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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第627页 > APT65GP60L2DQ2G
典型性能曲线
APT65GP60L2DQ2
APT65GP60L2DQ2G*
APT65GP60L2DQ2
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
功率MOS 7 IGBT
TO-264
最大
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。使用打孔
通过这种技术IGBT适用于多种高频率,高电压开关
应用程序和已优化高频开关模式电源。
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
100 kHz的工作频率@ 400V , 54A
50 kHz的工作频率@ 400V , 76A
额定SSOA
G
C
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
7
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT65GP60L2DQ2
单位
600
±30
@ T
C
= 25°C
198
96
250
250A @ 600V
833
-55到150
300
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
( BR ) CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 1000A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 2.5毫安,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
1250
A
nA
6-2005
050-7454
REV A
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 65A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 65A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
2
2
I
CES
I
GES
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
5500
±100
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D(上)
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT65GP60L2DQ2
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 65A
T
J
= 150℃ ,R
G
= 5, V
GE
=
V
GE
= 15V
典型值
最大
单位
pF
V
nC
7400
580
35
7.5
210
50
65
250
30
55
90
65
605
1410
895
30
55
130
90
605
1925
1470
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极( "Miller " )充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
15V , L = 100μH ,V
CE
= 600V
电感式开关( 25 ° C)
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 65A
R
G
= 5
导通开关能量(二极管)
6
T
J
= +25°C
电感式开关( 125°C )
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 65A
R
G
= 5
J
导通开关能量(二极管)
6
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
(IGBT)
结到外壳
(二极管)
包装重量
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.15
.67
5.9
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备,I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是蛤PED认证电感导通能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 (参见图24 )
5 E
on2
是钳位感性开启能量,包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 (见图21 , 22 )
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 (见图21 , 23 )
7连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
050-7454
REV A
6-2005
典型性能曲线
100
90
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
APT65GP60L2DQ2
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
250μs的脉冲
TEST<0.5 %占空比
周期
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
I
C
,集电极电流( A)
图1中,输出特性(T
J
= 25°C)
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图2中,输出特性(T
J
= 125°C)
I = 65A
C
中T = 25℃
J
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
200
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
150
T
J
= -55°C
100
T
J
= 25°C
V
CE
= 480V
50
T
J
= 125°C
0
0
2 3
4 5 6
7 8
9 10
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图3 ,传输特性
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
1
50
100
150
200
栅极电荷( NC)
250
图4中,栅极电荷
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
C
= 32.5A
I
C
= 130A
I
C
= 65A
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
C
= 130A
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C
= 65A
I
C
= 32.5A
8
10
12
14
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图5 ,通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
0
6
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图6 ,通态电压VS结温
300
0
-50
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
BV
CES
,集电极 - 发射极击穿
电压(归)
I
C,
DC集电极电流( A)
250
200
150
100
50
0
-50
焊接温度
有限
1.05
1.00
0.95
050-7454
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与结温
0.90
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图8 , DC集电极电流与外壳温度
REV A
6-2005
35
t
D(关闭)
,关断延迟时间(纳秒)
t
D(上)
,导通延迟时间(纳秒)
160
140
120
100
80
60
40
V
=
400V
20
R
CE
=
5
G
V
GE
=15V,T
J
=125°C
APT65GP60L2DQ2
30
25
20
15
10
5
0
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
T
J
=125°C
R
G
= 5
L = 100 μH
V
GE
= 15V
V
GE
=15V,T
J
=25°C
5
25
45
65
85
105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9 ,导通延迟时间与集电极电流
140
120
100
80
60
40
20
0
T
J
=
25或125°C ,V
GE
=
15V
R
G
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
400V
5
25
45
65
85
105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图10 ,关闭延迟时间与集电极电流
140
120
T
J
=
125°C ,V
GE
=
15V
0
L = 100 μH
R
G
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
400V
t
f,
下降时间(纳秒)
t
r,
上升时间(纳秒)
100
80
60
40
20
0
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
15V
25
45
65
85 105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11 ,电流上升时间与集电极电流
6000
E
ON2
,开启能量损失( μJ )
E
关闭
,关闭能量损失( μJ )
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 5
G
5
5
25
45
65
85
105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图12 ,电流下降时间与集电极电流
5000
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 5
