典型性能曲线
1200V
APT75GN120B2_L(G)
APT75GN120B2
APT75GN120L
APT75GN120B2G * APT75GN120LG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑的结果，
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内置的栅极电阻确保可靠
非常可靠的操作，即使在发生短路故障的情况。低栅极电荷
简化网络连接的ES栅极驱动的设计和最小化损失。
(B2)
T-最大
TO-264
(L)
沟槽栅：低V
CE （ON）的
易于并联
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
1200V场截止
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
8
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT75GN120B2_L(G)
单位
伏
1200
±30
@ T
C
= 25°C
200
99
225
225A @ 1200V
833
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 3毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 3毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
5.0
1.4
2
2
5.8
1.7
2.0
6.5
2.1
100
待定
600
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 75A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 75A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
伏
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7607
REV C
10
10-2005
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT75GN120B2_L(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 600V
I
C
= 75A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
4800
275
210
9.0
425
30
245
225
60
41
620
110
8045
9620
7640
60
41
725
200
8620
13000
11400
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
R
G
= 1.0
7
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 1.0
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.15
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
10-2005
REV C
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
8电流限制铅的温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7607
典型性能曲线
6,000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
250
APT75GN120B2_L(G)
200
C，电容（ F）
P
1,000
500
C
OES
C
水库
150
100
50
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
100
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.16
0.14
0.12
0.7
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.5
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
D = 0.9
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
60
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0686
0.0139
F
最大
，工作频率（千赫）
10
5
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 800V
CE
R = 1.0
G
F
动力
（瓦特）
0.0630
0.203
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
f
max2
=
P
DISS
=
0.0182
外壳温度。 （ ° C）
1.62
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
30
50
70 90 110 130 150
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
1
10
050-7607
REV C
10-2005
典型性能曲线
1200V
APT75GN120B2_L(G)
APT75GN120B2
APT75GN120L
APT75GN120B2G * APT75GN120LG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的具有超
低V
CE （ON）的
并适用于需要绝对最低低频应用
导通损耗。易于并联的参数分布非常紧凑的结果，
稍微积极V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内置的栅极电阻确保可靠
非常可靠的操作，即使在发生短路故障的情况。低栅极电荷
简化网络连接的ES栅极驱动的设计和最小化损失。
(B2)
T-最大
TO-264
(L)
沟槽栅：低V
CE （ON）的
易于并联
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
1200V场截止
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
8
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT75GN120B2_L(G)
单位
伏
1200
±30
@ T
C
= 25°C
200
99
225
225A @ 1200V
833
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 3毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 3毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
5.0
1.4
2
2
5.8
1.7
2.0
6.5
2.1
100
待定
600
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 75A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 75A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
伏
I
CES
I
GES
R
G（ INT ）
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7607
REV C
10
10-2005
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT75GN120B2_L(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 600V
I
C
= 75A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 4.3
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
4800
275
210
9.0
425
30
245
225
60
41
620
110
8045
9620
7640
60
41
725
200
8620
13000
11400
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
R
G
= 1.0
7
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 1.0
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.15
不适用
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是只对IGBT的钳位感性开启能量未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。测试了在网络连接gure 21示出电感式开关测试电路，而是用碳化硅二极管。
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
10-2005
REV C
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
G（ INT ）
或非门驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
8电流限制铅的温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7607
典型性能曲线
6,000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
250
APT75GN120B2_L(G)
200
C，电容（ F）
P
1,000
500
C
OES
C
水库
150
100
50
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
100
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.16
0.14
0.12
0.7
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.5
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
D = 0.9
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
60
遥控模型
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.0686
0.0139
F
最大
，工作频率（千赫）
10
5
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 800V
CE
R = 1.0
G
F
动力
（瓦特）
0.0630
0.203
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
f
max2
=
P
DISS
=
0.0182
外壳温度。 （ ° C）
1.62
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ，瞬态热阻抗模型
30
50
70 90 110 130 150
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
1
10
050-7607
REV C
10-2005
QQ：2880707522 复制
