEMP （℃）
0.00792
0.00354F
140
100
F
最大
，工作频率（千赫）
50
动力
（瓦特）
0.0475
0.0307F
0.0656
外壳温度（ ° C）
0.361F
10
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 800V
R
G
= 5
图19B ，瞬态热阻抗模型
.3
10
30
50
70
90
110 130 150
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极
当前
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
5-2003
050-7424
版本B
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
T
J
T
C
R
θ
JC
APT75GP120B2
1200V
功率MOS 7 IGBT
T-最大
TM
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
G
C
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
100 kHz的工作频率@ 800V ， 20A
50 kHz的工作频率@ 800V ， 38A
RBSOA评级
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
RBSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
7
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT75GP120B2
单位
1200
±20
±30
100
91
300
300A @ 960V
1042
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
@ T
C
= 25°C
反向偏置安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 1000A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 2.5毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
3
4.5
3.3
3.0
1000
2
6
3.9
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 75A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 75A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
I
CES
I
GES
A
nA
5-2003
050-7424
版本B
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
5000
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
RBSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT75GP120B2
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 600V
I
C
= 75A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 960V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
4
民
典型值
最大
单位
7035
460
80
7.5
320
50
140
300
20
40
163
56
1620
4100
2500
20
40
244
115
1620
5850
4820
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
反向偏置安全工作区
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量（二极管）
5
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 5
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
关断开关能量
6
J
热和机械特性
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
.12
不适用
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7424
版本B
5-2003
APT75GP120B2
40
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
350
V
GE
=15V,T
J
=125°C
300
250
200
150
100
50
0
V
CE
= 600V
R
G
= 5
L = 100 μH
V
GE
=
10V,T
J
=25°C
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
V
GE
=
10V,T
J
=125°C
30
V
GE
= 10V
20
V
GE
= 15V
10
V
CE
= 600V
T
J
= 25 ° C或125°C
R
G
= 5
L = 100 μH
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
120
100
t
r,
上升时间（纳秒）
R
G
=
5, L
=
100
H，V
CE
=
600V
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
10V
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
160
R
G
=
5, L
=
100
H，V
CE
=
600V
140
T
J
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
120
80
t
f,
下降时间（纳秒）
100
80
60
40
60
40
20
T
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
J
0
10
40
70
100
130
160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
20
0
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
10
40
70
100
130
160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
12000
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
V
CE
= 600V
L = 100 μH
R
G
= 5
14000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
12000
10000
8000
6000
4000
2000
V
CE
= 600V
L = 100 μH
R
G
= 5
T
J
= 125°C ，V
GE
=15V
10000
T
J
=125°C,V
GE
=10V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
10V或15V
8000
6000
T
J
= 25 ° C，V
GE
=15V
4000
2000
0
T
=
25 ° C，V
GE
=
10V或15V
J
0
10
40
70
100
130
160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
20000
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
T
J
= 25 ° C，V
GE
=10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
15000
开关损耗（ μJ ）
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
E
on2
150A
E
关闭
150A
E
on2
150A
12500
10000
7500
5000
2500
0
15000
10000
E
on2
75A
5000
E
on2
37.5A
E
关闭
37.5A
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
0
E
关闭
75A
E
关闭
150A
E
on2
75A
5-2003
E
关闭
75A
E
关闭
37.5A
0
E
on2
37.5A
版本B
050-7424
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
20,000
10,000
资本投资者入境计划
I
C
，集电极电流（ A）
APT75GP120B2
350
300
250
200
150
100
50
C，电容（ F）
P
1,000
500
卓越中心
100
50
CRES
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.14
0.12
0.9
0.10
0.7
0.08
0.5
0.06
0.04
0.02
0
0.3
注意：
PDM
t1
t2
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.1
0.05
单脉冲
10
-5
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
遥控模型
连接点
TEMP （℃）
0.00792
0.00354F
140
100
F
最大
，工作频率（千赫）
50
动力
（瓦特）
0.0475
0.0307F
0.0656
外壳温度（ ° C）
0.361F
10
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 800V
R
G
= 5
图19B ，瞬态热阻抗模型
.3
10
30
50
70
90
110 130 150
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极
当前
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
5-2003
050-7424
版本B
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
T
J
T
C
R
θ
JC
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