G
5000
4000
3000
2000
1000
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
4000
T
J
=
125°C ,V
GE
=
15V
3000
2000
1000
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
15V
10
25
45
65
85
105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图13 ,开启能量损耗VS集电极电流
10000
开关损耗( μJ )
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
T = 125°C
J
0
5
25
45
65
85 105 145 165
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图14 ,关闭能量损失VS集电极电流
6000
E
on2,
130A
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 5
G
0
E
on2,
130A
开关损耗( μJ )
8000
5000
4000
3000
2000
1000
0
E
关,
130A
6000
4000
E
关,
130A
E
on2,
65A
6-2005
E
on2,
65A
E
关,
65A
E
on2,
32.5A
E
关闭
32.5A
,
2000
E
关,
65A
E
关闭
32.5A
,
REV A
E
on2,
32.5A
050-7454
10
20
30
40
50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图15 ,开关损耗与栅极电阻
0
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
图16 ,开关损耗VS结温
0
典型性能曲线
10,000
5000
C
IES
I
C
,集电极电流( A)
300
250
200
150
100
50
0
APT65GP60L2DQ2
C,电容( F)
1,000
500
C
0es
P
100
50
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图17 ,电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
,集电极到发射极电压
图18 , Minimim开关安全工作区
0.16
0.14
0.12
0.7
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.5
注意:
Z
θ
JC
,热阻抗( ℃/ W)
0.9
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图19A ,最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
1.0
187
F
最大
,工作频率(千赫)
100
遥控模型
连接点
TEMP (℃)
0.0683
动力
(瓦特)
0.0822
外壳温度( ° C)
0.256
0.0217
50
= MIN (F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D(上)
+ t
r
+ t
D(关闭)
+ t
f
最大
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R = 5
G
F
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ,瞬态热阻抗模型
30
50
70
90
110
130
I
C
,集电极电流( A)
图20 ,工作频率与集电极电流
10
10
050-7454
REV A
6-2005
典型性能曲线
APT65GP60L2DQ2
APT65GP60L2DQ2G*
APT65GP60L2DQ2
600V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
功率MOS 7 IGBT
TO-264
最大
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。使用打孔
通过这种技术IGBT适用于多种高频率,高电压开关
应用程序和已优化高频开关模式电源。
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
100 kHz的工作频率@ 400V , 54A
50 kHz的工作频率@ 400V , 76A
额定SSOA
G
C
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
7
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT65GP60L2DQ2
单位
600
±30
@ T
C
= 25°C
198
96
250
250A @ 600V
833
-55到150
300
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
( BR ) CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 1000A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 2.5毫安,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
1250
A
nA
6-2005
050-7454
REV A
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 65A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 65A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
2
2
I
CES
I
GES
集电极截止电流(V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
5500
±100
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D(上)
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT65GP60L2DQ2
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 300V
I
C
= 65A
T
J
= 150℃ ,R
G
= 5, V
GE
=
V
GE
= 15V
典型值
最大
单位
pF
V
nC
7400
580
35
7.5
210
50
65
250
30
55
90
65
605
1410
895
30
55
130
90
605
1925
1470
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极( "Miller " )充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
15V , L = 100μH ,V
CE
= 600V
电感式开关( 25 ° C)
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 65A
R
G
= 5
导通开关能量(二极管)
6
T
J
= +25°C
电感式开关( 125°C )
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 65A
R
G
= 5
J
导通开关能量(二极管)
6
T
J
= +125°C
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
(IGBT)
结到外壳
(二极管)
包装重量
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.15
.67
5.9
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备,I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是蛤PED认证电感导通能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 (参见图24 )
5 E
on2
是钳位感性开启能量,包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 (见图21 , 22 )
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 (见图21 , 23 )
7连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
050-7454
REV A
6-2005
典型性能曲线
100
90
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
APT65GP60L2DQ2
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
250μs的脉冲
TEST<0.5 %占空比
周期
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
I
C
,集电极电流( A)
图1中,输出特性(T
J
= 25°C)
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图2中,输出特性(T
J
= 125°C)
I = 65A
C
中T = 25℃
J
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
200
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
150
T
J
= -55°C
100
T
J
= 25°C
V
CE
= 480V
50
T
J
= 125°C
0
0
2 3
4 5 6
7 8
9 10
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图3 ,传输特性
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
1
50
100
150
200
栅极电荷( NC)
250
图4中,栅极电荷
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
C
= 32.5A
I
C
= 130A
I
C
= 65A
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
C
= 130A
T
J
= 25°C.
