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APT75DL120HJ
ISOTOP
快速二极管
全桥电源模块
V
RRM
= 1200V
I
F
= 75A @ T = 80℃
应用
开关模式电源整流器
感应加热
焊接设备
高速整流器
特点
超快速的恢复时间
软恢复特性
高阻断电压
HIGH CURRENT
低漏电流
极低的杂散电感
高集成度
ISOTOP
封装( SOT- 227 )
+
~
-
好处
突出表现在高频率运行
低损耗
低噪声开关
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
符合RoHS
~
绝对最大额定值
符号
V
R
V
RRM
I
F( AV )
I
FRM
参数
最大直流反向电压
最大峰值重复反向电压
最大正向平均
当前
占空比= 50 %
8.3ms
T
C
= 80°C
T
J
= 45°C
最大额定值
1200
75
A
150
单位
V
2009年11月
1-3
APT75DL120HJ - 牧师0
最大可重复正向电流限制
经t
JMAX
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APT75DL120HJ
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
V
F
I
RM
二极管的正向电压
最大反向漏电流
测试条件
I
F
= 75A
V
R
= 1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
1.6
1.6
最大
2.1
250
500
单位
V
A
动态特性
符号特性
t
rr
Q
rr
E
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
I
F
= 75A
V
R
= 600V
的di / dt = 2000A / μs的
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
170
280
7
14
3
5.5
最大
单位
ns
C
mJ
热和包装特点
符号
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
结到环境
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
典型值
最大
0.58
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接: 0.063 “从案例10秒
安装力矩
(安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机)
包装重量
2500
-55
29.2
SOT- 227 ( ISOTOP
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
3.30 (.130) 12.6 (.496)
4.57 (.180) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
尺寸以毫米(英寸)
www.Microsemi.com
2-3
APT75DL120HJ - 牧师0
2009年11月
APT75DL120HJ
典型性能曲线
二极管的正向特性
150
125
100
I
F
(A)
75
50
25
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
0
0
25
50
75
I
F
(A)
100
125
150
T
J
=125°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
7.5
V
CE
= 600V
V
GE
= -15V
T
J
= 125°C
ERR (兆焦耳)
单脉冲
0.01
5
2.5
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
0.6
热阻抗( ℃/ W)
0.9
0.5
0.7
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
0
0.00001
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间(秒)
ISOTOP是意法半导体NV的注册商标。
Microsemi的保留更改的权利,恕不另行通知,此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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3-3
APT75DL120HJ - 牧师0
2009年11月
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT75DL120HJ
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