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C
= 65A
I
C
= 32.5A
8
10
12
14
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图5 ,通态电压VS门极 - 发射极电压
1.10
0
6
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图6 ,通态电压VS结温
300
0
-50
V
GE
= 15V.
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
BV
CES
,集电极 - 发射极击穿
电压(归)
I
C,
DC集电极电流( A)
250
200
150
100
50
0
-50
焊接温度
有限
1.05
1.00
0.95
050-7454
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与结温
0.90
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图8 , DC集电极电流与外壳温度
REV A
6-2005
35
t
D(关闭)
,关断延迟时间(纳秒)
t
D(上)
,导通延迟时间(纳秒)
160
140
120
100
80
60
40
V
=
400V
20
R
CE
=
5
G
V
GE
=15V,T
J
=125°C
APT65GP60L2DQ2
30
25
20
15
10
5
0
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
T
J
=125°C
R
G
= 5
L = 100 μH
V
GE
= 15V
V
GE
=15V,T
J
=25°C
5
25
45
65
85
105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9 ,导通延迟时间与集电极电流
140
120
100
80
60
40
20
0
T
J
=
25或125°C ,V
GE
=
15V
R
G
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
400V
5
25
45
65
85
105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图10 ,关闭延迟时间与集电极电流
140
120
T
J
=
125°C ,V
GE
=
15V
0
L = 100 μH
R
G
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
400V
t
f,
下降时间(纳秒)
t
r,
上升时间(纳秒)
100
80
60
40
20
0
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
15V
25
45
65
85 105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11 ,电流上升时间与集电极电流
6000
E
ON2
,开启能量损失( μJ )
E
关闭
,关闭能量损失( μJ )
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 5
G
5
5
25
45
65
85
105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图12 ,电流下降时间与集电极电流
5000
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 5
G
5000
4000
3000
2000
1000
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
4000
T
J
=
125°C ,V
GE
=
15V
3000
2000
1000
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
15V
10
25
45
65
85
105 125 145
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图13 ,开启能量损耗VS集电极电流
10000
开关损耗( μJ )
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
T = 125°C
J
0
5
25
45
65
85 105 145 165
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图14 ,关闭能量损失VS集电极电流
6000
E
on2,
130A
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 5
G
0
E
on2,
130A
开关损耗( μJ )
8000
5000
4000
3000
2000
1000
0
E
关,
130A
6000
4000
E
关,
130A
E
on2,
65A
6-2005
E
on2,
65A
E
关,
65A
E
on2,
32.5A
E
关闭
32.5A
,
2000
E
关,
65A
E
关闭
32.5A
,
REV A
E
on2,
32.5A
050-7454
10
20
30
40
50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图15 ,开关损耗与栅极电阻
0
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
图16 ,开关损耗VS结温
0
典型性能曲线
10,000
5000
C
IES
I
C
,集电极电流( A)
300
250
200
150
100
50
0
APT65GP60L2DQ2
C,电容( F)
1,000
500
C
0es
P
100
50
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图17 ,电容VS集电极 - 发射极电压
10
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
,集电极到发射极电压
图18 , Minimim开关安全工作区
0.16
0.14
0.12
0.7
0.10
0.08
0.06
0.3
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.5
注意:
Z
θ
JC
,热阻抗( ℃/ W)
0.9
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图19A ,最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
1.0
187
F
最大
,工作频率(千赫)
100
遥控模型
连接点
TEMP (℃)
0.0683
动力
(瓦特)
0.0822
外壳温度( ° C)
0.256
0.0217
50
= MIN (F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D(上)
+ t
r
+ t
D(关闭)
+ t
f
最大
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R = 5
G
F
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
图19B ,瞬态热阻抗模型
30
50
70
90
110
130
I
C
,集电极电流( A)
图20 ,工作频率与集电极电流
10
10
050-7454
REV A
6-2005
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